半导体中名词“wafer”“chip”“die”的联系和区别是什么？

一、名词解释：

wafer：晶圆；是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形。

chip：芯片；是半导体元件产品的统称。

die：裸片 ；是硅片中一个很小的单位，包括了设计完整的单个芯片以及芯片邻近水平和垂直方向上的部分划片槽区域。

二、联系和区别：

                                                            一块完整的wafer

wafer为晶圆，由纯硅（Si）构成。一般分为6英寸、8英寸、12英寸规格不等，晶片基于wafer上生产出来。Wafer上一个小块晶片晶圆体学名die，封装后成为一个颗粒。一片载有Nand Flash晶圆的wafer首先经过切割，测试后将完好的、稳定的、足容量的die取下，封装形成日常所见的Nand Flash芯片。

                                                     die和wafer的关系

品质合格的die切割下去后，原来的晶圆成了下图的样子，是挑剩下的Downgrade Flash Wafer。残余的die是品质不合格的晶圆。黑色的部分是合格的die，会被原厂封装制作为成品NAND颗粒，而不合格的部分，也就是图中留下的部分则当做废品处理掉。

                                                          筛选后的wafer

扩展资料：

集成电路芯片的生命历程：芯片公司设计芯片——芯片代工厂生产芯片——封测厂进行封装测试——整机商采购芯片用于整机生产。

芯片供应商IDM：是集芯片设计、制造、封装和测试等多个产业链环节于一身的企业。

芯片供应商Fabless：是没有芯片加工厂的芯片供应商，Fabless自己设计开发和推广销售芯片，与生产相关的业务外包给专业生产制造厂商。与Fabless相对应的是Foundry和封测厂，主要承接Fabless的生产和封装测试任务，封测厂有日月光，江苏长电等。

参考资料：百度百科-晶圆

百度百科-芯片

百度百科-裸片

蚀刻：蚀刻(etching)是将材料使用化学反应或物理撞击作用而移除的技术。蚀刻的原理是氧化还原反应中的置换反应：2AgNo3+Cu=Cu(No3)*2+2Ag。利用蚀刻液与铜层反应,蚀去线路板上不需要的铜,得到所要求的线路。蚀刻技术可以分为湿蚀刻(wet etching)和干蚀刻(dry etching)两类。

曝光：经光源作用将原始底片上的图像转移到感光底板（即PCB）上。

蚀刻曝光就是通过曝光制版、显影后，将要蚀刻区域的保护膜去除，在蚀刻时接触化学溶液，达到溶解腐蚀的作用，形成凹凸或者镂空成型的效果。

显影：显影是在印刷、影印、复印、晒图等行业中，让影像显现的一个过程。通过碱液作用，将未发生光聚合反应之感光材料部分冲掉。显影包括正显影和反转显影。

扩展资料：

英文中的蚀刻一词“Etching”源自于古日耳曼语“吃”，是指利用带有腐蚀性的酸将图案“啃”入坚硬的金属表面。蚀刻被广泛运用于奢侈品，特别是像武器这样本身就是坚久耐用的物品。该技术能在金属表面创造出具有高度装饰性的浅浮雕，而又不影响其结构的完整性。

酸能利用化学反应溶解金属。借此在金属表面蚀刻出图案，便可以替代劳动密集型且技术要求更高的手工雕刻。法国学者耶罕·勒贝格在1531年写下了酸浸蚀铁的配方。他从水与醋的混合物中提炼出出氯化铵、普通的明矾和硫酸亚铁。基本原则大体是：金属被蚀刻时先要彻底清洗，之后图上一层耐酸物质。

这被称作为“抗蚀层”。在蜡层中刻出图案，使底下的金属部分显露出来。制备好的金属材料被浸渍在盐酸或者硝酸溶液中，直至其暴露的区域被刻蚀到所需的深度。之后将抗蚀层清除，就可展现出蚀刻的成品样子。烫金或者发黑都可以被用于突出图案。金属蚀刻制品上的图案往往比传统雕刻更方便而代价更少。

显影就是在复印机、打印机中显影就是用带电的色粉使感光鼓上的静电潜像转变成可见的色粉图像的过程。显影包括正显影和反转显影。正显影时，显影色粉所带电荷的极性，与感光鼓表面静电潜像的电荷极性相反。显影时，在感光鼓表面静电潜像是场力的作用下，色粉被吸附在感光鼓上。

静电潜像电位越高的部分，吸附色粉的能力越强；静电潜像电位越低的部分，吸附色粉的能力越弱。对应静电潜像电位（电荷的多少）的不同，其吸附色粉量也就不同。多用在模拟复印机中。反转显影中，感光鼓与色粉电荷极性相同。

显影时，通过感光鼓和显影辊之间的电场作用，碳粉被吸到感光鼓曝光区域。其中曝光部位电位低于显影辊表面电位低于感光鼓未曝光部位电位。多用在数码复合机与激光打印机中。

参考资料1：百度百科-蚀刻

参考资料2：百度百科-显影

---