资策会MIC表示，2013年第一季全球半导体市场从谷底回升，然而在终端应用产品销售成长趋缓之下，全年仅为持平至小幅成长的发展态势， 但是，台湾晶圆代工产业受益于先进制程业务之成长，台湾业者具客户和产能优势，因此有相对较高之成长潜力，在客户出货成长带动下，2013年将呈现明显成长态势，全年产值可望达到新台币6,079亿元，年成长15%。
台湾IC设计产业受惠于中低价Smartphone等市场的成长，再加上我国业者在电视SoC 的全球市占率提升下，第二、三季相关产品陆续配合客户新机上市量产，2013年我国IC设计产值将可温和成长4.2%，达新台币4,152亿元。
个人回答是9N可以,但要求高点.尺寸半导体我只搞过3"4"5"6"8"12"报道有14"以上即超过350mm的,不过我没拉过半导体单晶都要求掺杂,9N和11N一般用来标识的是原生硅多晶的纯度.非要用这个标识的话,重掺可以忽略.参B拉过上限50的,掺杂在10e-9数量级,大约8N..掺P目标100(这个有点记不清了,50左右肯定拉过,8N),掺杂数量级在10e-10,大约9N......10N意味着掺B1400以上电阻率,掺P430以上电阻率(数据有可能估算错误,仅供参考),原生多晶硅12N已经很吊了.您所要求的是拉制,就是切氏法.麻烦在于石英坩埚和热场气氛带来的影响,按照我以前的选择,坩埚应该采用GE坩埚的相应类型,低碱金属的好像是2尾号,记不清了.石墨热场要纯化过且不能PN互换,还要有其他措施防污染......按我的想法,10N切氏法纯粹实验室也许可以,工业生产估计没厂家会去干----没试过.不想找虐!!!不过区熔应该会可能性高点.
中国在半导体领域投入的研发是非常大的，根据相关机构做的数据统计，每一年，国内的科技公司几乎在半导体领域投入了几十亿的资金，用于对半导体的研发，这么大的资金投入使得近几年以来，我国对于半导体的研究更加深入。而且，为了能够更好的弄清楚半导体结构和原理，我国联合多所重点大学一起联合攻关，专门培养一些研究电子产品的专业人才，毕业后将他们送到这些半导体研发中心，从事专业的科技研发工作，可以说，我国对于半导体的投入，不论是人力，还是物力都是非常的大的。
在未来，我相信，在众多科学家的共同努力下，在所有人的期盼下，我国对于半导体的研发能够取得更大的进步，获得更优异的成绩，能够摆脱外国科技公司对于半导体产品的垄断局面，帮助我们提高自己的科技实力。
随着社会生活的发展，我们越来越发现，科技越是发展，我们的生活就会变得越来越好，我们的经济发展就会变得越来越快。社会的高速发展离不开科技发展的推动，可以说，科学技术有着巨大的生产力。以前的时候，是农业社会，经济发展缓慢，人们的生活水平比较低。但是，在进入了工业社会后，人们开始在科学技术的帮助下，生产制造一些工具，帮助我们的生活过的越来越好。
在科学技术的推动下，我们对于半导体领域的研究也是越发深入。半导体是很多高精密仪器所必须拥有的一个部件，可以说，如果没有半导体，很多大型计算机可能无法完成计算工作。近几年，我国对于半导体的研发投入非常的大，成绩也是有目共睹的。
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