半导体热电材料的制备方法

半导体热电材料的大致有如下几种：

(1)粉末冶金法。宜于大批量生产，材料的机械强度高且成分均匀，易于制成各种形状的温差电元件，其缺点是破坏了结晶方位，材料密度较小，从而不能获得高的热电性能。

(2)熔体结晶法。设备 *** 作简单，严格控制可获得单晶或由几个大晶粒组成的晶体，材料性能较好。缺点是不宜大批量生产，材料的机械强度差，切割的材料耗损较大。

(3)连续浇铸法。宜于大批量生产。缺点是设备费用大，且不易控制。

(4)区域熔炼法。可获得高质量的单晶材料，杂质分布均匀。缺点是价格昂贵，不宜大批量生产。

(5)单晶拉制法。可获得高质量的单晶，但单晶炉的结构比较复杂。缺点是不适宜大批量生产。

(6)外延法制取薄膜。该法目前用于Bi2Te3薄膜生长。

在单晶炉中将高纯多晶硅加热融化。并在单晶炉中形成一定的温度梯度场，而且保持熔融的硅页面违规惊奇的特定凝固键，在江子君归影像熔融的硅页面，然后一边旋转一边提拉熔融，就在同一方向凝固生长得到单晶硅棒。

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