东微半导是一家工业及 汽车 领域应用的半导体企业，在高压超级结、中低压SGT功率器件、IGBT芯片领域中，实现了国产化。
与比亚迪半导体一样，作为炙手可热的车载芯片，东微半导IPO备受瞩目，其背后的投资阵容非常亮眼，包含了哈勃投资、中芯聚源、中兴创投以及元禾控股等。
结缘英飞凌 科技
东微半导的法定代表人为龚轶，其与王鹏飞是联合创始人。上市前，王鹏飞实控东微半导，持股比例达到16.0872%，龚轶持股13.2791%。
履历显示，龚轶出生于1976年6月，硕士毕业于英国纽卡斯尔大学。与半导体结缘，发生在1999年7月，龚轶担任美国超微半导体公司工程部工程师。
2004年9月，龚轶转投到德国英飞凌 科技 ，这是全球领先的半导体公司之一，前身为西门子集团的半导体部门。在 汽车 电子与芯片卡部门，龚轶做技术专家，一做就是3年。
2008年9月，龚轶与王鹏飞共同创办东微有限。
王鹏飞与龚轶有着相同的经历，也来自于英飞凌 科技 。凑巧的是，王鹏飞也出生于1976年，其为德国慕尼黑工业大学博士。2004年7月，在德国英飞凌 科技 ，担任存储器研发中心研发工程师一职。
值得一提的是，王鹏飞还于2009年7月起，担任复旦大学微电子学院教授，是国家高层次人才特殊支持计划领军人才入选者。
或许是两人年龄一样，背景相似，两位工程师在车载芯片上发生了交集。
成立东微半导后，王鹏飞为首席技术官，带领刘磊、刘伟及毛振东进行研发。其中，刘磊硕士毕业于安徽大学电路与系统学院，曾任职华润上华半导体 科技 ，担任工艺整合工程师。有意思的是，另一核心研发人员毛振东，也任职过华润上华 科技 ，为技术开发部工程师。
而龚轶则一直做总经理，负责东微半导的业务。按东微半导的话来说，公司核心技术人员均为半导体相关专业毕业，从事半导体技术开发和项目管理工作超过10年，有着丰富的产品开发经验和项目管理经验。
缺芯潮席卷 “充电桩芯片”第一股成色几何？
核心技术人员都是半导体行业出生，东微半导成色如何？
营收数据显示，2018-2020年东微半导分别实现1.53亿元、1.96亿元、3.09亿元，分别增长28%、57%。同时，公司还预计2021年度，营业收入为7.72亿元至8.03亿元，同比增长150％至160％。
营收大增的背后，是新能源 汽车 充电桩、通信电源、光伏逆变器等终端市场需求提升，公司产品规模增长所致。
细察发现，东微半导专注新能源 汽车 直流充电桩、5G基站电源及通信电源等领域，为国内少数专注工业级高压超级结MOSFET领域的高性能功率半导体厂商。
2019年度，东微半导MOSFET器件的平均销售单价为2.19元/颗，高于同行业的平均单价1.19元/颗。在缺芯潮下，2021年1-6月，MOSFET器件单价变为3.06元/颗，增长35.40%，为东微半导芯片中，变动幅度最大的产品。
中低压屏蔽栅MOSFET的平均单价则为1.16/颗，增长4.50%，而与比亚迪半导体一样，研发的TGBT半导体，单价则为9.10元/颗。
不过，值得注意的是，超级硅MOSFET单价却为2.81元/颗，反而同比增长-1.40%。
由于销售单价上涨，东微半导的MOSFET器件毛利率也随之上涨。2021年1-6月，该品类毛利率达到26.87%，较2020年的17.89%增长50%。
不过，在业务结构中，东微半导与士兰微和新洁能相近。士兰微主营MOSFET、IGBT半导体分立器件；新洁能则做沟槽型功率MOSFET、超级结功率MOSFET的。
