半导体二极管伏安特性曲线

半导体二极管的核心是PN结，它的特性就是PN结的特性——单向导电性。用实验的方法，在二极管的阳极和阴极两端加上不同极性和不同数值的电压，同时测量流过二极管的电流值，就可得到二极管的伏一安特性曲线。

当正向电压很低时，正向电流几乎为零，P89LPC954FBD这是因为外加电压的电场还不能克服PN结内部的内电场，内电场阻挡了多数载流子的扩散运动，此时二极管呈现高电阻值，基本上还是处于截止的状态。

二极管伏安特性曲线

二极管伏安特性曲线加在PN结两端的电压和流过二极管的电流之间的关系曲线称为伏安特性曲线。

正向特性：u>0的部分称为正向特性。

反向特性：u<0的部分称为反向特性。

反向击穿：当反向电压超过一定数值U（BR）后，反向电流急剧增加，称之反向击穿。

势垒电容：耗尽层宽窄变化所等效的电容称为势垒电容Cb。

变容二极管：当PN结加反向电压时，Cb明显随u的变化而变化，而制成各种变容二极管。如图5所示。

以上内容参考：百度百科-伏安特性曲线

可以,半导体具有在不同电压下电阻不同的特性1、半导体处于导通状态,电阻非常小但根据伏安特性是有电阻存在的2、半导体处于截止状态,电阻非常大但电压加到一定程度时可以出现击穿3、半导体处于临界状态,电阻值根据伏安特性是可以计算的综上所述：半导体是可以用伏安测试仪测电阻的,只是不同状态,不同电压,正负方向电阻是不同的,所以,销售半导体的厂商,产品手册上提供伏安特性表,是一个平面坐标系.

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