BBU(Bui lding Base band Unite)室内基带处理单元的作用是完成 Uu 接口的基带处理功能(编码、复用、调制和扩频等)、RNC 的 Iub 接口功能、信令处理、本地和远程 *** 作维护功能,以及 NodeB系统的工作状态监控和告警信息上报功能。
RRU(射频拉远模块) 的作用是收发信机模块完成中频信号到射频信号的变换;再经过功放和滤波模块,将射频信号通过天线口发射出去。
射频拉远单元(RRU)分为 4 个大模块:中频模块、收发信机模块、功放和滤波模块。数字中频模块用于光传输的调制解调、数字上下变频、A/D 转换等。
3G 网络大量使用分布式基站架构,RRU(射频拉远模块)和 BBU(基带处理单元)之间需要用光纤连接。一个 BBU 可以支持多个 RRU。采用 BBU+RRU 多通道方案,可以很好地解决大型场馆的室内覆盖。
BBU与 RRU 之间采用光纤传输,RRU 再通过同轴电缆及功分器(耦合器)等连接至天线,即主干采用光纤,支路采用同轴电缆。BBU+RRU的 TD 分布系统,小区设定是在 BBU的控制板子上,一个 BBU后边可能连接几个 RRU,但是并不是每个 RRU就是一个小区。
扩展资料:
RRU的工作原理是:基带信号下行经变频、滤波,经过射频滤波、经线性功率放大器后通过发送滤波传至天馈。上行将收到的移动终端上行信号进滤波、低噪声放大、进一步的射频小信号放大滤波和下变频,然后完成模数转换和数字中频处理等。
RRU同基站接口的连接接口有两种:CPRI(Common Public Radio Interface 通用公共射频接口)及OBSAI(Open Base Station Architecture Initiative 开放式基站架构)。
其中,CPRI组织成员包括:爱立信、华为、NEC、北电、西门子。OBSAI组织成员包括:诺基亚、中兴、LG、三星、Hyundai。
信号覆盖方式上,RRU可通过同频不同扰码方式,从NodeB引出。也可通过同频不同扰码方式,从RNC引出。这两种覆盖方式都是常规的方式,除此之外,对于3扇区,但配有多余信道板以及多余基带处理设备的基站可以利用基带池共享技术,将多余的基带处理设备设为第4小区。
参考资料来源:百度百科-bbu
参考资料来源:百度百科-RRU
现在被称作半导体器件的种类如下所示。按照其制造技术可分为分立器件半导体、光电半导体、逻辑IC、模拟IC、存储器等大类,一般来说这些还会被再分成小类。此外,IC除了在制造技术上的分类以外,还有以应用领域、设计方法等进行分类,最近虽然不常用,但还有按照IC、LSI、VLSI(超大LSI)及其规模进行分类的方法。此外,还有按照其所处理的信号,可以分成模拟、数字、模拟数字混成及功能进行分类的方法。半导体器件的种类: 一、分立器件1、 二极管A、一般整流用B、高速整流用:①FRD(Aast Recovery Diode:高速恢复二极管)②HED(Figh Efficiency Diode:高速高效整流二极管)③SBD(Schottky Barrier Diode:肖特基势垒二极管)C、定压二极管(齐纳二极管)D、高频二极管①变容二极管②PIN二极管③穿透二极管④崩溃二极管/甘恩二极管/骤断变容二极管2、 晶体管①双极晶体管②FET(Fidld Effect Transistor:场效应管)Ⅰ、接合型FETⅡ、MOSFET③IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor:绝缘栅双极晶体管)3、 晶闸管①SCR(Sillicon Controllde Rectifier:硅控整流器)/三端双向可控硅②GTO(Gate Turn off Thyristor:栅极光闭晶闸管) ③LTT(Light Triggered Thyristor:光触发晶闸管)二、光电半导体1、LED(Light Emitting Diode:发光二极管)2、激光半导体3、受光器件①光电二极管(Photo Diode)/太阳能电池(Sola Cell)②光电晶体管(Photo Transistor)③CCD图像传感器(Charge Coupled Device:电荷耦合器)④CMOS图像传感器(complementary Metal Oxide Semiconductor:互补型金属氧化膜半导体)4、光耦(photo Relay)①光继电器(photo Relay)②光断路器(photo Interrupter)5、光通讯用器件三、逻辑IC1、通用逻辑IC2、微处理器(Micro Processor)①CISC(Complex Instruction Set Computer:复杂命令集计算机)②RISC(Reduced instruction SET Computer:缩小命令集计算机)3、DSP(Digital Signal processor:数字信号处理器件)4、AASIC(Application Specific integrated Circuit:特殊用途IC)①栅陈列(Gate-Array Device)②SC(Standard Cell:标准器件)③FPLD(Field programmable Logic Device:现场可编程化逻辑装置)5、MPR(Microcomputer peripheral:微型计算机外围LSI)6、系统LSI(System LSI)四、模拟IC(以及模拟数字混成IC)1、电源用IC2、运算放大器(OP具Amp)3、AD、DA转换器(AD DA Converter)4、显示器用驱动器IC(Display Driver IC)五、存储器1、DRAM(Dynamic Random Access Memory:动态随机存取存储器)2、SRAM(Static Random Access Memory:静态随机存取储器)3、快闪式存储器(Flash Memory)4、掩模ROM(mask Memory)5、FeRAM(Ferroelectric Random Access Memory:强介电质存储器)6、MRAM(Magnetic Random Access Memory:磁性体存储器)欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
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