2021年1-6月，两者对应的毛利率超过30%，分别为31.60%和36.93%。对应的生产模式，士兰微是IDM模式，即从设计、制造、封装测试到销售自有品牌，新洁能则以Fabless模式为主。
华为的第6个IPO来了，做VC最高回报超50倍
对于东微半导来说，哈勃投资的入局并不算太早。2020年7月，哈勃投资才向东微半导入股7530万元，对应持股比例为6.5913%，但哈勃投资为战略投资。
此前，东微半导曾发生过3次增资及3次股权转让。聚源聚芯、中芯国际的VC趁此进入。
根据披露，哈勃投资入股是看好东微半导所处行业及未来发展，入股价格为22.6075元/股，对应5053.2275的总股本，这意味着投后估值为11亿元。
2月10日，东微半导首日开盘涨13%，市值近百亿，回报近6倍。
这不是哈勃投资第一次在VC投资上，获取丰厚回报。
2022年1月12日，哈勃投资迎来了第5个IPO。其以1.1亿元投资天岳先进，持有10%股份。而哈勃投资介入的该轮融资投前估值为10亿元。
哈勃投资进入4个月后，天岳先进又进行了3.5亿元的融资，三家机构入场，这次投前估值涨到了18亿元。随着天岳先进的上市，哈勃投资在这笔投资中，回报倍数达到20倍。
此外，思瑞浦、灿勤 科技 、东芯股份、炬光 科技 ，均是哈勃投资投出的IPO。数据显示，从2019年成立，哈勃投资已经拿下了6个IPO。并且华为做VC，也发生了第一笔退出，减持480亿元芯片龙头。
或许是VC投资做的风生水起，哈勃投资也正式进军私募。1月19日，“中基协”公示了哈勃投资的私募基金管理人信息，公司于今年1月14日正式登记为私募股权、创业投资基金管理人。
股权穿透显示，实控人、大股东是华为投资控股有限公司工会委员会，持股99.25%，任正非持股0.75%。
在半导体领域上，哈勃投资还在不断加码。2021年以来，先后投资了苏州晶拓半导体、深迪半导体、东莞市天域半导体、杰华特微电子、上扬软件等等。
对于哈勃投资的成立，华为轮值董事长郭平曾谈说，华为的核心业务是聚焦在联接和计算，但贸易摩擦下，专门成立了哈勃投资，通过投资和华为的技术去帮助整个产业链。
截至目前，哈勃投资的公司中，纳芯微、好达电子、长光华芯等均已经过会。可以预见，一个“硬 科技 VC”巨头正在升起。
日前，华为旗下哈勃投资入股山东天岳的消息，以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）为代表的第三代半导体材料再次走入大众视野，引起业界重点关注。
事实上，随着半导体技术不断进步，对半导体器件性能、效率、小型化要求的越来越高，传统硅半导体材料逐渐无法满足性能需求，碳化硅、氮化镓等第三代半导体材料凭借着优异的性能，早已成为当前世界各国竞相布局的焦点，我国在加速发展集成电路产业的同时，把发展第三代半导体技术列入国家战略。
如今5G时代到来，将推动半导体材料实现革命性变化。其中，氮化镓器件以高性能特点广泛应用于通信、国防等领域，其市场需求有望在5G时代迎来爆发式增长。风口来临，我国目前有哪些企业在布局？下面将从衬底、外延片、制造及IDM几大分类盘点国内氮化镓主要企业。
GaN衬底企业
东莞市中稼半导体 科技 有限公司
东莞市中镓半导体 科技 有限公司成立于2009年1月，总部设于广东东莞，总注册资本为1.3亿元人民币，总部设立厂房办公区等共17000多平方米，并在北京有大型研发中心，为中国国内一家专业生产氮化镓衬底材料的企业。
官网显示，中镓半导体已建成国内首家专业的氮化镓衬底材料生产线，制备出厚度达1100微米的自支撑GaN衬底，并能够稳定生产。2018年2月，中镓半导体实现4英寸GaN自支撑衬底的试量产。
