半导体突然闪崩！主力抛售逾86亿元，发生了什么？

8月2日，A股迎来了探底回升大涨走势。截至收盘，沪指涨1.97%报3464点，深成指涨2.2%报14798点，创业板指涨1.5%报3493点。

盘面上，行业板块普遍上涨，盐湖提锂、饮料制造、航空发动机、白酒概念、国防军工、 汽车 整车、动物疫苗、水泥、猪肉等板块涨幅居前钢铁、煤炭开采加工、MCU芯片、鸿蒙概念、有色、半导体、MINILED、中芯国际概念等板块跌幅居前。

个股方面全面普涨，上涨个股高达3507家，下跌个股只有824家，涨停个股高达122家，市场赚钱效应较强。成交方面，沪深两市合计成交额1.5万亿，为连续第九个交易日在万亿上方，北向资金净流入51.84亿元，连续4日净流入。

535亿主力资金撤离A股 119股遭抛售超亿元

越声攻略梳理数据发现，截止收盘，今日共有2482只个股大单资金净流出，合计净流出额535亿元，其中有712只个股的大单净流出超千万元，119只个股遭抛售超亿元。

具体来看，北方稀土净流出资金规模高居首位，今日大单净流出高达16.99亿元，排在第二位的是天齐锂业，净流出额为11.18亿，第三位是阳光电源，净流出额为10.69亿。

另有润和软件、赣锋锂业、三安光电、包钢股份、北方华创、士兰微、南大光电、盛新锂能、五矿稀土等9只股票的大单净额流出均在5亿以上。

8月2日大单净流出超亿元的个股：

半导体突然闪崩！主力抛售逾86亿元，发生了什么？

值得注意的是，盘初还一度强势的半导体突然闪崩，主力资金全天大幅流出该板块86亿元，再次成为了亏钱效应最明显的板块。

截至今日收盘，半导体概念股乐鑫 科技 、全志 科技 跌逾14%，思瑞浦、斯达半导、北京君正跌幅超9%，富瀚微、晶丰明源、芯海 科技 、圣邦股份、北方华创、兆易创新、明微电子等均大幅下挫。

资金流方面，半导体板块内共有28只个股净流出额过亿。其中北方华创遭主力净流出最多，金额达6.65亿元，紧随其后的是士兰微和南大光电，净流出分别为6.31亿元、6.02亿元。此外，全志 科技 、北京君正、长电 科技 、韦尔股份、上海贝岭、国民技术均遭主力净流出逾3亿元。

今日半导体板块突然遭到重挫，主要原因一方面可能是获利资金短期有了结意愿外，另外一方面或与周末半导体行业分析师“怒怼”中芯国际光刻胶技术负责人有关。

8月2日大单净流出超亿元的半导体概念股：

逾509亿资金抄底 105股获亿元低吸单

主力资金大规模离场的同时，也有不少资金趁机低吸，今日沪深两市共计509亿元主力资金入场抄底，其中有605只个股净流入超千万，有105只个股更是获得超亿元资金追捧。

具体来看，最受主力资金追捧的是比亚迪、三一重工、东方财富、五粮液、贵州茅台，分别获得31.27亿、19.79亿、12.13亿、10.90亿、10.27亿的大单净流入。

另外，潍柴动力、通威股份、中航西飞、天赐材料、江淮 汽车 、广发证券、汇川技术、美的集团、京东方A、用友网络、中远海控、TCL 科技 、航发动力等13只个股的大单净额流入资金均超4亿元以上。

值得注意的是，今日证券板块集体异动拉升，主力资金大幅流入。其中东方证券直线拉升封板，主力净流入额3.79亿元广发证券、兴业证券、中金公司等涨超6%，主力净流入额分别为5.13亿元、3.49亿元、12.13亿元。对于今日券商股的集体上涨，或许与市场开始高低切换有关，属于超跌品种的补涨。

8月2日大单净流入超亿元的个股：

对于后市投资方向，机构纷纷发表看法。

浙商证券：A股开启慢牛时代，波动较大但调整时间缩短，指数慢牛但分部牛市常态化，因此我们认为：短期来看，周一至周三市场集中消化热门赛道的压力后，将重新回归稳态，开启结构牛市进一步展望下半年，随着半导体和券商发力，上证有望更上层楼。

中信证券：配置上，建议在成长制造和价值消费间保持均衡。一方面，建议在成长板块里从高位的赛道转向相对低位的赛道，包括军工、5G、通信设备龙头。另一方面，可以逐步提前左侧布局当下估值调整非常充分的部分消费和医药板块，包括 汽车 、服务机器人、服装、珠宝饰品、啤酒、次高端白酒、医美等。

【免责声明】以上内容皆为客观资料，仅供参考，不作为投资建议，据此 *** 作，风险自负！

在5月1日汕尾市区的一个半导体有限公司发生了一起作业人员在清洗水箱时由于 *** 作不当发生的窒息身亡的案件，案件导致4人死亡。而后广东省的安委办以及广东省应急管理厅都介入了调查5月1号的这起事故。

事故发生是在2021年的5月1号上午，因为信利半导体有限公司和汕尾精新科技有限公司之前签订了合约合约规定，将他们的第2厂区的一个水房的水箱里面的水管连接，件的更换和水箱的修补，以及水箱的一些清洗作业都委托给另外一方，所以在这天上午，汕尾金鑫科技有限公司的4名作业人员就来到了水箱作业区域，准备进行水箱的水管连接件和水箱里面的一些修补作业。

