霍尔系数的单位是米的三次方每库仑。——立方米/库仑(m3/C),霍尔元件应用的基本原理是霍尔效应。
霍尔效应是一种磁敏效应,一般在半导体薄片的长度X方向上施加磁感应强度为B的磁场,则在宽度Y方向上会产生电动势UH,这种现象即称为霍尔效应。UH称为霍尔电势,其大小可表示为: UH=RH/d*IC*B (1) 式中,RH称为霍尔系数,由半导体材料的性质决定;d为半导体材料的厚度。
规律
设RH/d=K,则式(1)可写为: UH=K*IC*B (2) 可见,霍尔电压与控制电流及磁感应强度的乘积成正比,K称为乘积灵敏度。
K值越大,灵敏度就越高;元件厚度越小,输出电压也越大。 在式(2)中,若控制电流IC,为常数,磁感应强度B与被测电流成正比,就可以做成霍尔电流传感器;另外,若仍固定IC为常数,B与被测电压成正比,又可制成霍尔电压传感器。
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因为霍尔系数近似与载流子浓度成反比,所以半导体的霍尔系数要大于导体的霍尔系数;而半导体的载流子浓度与温度的关系较大(特别是在较低温度或者较高温度时变化更大),因此半导体的霍尔系数受到温度的影响也较大。绝缘体没有霍尔效应。
扩展资料:
电压所引致的电场力会平衡洛伦兹力。通过霍尔电压的极性,可证实导体内部的电流是由带有负电荷的粒子(自由电子)之运动所造成。除导体外,半导体也能产生霍尔效应,而且半导体的霍尔效应要强于导体。
当固体导体放置在一个磁场内,且有电流通过时,导体内的电荷载子受到洛伦兹力而偏向一边,继而产生电压(霍尔电压)的现象。
参考资料来源:百度百科-霍尔系数
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