东莞市中晶半导体 科技 有限公司
东莞市中晶半导体 科技 有限公司成立于2010年，是广东光大企业集团在半导体领域继中镓半导体、中图半导体后布局的第三个重点产业化项目。
中晶半导体主要以HVPE设备等系列精密半导体设备制造技术为支撑，以GaN衬底为基础，重点发展Mini/MicroLED外延、芯片技术，并向新型显示模组方向延展；同时，中晶半导体将以GaN衬底材料技术为基础，孵化VCSEL、电力电子器件、化合物半导体射频器件、车灯封装模组、激光器封装模组等国际前沿技术，并进行全球产业布局。
苏州纳维 科技 有限公司
苏州纳维 科技 有限公司成立于2007年，致力于氮化镓单晶衬底的研发与产业化，实现了2英寸氮化镓单晶衬底的生产、完成了4英寸产品的工程化技术开发、突破了6英寸的关键技术，现在是国际上少数几家能够批量提供2英寸氮化镓单晶产品的单位之一。
据官网介绍，目前纳维 科技 GaN单晶衬底产品已提供给300余家客户使用，正在提升产能向企业应用市场发展，重点突破方向是蓝绿光半导体激光器、高功率电力电子器件、高可靠性高功率微波器件等重大领域。
镓特半导体 科技 （上海）有限公司
镓特半导体 科技 （上海）有限公司成立于2015年4月，主要从事大尺寸的高质量、低成本氮化镓衬底的生长，以推动诸多半导体企业能够以合理价来购买并使用氮化镓衬底。镓特半导体已自主研发出HVPE设备，并用以生长高质量的氮化镓衬底。
官网显示，借助自主研发的HVPE设备，镓特半导体已成功生长出4英寸的自支撑氮化镓衬底。镓特半导体表示，未来几年内将建成全球最大的氮化镓衬底生长基地，以此进一步推广氮化镓衬底在半导体材料市场上的广泛应用，并将依托自支撑GaN衬底进行中下游的高端LED、电力电子及其他器件的研发和制造。
GaN外延片企业
苏州晶湛半导体有限公司
苏州晶湛半导体有限公司成立于2012年3月，致力于氮化镓（GaN）外延材料的研发和产业化。2013年8月，晶湛半导体开始在苏州纳米城建设GaN外延材料生产线，可年产150mm氮化镓外延片2万片；2014年底，晶湛半导体发布其商品化8英寸硅基氮化镓外延片产品。
官网介绍称，截至目前，晶湛半导体已完成B轮融资用于扩大生产规模，其150mm的GaN-on-Si外延片的月产能达1万片。晶湛半导体现已拥有全球超过150家的著名半导体公司、研究院所客户。
聚能晶源（青岛）半导体材料有限公司
聚能晶源（青岛）半导体材料有限公司成立于2018年6月，专注于电力电子应用的外延材料增长。针对外延材料市场，聚能晶源正在开发硅基氮化镓材料生长技术并销售硅基氮化镓外延材料作为产品。
2018年12月，聚能晶源成功研制了达到全球业界领先水平的8英寸硅基氮化镓（GaN-on-Si）外延晶圆。该型外延晶圆在实现了650V/700V高耐压能力的同时，保持了外延材料的高晶体质量、高均匀性与高可靠性，可以完全满足产业界中高压功率电子器件的应用需求。
北京世纪金光半导体有限公司
北京世纪金光半导体有限公司成立于2010年12月，经过多年发展，世纪金光已成为集半导体单晶材料、外延、器件、模块的研发、设计、生产与销售于一体的、贯通第三代半导体全产业链的企业。
在碳化硅领域，世纪金光已实现碳化硅全产业链贯通，氮化镓方面，官网显示其目前则以氮化镓基外延片为主。
聚力成半导体（重庆）有限公司
聚力成半导体（重庆）有限公司成立于2018年9月，是重庆捷舜 科技 有限公司在大足区设立的公司。2018年9月，重庆大足区政府与重庆捷舜 科技 有限公司签约，拟在重庆建设“聚力成外延片和芯片产线项目”。
