什么是N、P型半导体？两种半导体制作在一起会产生什么现象？

半导体掺入杂质，产生出电子为多数载流子的，叫N型半导体；如果产生出空穴为多数载流子的，就叫P型半导体。

N、P型半导体通过工艺结合到一起时，由于载流子浓度差相互扩散，在两块半导体的结合部便形成由离子相互作用形成的一个内建电场

组成芯片的材料就是半导体，半导体介于导体与绝缘体之间，半导体有三大效应：

1、电阻效应：电阻值会随温度变化而变化，例如加热后导电。

2、光电导效应：电阻值会随光照强度变化而变化，例如光照后导电。

3、整流效应：半导体仅特定方向导电。

正是这三个效应使得半导体制成的晶体管能够将讯号电流放大，以及控制电流按特定方式通过，所以常被用作放大器或电控开关。当工厂将半导体材料制作成晶体管，然后封装在小小的硅片上时，这就是芯片，也被叫做集成电路。在看新闻、买基金产品的时候，看到的“半导体”，可以用于指材料，也可以用于指代芯片或整个产业。

   真空，指某一个容器中不含有任何物质（现实生活中并不存在真正的真空），通常我们把低于正常大气压的容器状态就叫做真空状态。绝大多数半导体工艺设备都需要真空。

  真空度，表示该容器中，气体的稀薄程度，通常用压力值表示。实际应用中，有绝对真空和相对真空两种说法。

  绝对真空，又可以叫做绝对压力，绝压，它是以理论真空为零位，表示比“理论真空”高出多少压力，该值都是正值，值越小，越接近绝对真空，真空度越高；即，值越小，气体越稀薄，真空度越高；通常该值的后面会用abs.作为后缀。 比如：真空度从高到底的顺序是1 mbar abs. >10 mbar abs. >1个 标准大气压。

  相对真空，又可以叫做表压，负压，是以大气压作为零位，表示比该零位低多少，用负值表示。该值越大，真空度越高，比如真空度从高到底依次是 -1000 mbar >-500 mbar >0 mbar (大气压）。

  通常，国内习惯用相对真空来标识真空度，因为相对真空的测量方法简单，测量仪器普遍（一般的真空表都是相对真空表），大家为了表达方便，会把相对真空前面的负号去掉，比如设备的真空度是0.1MPa，实际是-0.1MPa；再比如，如果我们购买真空表时，一般卖家会问，真空度用的是绝压还是表压，这时要考虑我们自己的需求了，一般情况下我们用的是表压，即相对真空。

---