隧道效应的半导体

隧道效应──微观粒子能透入按经典力学规律它不可能进入的势垒区，是反映微观粒子的波动性的一种基本效应。可以把半导体（或绝缘体）中的电子迁移现象理解为在外电场下，束缚在一个原子中的电子，通过隧道穿透势垒，到另一个原子中。不过，通常说的半导体中的隧道效应指的不是这种对原子势场的量子隧道效应。而是指电子对半导体中宏观势垒的穿透，这个宏观势垒是半导体的禁带造成的。C.齐纳在1934年最先提出，在外电场下,价带的电子可以穿过禁带进入导带。在禁带中电子波函数指数衰减（波矢是复数的），就和穿过势垒时相似；齐纳认为这是强场下半导体(或绝缘体)电击穿的一种原因。但实验表明，通常半导体电击穿过程中，这种原因（称齐纳击穿）只起很次要的作用。只有在某些特殊类型的PN结的反向击穿中，才有以齐纳击穿为主的情况。这种类型的PN结称齐纳二极管，或按其用途叫稳压二极管。通常是硅二极管。1957年江崎玲於奈发明了隧道二极管。它是高掺杂半导体形成的窄的PN结；当它加上前向偏压时,N区电子可以通过隧道效应，穿过禁带进入P区中价带的空状态。随所加的偏压增大，开始时隧道电流变大（可以进入的空状态增多）；随后到达极大值然后逐渐下降（可以进入的空状态减少），最后下降到零（可以进入的空状态没有了）。图2[隧道二极管伏安特性曲线]是隧道二极管的伏安特性曲线，以及对应各部分的PN结能带图。隧道二极管正向伏安特性中有一段负阻区，而且它还是一种多数载流子效应,没有渡越时间的限制,所以隧道二极管可用作低噪声的放大器、振荡器或高速开关器件，频率可达毫米波段。它作为器件的缺点是功率容量太小。隧道过程中,常常有电子－声子相互作用或电子-杂质相互作用参加。从隧道二极管的伏安特性上可分析出参与隧道过程的某些声子的频率。在势垒区中的光吸收或发射中,隧道效应也起着作用,这称夫兰克－凯尔德什效应。杂质的束缚电子态和能带中电子态之间的隧道也观察到。

江崎玲於奈的发明开创了研究固体中隧道效应的新阶段。因此，他和发现超导体中隧道现象的I.加埃沃、B.D.约瑟夫森一起获得了1973年诺贝尔物理学奖。金属半导体接触势垒（肖特基势垒）中的隧道现象也很有趣。1932年,A.H.威耳孙、.约飞'class=link>..约飞和..夫伦克耳企图用隧道电流来解释肖特基势垒的整流效应，但发现所预言的整流方向是错误的。不过，却发现有些高掺杂的肖特基势垒在小的前向偏压下，隧道电流是主要的电流机制。金属－绝缘体－半导体系统中隧道效应的研究也是有意义的。

经济学家Shleifer提出的“隧道效应”

Laffont他们研究的同时，Shleifer等从法律经济学的视角出发，提出了公司治理中的“隧道效应”理论。他们的分析认为：隧道效应即控股股东为了自己的利益从公司转移资产和利润的行为，这一理论比较好的解释了控股股东侵害中小股东的利益的现象。1997～1998年的亚洲金融危机提供了控股股东掠夺公司资源、侵害中小股东权益的许多案例。事实上，隧道效应不仅仅发生在新兴市场，有着完善的民法的发达国家同样有掠夺行为，而且这些掠夺行为可能还是合法的行为；而在新兴市场，隧道行为有时采取偷窃和欺诈的方式。这些理论的提出，使得合谋理论从组织间的研究，进一步拓展深入到公司治理领域；而转型经济中的公司治理，为合谋理论的理论和实证研究提供了一片沃土；此后的一系列相关实证研究更是进一步推动和验证了合谋理论。

隧道效应理论主要从控股股东掠夺中小股东权益的发生机制、掠夺的手段以及司法的介入的作用等方面做了理论和案例分析，当然也有许多实证和经验研究。但隧道效应理论在讨论控股股东掠夺的时候，一般比较少涉及到管理层，特别是控股股东和管理层的合谋侵害（掠夺）中小股东权益的情形。本来，现实中，掠夺得以进行，就必然需要管理层的合谋（或者说是协助）。此外，隧道效应理论也比较少的考虑信息的作用和交易成本的影响，而是比较多的考虑了法律的作用，这也是隧道效应理论的局限所在。但是，隧道效应理论对于公司治理、特别是新兴转型国家的公司治理还是很有开创性的理论意义与实际意义的。

7nm不是工艺极限，而是物理极限。要做个小于7nm的器件并不难，大不了用ebeam lith。但是Si晶体管小于7nm，隔不了几层原子，遂穿导致漏电问题就无法忽略，做出来也没法用。

芯片上集成了太多太多的晶体管，晶体管的栅极控制着电流能不能从源极流向漏极，晶体管的源极和漏极之间基于硅元素连接。随着晶体管的尺寸逐步缩小，源极和漏极之间的沟道也会随之缩短，当沟道缩短到一定程度时，量子隧穿效应就会变得更加容易。

晶体管便失去了开关的作用，逻辑电路也就不复存在了。2016年的时候，有媒体在网络上发布一篇文章称，“厂商在采用现有硅材料芯片的情况下，晶体管的栅长一旦低于7nm、晶体管中的电子就很容易产生量子隧穿效应，这会给芯片制造商带来巨大的挑战”。所以，7nm工艺很可能，而非一定是硅芯片工艺的物理极限。

现在半导体工业上肯定是优先修改结构，但是理论上60mV/decade这个极限是目前半导体无法越过的。真正的下一代半导体肯定和现在的半导体有着完全不同的工作原理，无论是TFET还是MIFET或者是别的什么原理，肯定会取代目前的半导体原理。

扩展资料

难点以及所存在的问题

半导体制冷技术的难点半导体制冷的过程中会涉及到很多的参数，任何一个参数对冷却效果都会产生影响。实验室研究中，由于难以满足规定的噪声，就需要对实验室环境进行研究。半导体制冷技术是基于粒子效应的制冷技术，具有可逆性。所以，在制冷技术的应用过程中，冷热端就会产生很大的温差，对制冷效果必然会产生。

其一，半导体材料的优质系数不能够根据需要得到进一 步的提升，这就必然会对半导体制冷技术的应用造成影响。

其二，对冷端散热系统和热端散热系统进行优化设计，依然处于理论阶段，没有在应用中更好地发挥作用，这就导致半导体制冷技术不能够根据应用需要予以提升。

其三，半导体制冷技术对于其他领域以及相关领域的应用存在局限性，所以，半导体制冷技术使用很少，对于半导体制冷技术的研究没有从应用的角度出发，就难以在技术上扩展。

其四，市场经济环境中，科学技术的发展，半导体制冷技术要获得发展，需要考虑多方面的问题。重视半导体制冷技术的应用，还要考虑各种影响因素，使得该技术更好地发挥作用。