和“光刻机”同样重要的“刻蚀机”是怎样造出来的？

光刻机和刻蚀机的区别：

刻蚀相对光刻要容易。光刻机把图案印上去，然后刻蚀机根据印上去的图案刻蚀掉有图案（或者没有图案）的部分，留下剩余的部分。

“光刻”是指在涂满光刻胶的晶圆（或者叫硅片）上盖上事先做好的光刻板，然后用紫外线隔着光刻板对晶圆进行一定时间的照射。原理就是利用紫外线使部分光刻胶变质，易于腐蚀。

“刻蚀”是光刻后，用腐蚀液将变质的那部分光刻胶腐蚀掉（正胶），晶圆表面就显出半导体器件及其连接的图形。然后用另一种腐蚀液对晶圆腐蚀，形成半导体器件及其电路。

1944年，尹志尧出生在北京的一个爱国家庭，他的祖父是公费留学生，父亲也曾留学日本然后又回到祖国，为国家做贡献。

1962年尹志尧顺利考入中国科学技术大学化学物理系，1968年顺利毕业后，他先后分配到兰州炼油厂和中科院兰州物理化学所工作，1978年，尹志尧再接再厉又进入到北京大学化学系攻读硕士学位，1980年他又前往美国加利福尼亚大学洛杉矶分校，继续深造在获得物理化学博士学位。

之后尹志尧在硅谷工作了20年在此期间先进入到英特尔公司，1986年尹志尧受邀加入到L5M，主要负责等离子体刻蚀设备的研发，1991年应用材料公司请他担任等离子刻蚀总部的工程及技术主管。为了避免知识产权方面的问题，他带领团队从头开始，仅用了九年时间，就让应用材料公司占据国际刻蚀机设备市场的40%

尹志尧在半导体行业，有86项美国专利，和200多项各国专利，并被公认为是硅谷最有成就的华人之一。

然而就在60岁退休之际，尹志尧做出了一个大胆的决定，他带着自己的15人团队回到了中国，2004年，他创办了中微半导体公司，让中国突破了刻蚀机的技术垄断奠定了我国自主生产芯片的技术，如今，中微半导体公司生产的刻蚀机在米粒上刻一亿个字到十亿个字的突破，而尹志尧对祖国的贡献还在继续。

中微半导体的刻蚀机在台积电总装

刻蚀是半导体制造中十分关键的一环，刻蚀通过物理或化学方法将硅片表面不需要的材料去除，从而将掩膜图形正确的复制到涂胶硅片上。

刻蚀过程需要用到刻蚀机这一设备。如今，我国在光刻机领域虽然还难以突破，但在刻蚀机领域，我国已经实现突围。

前道主要是光刻、刻蚀机、清洗机、离子注入、化学机械平坦等。后道主要有打线、Bonder、FCB、BGA植球、检查、测试等。又分为湿制程和干制程。

湿制程主要是由液体参与的流程，如清洗、电镀等。干制程则与之相反，是没有液体的流程。其实半导体制程大部分是干制程。由于对Low-K材料的要求不断提高，仅仅进行单工程开发评估是不够的。为了达到总体最优化，还需要进行综合评估，以解决多步骤的问题。

扩展资料：

这部分工艺流程是为了在 Si 衬底上实现N型和P型场效应晶体管，与之相对应的是后道(back end of line，BEOL)工艺，后道实际上就是建立若干层的导电金属线，不同层金属线之间由柱状金属相连。

新的集成技术在晶圆衬底上也添加了很多新型功能材料，例如：后道(BEOL)的低介电常数(εr <2.4)绝缘材料，它是多孔的能有效降低后道金属线之间的电容。

参考资料来源：百度百科-后道工序

参考资料来源：百度百科-半导体

参考资料来源：百度百科-前道工艺

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