对PN结施加正向电场(但不构成回路)会使已达平衡的PN结界面的分布电荷重新排列组合,从而达到一个新的平衡的PN结电场。
重新平衡后的PN结厚度较之之前的变薄。
在半导体上外加与电流方向垂直的磁场,会使得半导体中的电子与空穴受到不同方向的洛伦兹力而在不同方向上聚集,在聚集起来的电子与空穴之间会产生电场,电场力与洛伦兹力产生平衡之后,不再聚集,此时电场将会使后来的电子和空穴受到电场力的作用而平衡掉磁场对其产生的洛伦兹力,使得后来的电子和空穴能顺利通过不会偏移,这个现象称为霍尔效应。而产生的内建电压称为霍尔电压。p型半导体上加正偏压,其中的空穴(多子)会在电场作用下向金属端移动,金属中含有的自由电子向p型半导体端移动,并在界面处被复合,金半结导通。p型半导体上加负偏压,界面处在电场作用下耗尽曲变宽,金半结不导通,仅有很小的漏电流。
欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
评论列表(0条)