什么是IGBT，中国成功研制出8英寸IGBT的意义

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件, 兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。

IGBT模块是由IGBT（绝缘栅双极型晶体管芯片）与FWD（续流二极管芯片）通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品；封装后的IGBT模块直接应用于变频器、UPS不间断电源等设备上；

由于电子工业基础薄弱、技术门槛高等原因，我国大功率IGBT器件一度开发滞后，相关技术长期被ABB、英飞凌、三菱等国外公司控制，轨道交通用IGBT曾一度全部依赖进口。

近年来，世界范围内IGBT器件发展迅速，特别是中国发展速度最快，成为IGBT器件最大消费国。未来随着国家节能减排、加强自主创新能力等政策的引导和支持，市场的需求量逐年迅猛增长。据统计，目前我国IGBT年需求量已超过75亿元，而且每年以30%以上的速度增长。我国的技术进步和产业升级对IGBT器件有着很强的依赖性，国内IGBT市场供不应求。有关资料预测，到2020年，仅轨道交通电力牵引每年IGBT模块的市场规模不低于10亿元；此外，智能电网市场也将不低于4亿元。

中国成功研制出8英寸IGBT的意义：智能电网、高铁建设、新能源汽车以及家电节能等本土市场，更为企业的技术突破，实现IGBT的替代创造了坚实的市场基础。尤其是节能与新能源是国家发展新兴科技产业的重点，而IGBT则是节能与新能源领域核心器件，所以IGBT产业化不仅仅是市场需求，同时也是国家发展的战略需求。发改委于2010年3月19日下发红头文件：《国家发展改革委办公厅关于组织实施2010年新型电力电子器件产业化专项的通知》，其专项重点明确了以IGBT为代表的芯片和器件的设计开发及产业化、功率模块产业化。这说明国家对目前功率半导体国产化的现状已有比较深刻的认识和危机意识

品牌型号：华为MateBook D15

系统：Windows 11

bjt指的就是双极型二极管，它是一个“两结三端”电流控制器件。

双极型晶体管是一种电流控制器件，电子和空穴同时参与导电。同场效应晶体管相比，双极型晶体管开关速度慢，输入阻抗小，功耗大。双极型晶体管体积小、重量轻、耗电少、寿命长、可靠性高，已广泛用于广播、电视、通信、雷达、计算机、自控装置、电子仪器、家用电器等领域，起放大、振荡、开关等作用。

晶体管是一种固体半导体器件（包括二极管、三极管、场效应管、晶闸管等，有时特指双极型器件），具有检波、整流、放大、开关、稳压、信号调制等多种功能。晶体管作为一种可变电流开关，能够基于输入电压控制输出电流。与普通机械开关（如Relay、switch）不同，晶体管利用电信号来控制自身的开合，所以开关速度可以非常快，实验室中的切换速度可达100GHz以上。

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