海力士详细资料大全

Hynix 海力士晶片生产商，源于韩国品牌英文缩写"HY"。海力士即原现代记忆体，2001年更名为海力士。海力士半导体是世界第三大DRAM制造商，也在整个半导体公司中占第九位。

基本介绍公司名称 ：海力士 外文名称 ：Hynix 总部地点 ：韩国 经营范围 ：半导体 年营业额 ：266.37亿美元（2018年）  缩写 ：HY 世界500强 ：第442名 （2018年） 年利润 ：94.14亿美元（2018年）  历史沿革,市场概况,市场地位,市场前景,发展过程,企业事件, 历史沿革 海力士为原来的现代记忆体,2001年更名为海力士。 海力士 2012年更名SK hynix。 海力士半导体在1983年以现代电子产业有限公司成立，在1996年正式在韩国上市，1999年收购LG半导体，2001年将公司名称改为(株)海力士半导体,从现代集团分离出来。2004年10月将系统IC业务出售给花旗集团，成为专业的存储器制造商。2012年2月，韩国第三大财阀SK集团宣布收购海力士21.05%的股份从而入主这家记忆体大厂。 市场概况 市场地位 在韩国有4条8英寸晶圆生产线和一条12英寸生产线，在美国俄勒冈州有一条8英寸生产线。2004年及2005年全球DRAM市场占有率处于第二位，中国市场占有率处于第一位。在世界各地有销售法人和办事处，共有员工15000人.海力士（Hynix）半导体作为无形的基础设施，通过半导体，竭尽全力为客户创造舒适的生活环境。海力士半导体致力生产以DRAM和NAND Flash为主的半导体产品。 市场前景 海力士半导体以超卓的技术和持续不断的研究投资为基础，每年都在开辟已步入纳米级超微细技术领域的半导体技术的崭新领域。另外，海力士半导体不仅标榜行业最高水平的投资效率，2006年更创下半导体行业世界第七位，步入纯利润2万亿韩元的集团等，正在展现意义非凡的增长势力。海力士半导体不仅作为给国家经济注入新鲜血液的发展动力，完成其使命，同时不断追求与社会共同发展的相生经营。海力士半导体为发展成为令顾客和股东满意的先导企业，将尽心尽责，全力以赴。 发展过程 2013年11月15日海力士在无锡增资25亿美元，此次签约的五期项目将从29纳米提升至25纳米级,并争取提升 至10纳米级,预计到2016年完成该项技术升级。 2013年09月4日下午3:30左右，无锡Hynix厂房起火，原因未知。 2012年02月韩国第三大财阀SK集团入主Hynix，更名SKhynix。 2009年05月 成立中国无锡市后续工程合作社 04月 世界最先开发低耗电-高速(Low Power-High Speed) Mobile 1Gb DDR2 DRAM 03月 世界最先发表8GB 2-Rank DDR3 R-DIMM 产品认证 02月世界最先开发44nm DDR3 DRAM 01月 世界最先获得关于以伺服器4GB ECC UDIMM用模组为基础的超高速DDR3的英特尔产品认证。 2008年 12月 世界最先开发2Gb Mobile DRAM 11 月引进业界最高速7Gbps、1Gb GDDR5 Graphics DRAM 08月 清州第三工厂的300mm组装厂竣工 世界最先推出使用MetaRAMtm 技术的16 GB 2-Ran kR-DIMM 为引进崭新而创新性NAND快闪记忆体存储器产品及技术的Numonyx及海力士的努力扩大 05月 与ProMOS公司签署关于加强长期战略性合作的修改案 04月 为撤回对海力士DRAM的相计关税的EU理事会的措施表示欢迎开发出世界最高速Mobile LPDDR2 02月 引进2-Rank 8GB DDR2 RDIMM 01月 签署关于在对下一代不挥发性存储器技术的共同R&D程式上进行合作的契约 2008年发表00MHz、1GB/2GB UDIMM 产品认证 2007年12月成功发行国际可兑换券(global convertible notes) 11月WTO做出判决海力士进口晶片相关报复性关税一案，日本败诉。与SiliconFile公司签署CIS事业合作协定，获得对 1Gb DDR2 DRAM的英特尔产品认证，业界最先开发1Gb GDDR5 DRAM 10月与Ovonyx公司签署关于PRAM的技术及许可证契约与环境运动联合(韩国)签署关于在环境管理上进行合作的契约 09月以24层叠晶片(stacked chips)，世界最先开发NAND快闪记忆体MCP 08月开发出业界最高速、最小型1Gb Mobile DRAM 07月发表企业中长期总体规划 05月业界最先获得关于DDR3 DRAM的英特尔产品认证 04月DOC H3开始大量生产在韩国清州300mm设施开工实现最高水平的营业利润率 03月开发出世界最高速ECC Mobile DRAM发表“生态标记(ECO Mark)”与Toshiba签署半导体特许商户许可证及供应契约 与SanDisk就特许商户许可证契约达成协定及签署关于对x4技术建立合作公司的谅解备忘录(MOU)金钟甲就任新任 代表理事、社长 01月开发出以“晶圆级封装(Wafer Level Package)”技术为基础的超高速存储器模组 2006年创下最高业绩及利润 2006年12月业界最先发表60nm 1Gb DDR2 800MHz基础模组，开发出世界最高速200MHz 512Mb Mobile DRAM 10月创下创立以来最高业绩，通过海力士ST半导体(株)的竣工，构建国际性生产网路 09月300mm研究生产线下线 03月业界最先获得英特尔对80nm 512Mb DDR2 DRAM的产品认证 