多数载流子(电子)n=5*10^22cm-3*1%=5*10^20cm-3
少数载流子(空穴)p=ni^2/n=0.45cm-3
SIMS。半导体的掺杂浓度,比如说掺硼、掺磷、掺砷、掺铝这些扩散,都是用D-SIMS测的。因为D-SIMS对应的叫动态匹配,低浓度到高浓度的范围还是比较广的。半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。半导体在消费电子、通信系统、医疗仪器等领域有广泛应用。欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
多数载流子(电子)n=5*10^22cm-3*1%=5*10^20cm-3
少数载流子(空穴)p=ni^2/n=0.45cm-3
SIMS。半导体的掺杂浓度,比如说掺硼、掺磷、掺砷、掺铝这些扩散,都是用D-SIMS测的。因为D-SIMS对应的叫动态匹配,低浓度到高浓度的范围还是比较广的。半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。半导体在消费电子、通信系统、医疗仪器等领域有广泛应用。欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
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