具体参数为:Impulse Voltage 650V;Trigger Current 200mA。
SDI保护电路参数:
GDT: 2031-23T-SM-RPLF 、 TBU® High-Speed Protector:
TBU-CA065-100-WH 及 TVS Diode: CDSOD323-T05LC。将电路制造在半导体芯片表面上的集成电路又称薄膜(thin-film)集成电路。另有一种厚膜(thick-film)集成电路(hybrid integrated circuit)是由独立半导体设备和被动组件,集成到衬底或线路板所构成的小型化电路。
从1949年到1957年,维尔纳·雅各比(Werner Jacobi)、杰弗里·杜默(Jeffrey Dummer)、西德尼·达林顿(Sidney Darlington)、樽井康夫(Yasuo Tarui)都开发了原型,但现代集成电路是由杰克·基尔比在1958年发明的。其因此荣获2000年诺贝尔物理奖,但同时间也发展出近代实用的集成电路的罗伯特·诺伊斯,却早于1990年就过世。
8050是型号
SS8050是大电流的8050,最大电流1.5A。Y1是这个产品管体上打的丝印,代表这个型号,可以在三极管的管体上看到。
S8050是小电流的8050,最大电流800mA。J3Y也是管体丝印,代表该类型型号。
三级管定义
三极管,全称应为半导体三极管,也称双极型晶体管、晶体三极管,是一种控制电流的半导体器件其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号, 也用作无触点开关。晶体三极管,是半导体基本元器件之一,具有电流放大作用,是电子电路的核心元件。三极管是在一块半导体基片上制作两个相距很近的PN结,两个PN结把整块半导体分成三部分,中间部分是基区,两侧部分是发射区和集电区,排列方式有PNP和NPN两种。
三级管分类
按材质分: 硅管、锗管
按结构分: NPN 、 PNP。如图所示。c.按功能分: 开关管、功率管、达林顿管、光敏管等.
按功率分:小功率管、中功率管、大功率管
按工作频率分:低频管、高频管、超频管
按结构工艺分:合金管、平面管
按安装方式:插件三极管、贴片三极管
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