01月发表与M-Systems公司的DOC H3共同开发计画(快闪记忆体驱动器内置的新型DiskOnChip) 2005年12月 世界最先开发512Mb GDDR4、业界最高速度及最高密度Graphics DRAM 11月 业界最先推出JEDEC标准8GB DDR2 R-DIMM 07月 提前从企业重组完善协定中抽身而出 04月 海力士-意法半导体有限公司在中国江苏无锡举行开工典礼 03月 发布2004年财务报表，实现高销售利润 01月 与台湾茂德科技签订战略性合作伙伴协定 2004年11月 与意法半导体公司（STMicroelectronics)签订关于在中国合资建厂的协定 08月 与中国江苏省无锡市签订关于在中国建厂合作协定 07月 获得公司成立以来最大的季度营业利润 06月 签订非记忆体事业营业权转让协定 03月 行业首次开发超高速DDR SDRAM 550MHz 1G DDR2 SDRAM获得Intel的认证 02月 成功开发NAND快闪记忆体 2003年12月 宣布与PromMOS签署长期的战略性MOU 08月 宣布发表在DRAM行业的第一个1Gb DDR2问世。 07月 宣布在世界上首次发表DDR500 06月 512M DDR400产品在DRAM业内首次获得因特尔的认证 05月 采用0.10微米工艺技术投入生产，超低功率256Mb SDRAM投入批量生产 04月 宣布与STMicroelectronics公司签定协定合作生产NAND快闪记忆体 03月 发表世界上第一个商用级的mega-level FeRAM 2002年11月 出售HYDIS， TFT-LCD业务部门 10月 开发0.10微米、512MB DDR 08月 在世界上首次开发高密度大宽频256MB的DDR SDRAM 06月 在世界上首次将256MB的SDR SDRAM运用于高终端客户 03月 开发1G DDR DRAM模组 2001年08月 开发世界上速度最快的128MB DDR SDRAM 08月 完成与现代集团的最终分离 07月 剥离CDMA移动通信设备制造业务‘Hyundai Syscomm’ 05月 剥离通信服务业务‘Hyundai CuriTel’ 剥离网路业务‘Hyundai Neorks’ 03月 公司更名为“Hynix半导体有限公司” 2000年08月 剥离显示屏销售业务‘Hyundai Image Quest’ 04月 剥离电子线路设计业务‘Hyundai Auto’ 1999年10月 合并LG半导体有限公司，成立现代半导体株式会社 03月 出售专业的半导体组装公司（ChipPAC） 1998年09月 开发64M的DDR SDRAM 1997年05月 在世界上首次开发1G SDRAM 1996年12月 公司股票上市 1989年11月 完成FAB III 09月 开发4M的DRAM 1988年11月 在欧洲当地设立公司（HEE） 01月 开发1M的DRAM 1986年06月 举行第一次员工文化展览会“Ami Carnical” 04月 设立半导体研究院 1985年10月 开始批量生产256K的DRAM 1984年09月 完成FAB II-A 1983年02月创立现代电子株式会社，公司概要展望商业领域主要历程可持续经营，持续经营报告书伦理经营，伦理经营宣言伦 理纲领组织介绍实践体系产业保全方针线上举报公司标志 企业事件 2013年9月4日下午3点半左右，无锡新区海力士公司的生产车间发生气体泄漏，引发车间屋顶排气管洗涤塔管道的保护层着火。无锡消防200多名官兵赶至现场扑救，截至当日18点，明火已全部扑灭。从车间疏散出人员中，1人受轻微外伤，另有10余人去医院进行呼吸道检查，均无大碍。火灾发生后，无锡市委主要领导作出批示，市 *** 和无锡新区领导第一时间赶赴现场组织开展灭火救援，市环保部门迅速组织对企业周边环境、空气品质情况进行检测。火灾原因仍在调查中。 2013年9月初发生在无锡新区SK海力士的一场大火已经过去了几个月，这场大火尽管没有人员伤亡，但其影响却很大，比如在国内晶片市场和保险市场方面。 昨日（12月19日），有险企人士向《每日经济新闻(微博)》记者透露，SK海力士大火报损约10亿美元，保险业估损将达9亿美元，这将是国内最大的一笔保险赔案。 据《中国保险报》此前报导，SK海力士5家承保公司中各自的份额分别为：现代保险占比50%，人保财险占比35%，大地保险、太平洋产险、乐爱金财险各占5%。 上述险企人士进一步介绍称，该案件各家保险公司基本上都办理了再保险，主要涉及的再保险公司包括：韩国再保险、瑞士再保险、慕尼黑再保险等，而这个案例会影响到直保和再保险财险公司的承保利润，同时也将会导致半导体行业来年费率以及再保险费率的上涨。 SK海力士大火的首席承保人是韩国现代财险，国内的人保财险和太平洋产险等13家公司都险都参与其中。SK海力士火灾的最终赔付金额已确认在9亿美元，这是国内保险史上的最大一笔理赔案。江苏省保监局保险财产保险监管处处长王雷介绍，现在的进展情况是正在运行之中，已经预付了大约3亿美金。13家大型保险公司都在为这起火灾承担赔付，这也将推高今年企业财产险的相关保费。 2018年5月31日，中国反垄断机构对三星、海力士、美光位于北京、上海、深圳的办公室展开突然调查，三大巨头有碍公平竞争的行为以及部分企业的举报推动了中国反垄断机构发起此次调查。 根据美光、三星、海力士财报统计，2017财年，三家公司的半导体业务在中国营收分别为103.88亿美元、253.86亿美元、89.08亿美元，总计446.8亿美元，同比2016财年的321亿美元增长39.16%。