但是没有想到的是这4名作业人员，由于他们的培训并没有足够到位，他们并没有真正落实在有限空间作业的一些重要规定。这项规定是在有限空间作业的时候，一定要先通风再检测再作业。他们并没有进行通风后再作业，而且也并没有检测好供氧含量就进行了作业进入到了水箱里面，而水箱本身就是个有限空间。在后续检测发现，当时的水箱内部含氧量仅为7.5%。这个含氧量是明显低于适合作业的环境的，如果他们遵循规则先通风再检测了的话，水箱里的含氧量不应该只有这么低，也就不会造成人员的伤亡了。

这件事故之后，广东省安委办以及广东省应急管理厅都在五一节前，其实反复的发布了文件，强调要做好清洁作业和设备检修作业的一些作业，重点环节的安全防范，但是依然发生了这起因为 *** 作不当发生的事故。这件事情也暴露出来一些企业并没有真正地遵守安全规定，对于一些外包工作的管理是有很大的问题的，很多公司自己公司也许会管理比较多，但是对于外包公司和作业来说，却存在着一些思想上的不重视，而且管理上的忽视，这样子就很容易造成一些严重事故。

根据后续的调查发现对于立信半导体有限公司来说，他们和清洗公司签订合约的时候，也没有签订相关的安全生产的一个管理协议，所以两边公司对于安全教育工作都没有做到位。且调查发现该清理公司实际上的固定工作人员非常的少，他们大部分是临时聘用员工来进行维修清洗的作业，而这些临时聘用的员工，该公司也并没有进行完成系统的安全培训，导致员工的安全意识非常的欠缺，安全技能也非常的薄弱，这也是导致这项事故的重要原因之一。

而半导体公司本身公司的安全管理也是非常的混乱，整体的安全管理的主体责任落实得不到位，没有根据相关法律法规设置专门的安全管理人员和部门。对于规定的有限空间作业里面需要配备的应急安全设备，该公司也没有配备到位。而且该公司对于外包作业的监管审批以及实施都有的不作为和作为不当的过错。

半导体的发现实际上可以追溯到很久以前。

1833年，英国科学家电子学之父法拉第最先发现硫化银的电阻随着温度的变化情况不同于一般金属，一般情况下，金属的电阻随温度升高而增加，但巴拉迪发现硫化银材料的电阻是随着温度的上升而降低。这是半导体现象的首次发现。

不久，1839年法国的贝克莱尔发现半导体和电解质接触形成的结，在光照下会产生一个电压，这就是后来人们熟知的光生伏特效应，这是被发现的半导体的第二个特征。

1873年，英国的史密斯发现硒晶体材料在光照下电导增加的光电导效应，这是半导体又一个特有的性质。

半导体的这四个效应，(jianxia霍尔效应的余绩──四个伴生效应的发现)虽在1880年以前就先后被发现了，但半导体这个名词大概到1911年才被考尼白格和维斯首次使用。而总结出半导体的这四个特性一直到1947年12月才由贝尔实验室完成。

在1874年，德国的布劳恩观察到某些硫化物的电导与所加电场的方向有关，即它的导电有方向性，在它两端加一个正向电压，它是导通的；如果把电压极性反过来，它就不导电，这就是半导体的整流效应，也是半导体所特有的第三种特性。同年，舒斯特又发现了铜与氧化铜的整流效应。

扩展资料：

人物贡献:

1、英国科学家法拉第(MIChael Faraday，1791~1867)

在电磁学方面拥有许多贡献，但较不为人所知的，则是他在1833年发现的其中一种半导体材料。

硫化银，因为它的电阻随着温度上升而降低，当时只觉得这件事有些奇特，并没有激起太大的火花；

然而，今天我们已经知道，随着温度的提升，晶格震动越厉害，使得电阻增加，但对半导体而言，温度上升使自由载子的浓度增加，反而有助于导电，这也是半导体一个非常重要的物理性质。

2、德国的布劳恩(Ferdinand Braun，1850~1918)。

注意到硫化物的电导率与所加电压的方向有关，这就是半导体的整流作用。

但直到1906年，美国电机发明家匹卡(G. W. PICkard，1877~1956)，才发明了第一个固态电子元件：无线电波侦测器(cat’s whisker)，它使用金属与硅或硫化铅相接触所产生的整流功能，来侦测无线电波。

在整流理论方面，德国的萧特基(Walter Schottky，1886~1976)在1939年，于「德国物理学报」发表了一篇有关整流理论的重要论文，做了许多推论，他认为金属与半导体间有能障(potential barrier)的存在，其主要贡献就在于精确计算出这个能障的形状与宽度。

3、布洛赫(Felix BLOCh，1905~1983)

在这方面做出了重要的贡献，其定理是将电子波函数加上了周期性的项，首开能带理论的先河。

另一方面，德国人佩尔斯(Rudolf Peierls， 1907~ ) 于1929年，则指出一个几乎完全填满的能带，其电特性可以用一些带正电的电荷来解释，这就是电洞概念的滥觞；

他后来提出的微扰理论，解释了能隙(Energy gap)存在。

参考资料来源：百度百科-半导体

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