1、在半导体制造过程中,常用低压氮化硅(lpsin)沉积技术将二氯二氢硅(dcs)与氨气(nh3)按一定比例在真空下生长氮化硅介质膜(sin膜),使用标准的石英舟载片在真空下进行作业。
2、现有的二氯二氢硅与氨气按一定比例在真空下生长氮化硅介质膜,需要进行高温加热,故采用硅烷与氨气在室温下生长氮化硅介质膜即可,不需要加热。
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1、在半导体制造过程中,常用低压氮化硅(lpsin)沉积技术将二氯二氢硅(dcs)与氨气(nh3)按一定比例在真空下生长氮化硅介质膜(sin膜),使用标准的石英舟载片在真空下进行作业。
2、现有的二氯二氢硅与氨气按一定比例在真空下生长氮化硅介质膜,需要进行高温加热,故采用硅烷与氨气在室温下生长氮化硅介质膜即可,不需要加热。
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