半导体概念想必大家都有一个初步认识，不少的机构投资者都特别看好半导体，里面最看好的还属蔡经理。半导体概念之中，三安光电实际上是我们国内中的光电领域的龙头的位置被不少人看中，下面我来为大家讲解一下投资这只股票是不是正确的选择。

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一、从公司角度来看

公司介绍：三安光电股份有限公司从事的内容主要就是化合物半导体材料的研发与应用,以砷化镓、氮化镓、碳化硅、磷化铟、氮化铝、蓝宝石等半导体新材料所涉及的外延片、芯片为核心主业。公司是国家人事部评定的博士后工作站和国家级企业技术中心，公司曾获得国家科学技术进步奖一等奖,二等奖等多个奖项。国家科技部及信息产业部给予了公司"半导体照明工程龙头企业"的称号。公司现拥有MOCVD设备产能规模居国内首位。简单帮大家分析了三安光电后，下面将从亮点入手分析三安光电是否还值得投资。

亮点一：LED芯片龙头，加速布局化合物半导体

三安光电这家企业是全球LED芯片的龙头企业，多年发展之后已经实现了全品类完整布局。公司在LED行业里面具备着压倒性的竞争优势，营收额在2020年度就已经超过84.54亿元，形成13.32%的同比增长，领先第二名晶元光电一倍以上。

2014年公司开始在以第三代半导体为主的化合物半导体领域中打拼，现在成功布局了氮化镓、砷化镓、氮化硅、等多种化合物半导体。其中化合物半导体平台-三安集成营收额增长迅猛，从2017年至2020年已增长到9.74亿元。随着公司产业布局的进一步加快，化合物半导体的发展将有可能促使公司业绩进一步提升。

亮点二：Mini LED需求增加，公司持续受益

三星、LG、TCL、小米等企业相继推出Mini LED背光电视,苹果推出搭载 Mini-LED 背光屏 iPad Pro 产品，Mini LED或迎来大规模应用。在Mini LED方面，公司处于行业领先水平，已成为三星首要供应商并实现批量供货。另外，湖北三安 Mini/Micro显示芯片产业化项目部分产能也已投产运行，受到产能扩张的大环境影响，公司将实现营收规模和盈利能力的全面改善。

