PL光致发光测试原理是什么，哪位大侠请帮我详细讲讲？

光致发光是半导体的一种发光现象，利用光照射到材料表面，其电子吸收光子而跃迁到高能级，出于高能级的电子不稳定，会回落到低能级，同时伴随着能级差的能量以光辐射的形式发射出来。这个过程就是光致发光，即PL。

由于间接带隙半导体材料（比如说Si）的发光需要声子的参与，导致其发光较直接带隙（比如说ZnO）的来说弱很多。那么，做间接带隙材料的低温光致发光谱又有什么特殊的意义？低温下，声子的作用就被大大的削弱，于是，在低温下看到的发光谱就是同一k点（比如布里渊区中心）的复合发光嘛？如果是这样，在低温光致发光谱中反而体现不出间接带隙材料的带隙（因为导带底和价带顶不在同一k点）

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