2018年11月，聚力成半导体（重庆）有限公司举行奠基仪式，项目正式开工。该项目占地500亩，计划投资50亿元，将在大足高新区建设集氮化镓外延片、氮化镓芯片的研发与生产、封装测试、产品设计应用为一体的全产业链基地。2019年6月5日，该项目一期厂房正式启用，预计将于今年10月开始外延片的量产。
GaN制造企业
成都海威华芯 科技 有限公司
成都海威华芯 科技 有限公司成立于2010年，是国内首家提供6英寸砷化镓/氮化镓微波集成电路的纯晶圆代工企业。据了解，海威华芯由海特高新和央企中电科29所合资组建，2015年1月，海特高新以5.55亿元收购海威华芯原股东股权，并以增资的方式取得海威华芯52.91%的股权成为其控股股东，从而涉足高端化合物半导体集成电路芯片研制领域。
海威华芯6英寸第二代/第三代半导体集成电路芯片生产线已于2016年8月投入试生产。官网显示，海威华芯已开发了5G中频段小于6GHz的基站用氮化镓代工工艺、手机用砷化镓代工工艺，发布了毫米波频段用0.15um砷化镓工艺。砷化镓VCSEL激光器工艺、电力电子用硅基氮化镓制造工艺在2019年也取得了较大的进展。
厦门市三安集成电路有限公司
厦门市三安集成电路有限公司成立于2014年，是LED芯片制造公司三安光电下属子公司，基于氮化镓和砷化镓技术经营业务，是一家专门从事化合物半导体制造的代工厂，服务于射频、毫米波、功率电子和光学市场，具备衬底材料、外延生长以及芯片制造的产业整合能力。
三安集成项目总规划用地281 亩，总投资额30亿元，规划产能为30万片/年GaAs高速半导体外延片、30万片/年GaAs高速半导体芯片、6万片/年GaN高功率半导体外延片、6万片/年GaN高功率半导体芯片。官网显示，三安集成在微波射频领域已建成专业化、规模化的4英寸、6英寸化合物晶圆制造产线，在电子电路领域已推出高可靠性、高功率密度的SiC功率二极管及硅基氮化镓功率器件。
华润微电子有限公司
华润微电子有限公司是华润集团旗下负责微电子业务投资、发展和经营管理的企业，亦是中国本土具有重要影响力的综合性微电子企业，其聚焦于模拟与功率半导体等领域，业务包括集成电路设计、掩模制造、晶圆制造、封装测试及分立器件，目前拥有6-8英寸晶圆生产线5条、封装生产线2条、掩模生产线1条、设计公司3家，为国内拥有完整半导体产业链的企业。
2017年12月，华润微电子完成对中航（重庆）微电子有限公司（后更名为“华润微电子（重庆）有限公司”）的收购，重庆华润微电子采用8英寸0.18微米工艺技术进行芯片生产，并在主生产线外建有独立的MEMS和化合物半导体工艺线，具备氮化镓功率器件规模化生产制造能力。
杭州士兰微电子股份有限公司
杭州士兰微电子股份有限公司成立于成立于1997年，专业从事集成电路芯片设计以及半导体相关产品制造，2001年开始在杭州建了第一条5英寸芯片生产线，现已成为国内集成电路芯片设计与制造一体（IDM）企业。
近年来，士兰微逐步布局第三代化合物功率半导体。2017年，士兰微打通一条6英寸的硅基氮化镓功率器件中试线。2018年10月，士兰微厦门12英寸芯片生产线暨先进化合物半导体生产线开工，其中4/6英寸兼容先进化合物半导体器件生产线总投资50亿元，定位为第三代功率半导体、光通讯器件、高端LED芯片等。
GaN IDM企业
苏州能讯高能半导体公司
苏州能讯高能半导体有限公司成立于2011年，致力于宽禁带半导体氮化镓电子器件技术与产业化，为5G移动通讯、宽频带通信等射频微波领域和工业控制、电源、电动 汽车 等电力电子领域等两大领域提供高效率的半导体产品与服务。
