直流四探针法测量半导体的电阻率的原理是什么？有什么需要注意的嘛？

意思就是要用欧姆表去直接测量. 欧姆表就是自身产生一个弱电流, 去测量探针两端的电压, 然后和自身的体电阻比较, 最后给出电阻值. 但是这对于半导体是不准确的, 半导体电阻无法用两根探针测量的主要原因是:

1．接触电阻的影响严重。探针与半导体接触产生一定厚度的耗尽层，耗尽层是高阻的, 另外探针和半导体之间不像与金属之间一样很好的接触, 还会产生一个额外的电阻, 称为扩展电阻，两者都是接触电阻，通常都很大. 半导体的实际电阻相对于它们越小, 测量结果就越不准确.

2．存在少子电注入.

专用方法：四探针法, 两根探针输入测量电流, 另外两根探针测量电压分布.

要是懂电流计, 电压计和电阻计的原理, 就能更明白了.

为了在定形纯铝棒材（35 mm×Φ1.0 mm）上制取既薄、完整，又均匀、致密且电绝缘强度较高的绝缘膜，首先根据阳极化电解原理，测定了铝棒半球形端的极化曲线，获得了在50~60 ℃温度环境下铝绝缘膜稳定生长的区域在3~13 V之间这一重要的工艺条件；然后给出了铝电探针阳极化的步骤和相应的工艺参数。从而摸索出可批量生产适于液体冲击压缩实验的、性能一致性好、可靠性高的冲击波速度探测器的实验方法。同时，分析了电解系统温度条件以及沸水封孔工艺对强化铝绝缘膜的物理性质和电绝缘强度的影响。由此工艺可均匀地制得厚度在4~15 μm之间的Al2O3薄膜，在给定温度下制得平均厚度为6 μm的电探针耐直流电压为250 V、1 min，在液氮温度（77 K）下静置4 h后绝缘膜的物理外观和电绝缘强度都未发生变化。借助300 N·m冲击力发生器，测得该类探针的开关一致性不大于±20 ns。在较高冲击压力下，该特性有望得到进一步改善。

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