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二、从行业角度看

十四五规划提到要对人工智能、量子信息、集成电路等项目进行扶持，这个不用怀疑对公司是非常好的。近年来，美国不断与其他国家联合起来对中国进行高科技封锁，格外限制出口中国的设备、技术，由此也就放大了半导体技术国产化在国内市场的需求，也从旁推动了国内半导体全产业链的发展。还有就是，从2020年开始，行业的需求明显变强了，行业正在走过低谷迎来全新的景气周期，同时，Mini LED渗透速度很快，未来几年行业将迎来爆发阶段，三安光电作为LED芯片企业集大成者，将得到快速发展。

总之，三安光电公司的实力不容小觑，叠加行业的快速发展，有进一步上升的空间。但是文章具有一定的滞后性，如果想更准确了解三安光电未来情况，想进一步了解诊投，直接点击链接，看一下三安光电的估值是高还是低：【免费】测一测三安光电现在是高估还是低估？

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半导体概念想必大家都有一个初步认识，蔡经理以及很多机构的投资者都很看好，最看好的还是蔡经理。半导体概念之中，三安光电实际上是我们国内中的光电领域的龙头的位置被不少人看中，下面我来具体讲解一下这只股票是不是值得大家入手的。

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一、从公司角度来看

公司介绍：三安光电股份有限公司专注于合物半导体材料的研发与应用,以砷化镓、氮化镓、碳化硅、磷化铟、氮化铝、蓝宝石等半导体新材料所涉及的外延片、芯片为核心主业。公司是国家人事部评定的博士后工作站和国家级企业技术中心，公司之前取得过过国家科学技术进步奖一等奖，二等奖等多个奖项。通过国家科技部及信息产业部认定，公司有了"半导体照明工程龙头企业"的称号。公司现拥有MOCVD设备产能规模居国内首位。简单帮大家分析了三安光电后，下面我们从三安光电的优势开始分析，看看它还值不值得投资。

亮点一：LED芯片龙头，加速布局化合物半导体

三安光电可谓是全球LED芯片龙头企业，全品类完整布局在多年发展的作用下形成了。公司在LED行业具有绝对领先优势，2020年的营收额是84.54亿元，同比增长的数值是13.32%，领先第二名晶元光电一倍以上。

2014年公司开始在以第三代半导体为主的化合物半导体领域中打拼，此刻已经实现氮化镓、砷化镓、氮化硅、等多种化合物半导体的布局。其中化合物半导体平台-三安集成营收额增长迅猛，从2017年至2020年已增长到9.74亿元。随着公司继续加快布局，化合物半导体有望推动公司业绩再攀高峰，

亮点二：Mini LED需求增加，公司持续受益

三星、LG、TCL、小米等企业相继推出Mini LED背光电视,苹果推出搭载 Mini-LED 背光屏 iPad Pro 产品，Mini LED或迎来大规模应用。在Mini LED方面，公司处于行业领先水平，已成为三星首要供应商并实现批量供货。另外，湖北三安 Mini/Micro显示芯片产业化项目部分产能也已投产运行，随着产能的进一步释放，公司将实现营收规模和盈利能力的全面改善。

因为篇幅有限制，三安光电的深度报告和风险提示比较多，我总结在这篇研报里面，点击能够立马查看：【深度研报】三安光电点评，建议收藏！

二、从行业角度看

十四五规划提到要对人工智能、量子信息、集成电路等项目进行扶持，这个无疑是利好。近年来，美国不断联合另其他家封锁中国的高科技发展，对出口中国的设备、技术进行严格限制，这也加大了国内市场半导体技术国产化的需求，也从另一方面促进了国内半导体全产业链的发展。另外，自打2020年以来，行业的需求与日俱增，行业正在度过低谷翻开景气周期的新篇章，同时，Mini LED渗透速度很快，未来几年行业将迎来爆发阶段，三安光电作为LED芯片的企业先锋，发展广阔。

如上所述，三安光电公司是一个强大的科技公司，叠加行业的快速发展，有进一步上升的空间。文章只是让你基本了解了三安光电，如果想更清楚地知道三安光电未来的状态，直接点击链接，有专业的投顾帮你诊股，了解三安光电估值是多少：【免费】测一测三安光电现在是高估还是低估？

应答时间：2021-12-09，最新业务变化以文中链接内展示的数据为准，请点击查看

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