安纳思半导体预计建厂时间

安纳思半导体建厂时间在2022年10月19日。相关公开资料显示显示，安纳思半导体成立于2022年10月19日，注册资本1.5亿美元，英国注册公司ANNEXSEMICONDUCTORLIMITED为实控人，持股比例为55％。

据财联社的报道，三星电子正准备于2022年第四季度或2023年初在河内开设新的研发中心，并计划扩大在越南的零部件生产。 三星希望越南的泰阮工厂可以在2023年7月开始大规模量产芯片。

作为全球第一梯队的 科技 公司，其实不只是三星，苹果也早已开始进行了产业转移。 虽然目前大部分iPhone 的制造订单都在国内完成，但苹果和库克正在有意识地在越南和印度等地区开发 iPhone 产能。AirPods 和 iPads 的部分产能已转移至越南，iPhone 13 的生产也已在印度开始。但是，中国的产业工人群体在亚洲有着明显的优势，其庞大的人口数量是东南亚无法比拟的。 并且地方政府积极配合苹果，愿意确保苹果供应商有充足的土地、劳动力和资源供应。

早前分析师郭明錤发文称，过去苹果的供应链管理主要集中在质量和成本上，但现在日益增长的地缘政治风险正在造成去全球化，这增加了供应链的复杂性和不确定性。

事实上也确实如此。现在的国外基本上已经实现了共存，已经全面的开放，基本上不用担心生产停滞等问题。而我国的政策则是“动态清零”，就如同现在的三亚一般。一旦出现大规模疫情的爆发，整个城市就会陷入停滞。一旦像今年上半年一般出现在上海这样的经济中心，其后果是企业无法承担得起的。

而这样的后果就是导致工厂的转移，失去大量的工作岗位。随着我国的发展，在中国建厂的成本显然要比过去高上不少。三星约 60% 的智能手机是在越南生产的。 截至 2022 年 6 月，三星已在越南投资超过 200 亿美元，约为最初承诺的 28 倍。

不过我们也有应对措施，正在逐渐的从“中国制造”转变为“中国智造”。具体的效果如何，还是交给时间来评判吧。

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1947年，美国贝尔实验室发明了半导体点接触式晶体管，从而开创了人类的硅文明时代。

1956年，我国提出“向科学进军”，根据国外发展电子器件的进程，提出了中国也要研究半导体科学，把半导体技术列为国家四大紧急措施之一。中国科学院应用物理所首先举办了半导体器件短期培训班。请回国的半导体专家黄昆、吴锡九、黄敞、林兰英、王守武、成众志等讲授半导体理论、晶体管制造技术和半导体线路。在五所大学――北京大学、复旦大学、吉林大学、厦门大学和南京大学联合在北京大学开办了半导体物理专业，共同培养第一批半导体人才。培养出了第一批著名的教授：北京大学的黄昆、复旦大学的谢希德、吉林大学的高鼎三。1957年毕业的第一批研究生中有中国科学院院士王阳元（北京大学微电子所所长）、工程院院士许居衍（华晶集团中央研究院院长）和电子工业部总工程师俞忠钰（北方华虹设计公司董事长）。

1957年，北京电子管厂通过还原氧化锗，拉出了锗单晶。中国科学院应用物理研究所和二机部十局第十一所开发锗晶体管。当年，中国相继研制出锗点接触二极管和三极管（即晶体管）。

1958年，美国德州仪器公司和仙童公司各自研制发明了半导体集成电路（IC）之后，发展极为迅猛，从SSI（小规模集成电路）起步，经过MSI（中规模集成电路），发展到LSI（大规模集成电路），然后发展到现在的VLSI（超大规模集成电路）及最近的ULSI（特大规模集成电路），甚至发展到将来的GSI（甚大规模集成电路），届时单片集成电路集成度将超过10亿个元件。

1959年，天津拉制出硅（Si）单晶。

1960年，中科院在北京建立半导体研究所，同年在河北建立工业性专业化研究所――第十三所（河北半导体研究所）。

1962年，天津拉制出砷化镓单晶（GaAs），为研究制备其他化合物半导体打下了基础。

1962年，我国研究制成硅外延工艺，并开始研究采用照相制版，光刻工艺。

1963年，河北省半导体研究所制成硅平面型晶体管。

1964年，河北省半导体研究所研制出硅外延平面型晶体管。

1965年12月，河北半导体研究所召开鉴定会，鉴定了第一批半导体管，并在国内首先鉴定了DTL型（二极管――晶体管逻辑）数字逻辑电路。1966年底，在工厂范围内上海元件五厂鉴定了TTL电路产品。这些小规模双极型数字集成电路主要以与非门为主，还有与非驱动器、与门、或非门、或门、以及与或非电路等。标志着中国已经制成了自己的小规模集成电路。

1968年，组建国营东光电工厂（878厂）、上海无线电十九厂，至1970年建成投产，形成中国IC产业中的“两霸”。

1968年，上海无线电十四厂首家制成PMOS（P型金属－氧化物半导体）电路（MOSIC）。拉开了我国发展MOS电路的序幕，并在七十年代初，永川半导体研究所（现电子第24所）、上无十四厂和北京878厂相继研制成功NMOS电路。之后，又研制成CMOS电路。

七十年代初，IC价高利厚，需求巨大，引起了全国建设IC生产企业的热潮，共有四十多家集成电路工厂建成，四机部所属厂有749厂（永红器材厂）、871（天光集成电路厂）、878（东光电工厂）、4433厂（风光电工厂）和4435厂（韶光电工厂）等。各省市所建厂主要有：上海元件五厂、上无七厂、上无十四厂、上无十九厂、苏州半导体厂、常州半导体厂、北京半导体器件二厂、三厂、五厂、六厂、天津半导体（一）厂、航天部西安691厂等等。

1972年，中国第一块PMOS型LSI电路在四川永川半导体研究所研制成功。

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