半导体掺杂

先更正一下，不是自由电子，而是载流子，半导体的特性就在于此，电子/空穴是受控制的，不是自由移动的。

对本征激发当然有影响了，怎么会没有影响呢，你是从那看到的！

本征激发严格上来讲是在本征半导体中发生的，但在高温下掺杂半导体中同样会发生本征激发，P的掺入改变了材料能带结构，肯定会对本征激发有影响的

在本征半导体中掺入某些微量元素作为杂质，可使半导体的导电性发生显著变化。掺入的杂质主要是三价或五价元素。掺入杂质的本征半导体称为杂质半导体。制备杂质半导体时一般按百万分之一数量级的比例在本征半导体中掺杂。也叫掺杂半导体。http://www.big-bit.com

这两种减小半导体电阻的方法没有本质上的区别，都是增加载流子的数量，但

1.掺入杂质如果是三价的元素，则是形成P型半导体，只增加空穴载流子的数量；如果是五价的元素，则是形成N型半导体，只增加电子载流子的数量。

2.提高温度同时增加电子载流子的数量和空穴载流子的数量，电子和空穴是成对出现的。

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