能讯半导体采用整合设计与制造（IDM）的模式，自主开发了氮化镓材料生长、芯片设计、晶圆工艺、封装测试、可靠性与应用电路技术，目前公司拥有专利256项。该公司在江苏建有一座氮化镓（GaN）电子器件工厂，厂区占地55亩，累计投资10亿元。
江苏能华微电子 科技 发展有限公司
江苏能华微电子 科技 发展有限公司成立于2010年6月，是由国家千人计划专家朱廷刚博士领衔的、由留美留澳留日归国团队创办的一家专业设计、研发、生产、制造和销售以氮化镓为代表的复合半导体高性能晶圆、以及用其做成的功率器件、芯片和模块的高 科技 公司。
能华微电子先后承担了国家电子信息产业振兴和技术改造专项的大功率GaN功率电子器件及其材料的产业化项目、国家重点研发计划战略性先进电子材料重点专项的GaN基新型电力电子器件关键技术项目等。2017年，能华微电子建成8英寸氮化镓芯片生产线并正式启用。
英诺赛科（珠海） 科技 有限公司
英诺赛科（珠海） 科技 有限公司成立于2015年12月，该公司采用IDM 全产业链模式，致力于打造一个集研发、设计、外延生长、芯片制造、测试与失效分析为一体的第三代半导体生产平台。2017年11月，英诺赛科的8英寸硅基氮化镓生产线通线投产，成为国内首条实现量产的8英寸硅基氮化镓生产线，主要产品包括30V-650V氮化镓功率与5G射频器件。
2018年6月，总投资60亿元的英诺赛科苏州半导体芯片项目开工，今年8月30日项目主厂房封顶，预计12月底生产设备正式进厂，2020年可实现规模化量产。该项目聚焦在氮化镓和碳化硅等核心产品，将打造将成为集研发、设计、外延生产、芯片制造、分装测试等于一体的第三代半导体全产业链研发生产平台。
大连芯冠 科技 有限公司
大连芯冠 科技 有限公司成立于2016年3月，该公司采用整合设计与制造（IDM）的商业模式，主要从事第三代半导体硅基氮化镓外延材料及电力电子器件的研发、设计、生产和销售，产品应用于电源管理、太阳能逆变器、电动 汽车 及工业马达驱动等领域。
官网介绍称，芯冠 科技 已建成首条6英寸硅基氮化镓外延及功率器件晶圆生产线。2019年3月，芯冠 科技 在国内率先推出符合产业化标准的650伏硅基氮化镓功率器件产品（通过1000小时HTRB可靠性测试），并正式投放市场。
江苏华功半导体有限公司
江苏华功半导体有限公司成立于2016年5月，注册资本为2亿元人民币，一期投入10亿元人民币。官网介绍称，目前公司已全面掌握大尺寸Si衬底高电导、高耐压、高稳定性的GaN外延技术并掌握具有自主知识产权的增强型功率电子器件制造技术。
根据官网显示，华功半导体可提供2英寸、4英寸、6英寸及8英寸GaN-on-Si功率电子器件用外延片产品，并基于华功自有知识产权的GaN-on-Si外延技术设计和制造，提供650V/5A-60A系列化高速功率器件。
关于集邦咨询（TrendForce）
集邦咨询(TrendForce)是一家横跨存储、集成电路与半导体、光电显示、LED、新能源、智能终端、5G与通讯网络、 汽车 电子和人工智能等领域的全球高 科技 产业研究机构。公司在行业研究、政府产业发展规划、项目评估与可行性分析、企业咨询与战略规划、媒体营销等方面积累了多年的丰富经验，是政企客户在高 科技 领域进行产业分析、规划评估、顾问咨询、品牌宣传的最佳合作伙伴。
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