半导体器件课后作业的两道题，那位专家能解答一下~~貌似给出的选项是矛盾的。。。。

两题都是围绕 爱因斯坦方程 D/u = KT/q 展开的D 载流子（电子或空穴）扩散系数，u 载流子迁移率 KT/q除T温度外其他为常数。常温下（20摄氏度293k） KT/q=0.026ev 这个要记住，常用第一题 0.026*1500=39，常温下为39400k下用比例计算最方便，应为扩散系数与温度正比，X/39=400/293，X=53这个53是精确值，题目的52是常温按照300k来计算的，你可以自己试试看哦第二题一个道理，先计算常温时的迁移率，39/X=0.026（又用到了，只要记住，非常方便），X=1500这回迁移率和温度反比，我们用300k来计算，1500/Y=400/300 ，Y=1125通过这两个题我想你一定就掌握爱因斯坦方程的运用了吧~~

1金原子一般做复合中心，是深能级杂志

2都是整流，都是正向随着qv指数增加反向几乎饱和，肖特基结比pn导电能力强，无论正反。开启电压pn大，0.6v。pn借功耗大。（2）肖特基对于正向导电是多子器件，载流子无存储，没有寿命的问题，没有寿命，没有扩散电容，所以适合高频。pn正向时，少子器件，电荷存储效应，有电容，不适合高频。

4见2，以为主要是电子在起作用，多子起作用，因为金半接触嘛！

5

这个可以用作图法

用这个公式

在excel里做个图

with respect to the valence band energy level的意思是，根据价带和导带的能级写出费米能级

因为你计算得到的都是费米能级和导带或者禁带的差值，必须用实际的导带或者禁带的值减去或者加上这个差值才是实际的值

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