它的内部结构与普通PN结管不同,它属于PIN结型,就是在P与N中间增加了基区I,构成PIN结,因为基区很薄,反向恢复电荷很小,所以PIN二极管的反向恢复时间短,正向压降低,反向击穿电压高。
导体材料中的载流子包括材料内部的自由电子及其留下的空位—— 空穴两种。在正常情况下自由电子及空穴的形成与复合处于动态平衡,电子要克服原子的束缚成为自由电子必须吸能量,而光照可以向电子提供能量,增强它挣脱原子束缚的能力。
使得原本的动态平衡被打破,自由电子及空穴的形成速率大于复合速率,从而在半导体内部形成自由电子——空穴对。
扩展资料:
制作光电传感器用到最多的当属光敏电阻,光敏电阻在无光照的情况下电阻值比较高,当它受到光照的情况下,阻值下降很多,导电性能明显加强。
光敏电阻的主要参数有暗电阻,暗电流,与之对应的是亮电阻,亮电流。它们分别是在有光和无光条件下的所测的数值,亮电阻与暗电阻差值越大越好,在选择光敏电阻的时候还要注意它的光照特性,光谱特性。
光电二极管在无光照的条件下,其工作在截至状态,跟一般的二极管特性差不多,都具有单向导通性能。当受到光照时,PN区载流子浓度大大增加,载流子流动形成光电流。
参考资料来源:百度百科--光电器件
参考资料来源:百度百科--p-i-n光电二极管
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