我国半导体行业背后正在面临着哪些问题呢？

面临着一些制造上的突破。

前一段时间闹得很火的事情，美国以及公司为了抑制华为公司的发展，暂停向华为提供芯片的代工服务，这让华为一下失去了芯片的来源。我国的工业发展到今天已经算是很快了。

我国在半导体的设计方面已经实现了突破，有些设计和研发几乎已经达到了先进的水平，而我国在一些半导体芯片的制造上却存在一些不足，我国自己的芯片制造厂商依靠自己的技术实现的芯片制造比世界上最先进的水平相比还差好几个档次。

美国正是看到了我国的这一不足，采取禁止向我国华为公司提供芯片代工的技术，所以遏制了华为的发展。从这一个事件就可以看出，我们的不足不在于设计，不在于研发。我们在基础的制造上有很大的不足。

所以这个就是我们目前面临的很大的问题，在半导体芯片的制造上没有自己的设备，所以这个是我们目前需要亟待解决的问题。

国家看到这个问题之后也是很快出台了自己的措施，扶持半导体行业的发展，可能我们在一些研发上实现了一些突破，但是整体还是需要再次提高，针对我们国家半导体的发展，我们不要急于求成，技术是靠一点点积累起来的，所以我们要静下心来，脚踏实地，专注于我们的研发。

当我们遇到问题也是一件好事，这也让我们看到了我们存在的不足，这个时候我们明白了我们应该做什么，有一个实现的目标，这就是很好的。对未来我国半导体的发展我们始终持积极的态度，任何苦难始终是难不倒自强不息的中国人民的，相信很快，在各种政策的扶持下，我们的半导体行业会很快发展起来。

电子组件进入纳米等级后，在材料方面也开始遭遇到一些瓶颈，因为原来使用的材料性能已不能满足要求。最简单的一个例子，是所谓的闸极介电层材料；这层材料的基本要求是要能绝缘，不让电流通过。使用的是由硅基材氧化而成的二氧化硅，在一般状况下这是一个非常好的绝缘材料。

但因组件的微缩，使得这层材料需要越做越薄。在纳米尺度时，如果继续使用这个材料，这层薄膜只能有约 1 纳米的厚度，也就是 3 ~ 4 层分子的厚度。但是在这种厚度下，任何绝缘材料都会因为量子穿隧效应而导通电流，造成组件漏电，以致失去应有的功能，因此只能改用其它新材料。但二氧化硅已经沿用了三十多年，几乎是集各种优点于一身，这也是使硅能够在所有的半导体中脱颖而出的关键，要找到比它功能更好的材料与更合适的制作方式，实在难如登天。

而且，材料是组件或 IC 的基础，一旦改变，所有相关的设备与后续的流程都要跟着改变，真的是牵一发而动全身，所以半导体产业还在坚持，不到最后一刻绝对不去改变它。这也是为什么 CPU 会越来越烫，消耗的电力越来越多的原因。因为CPU 中，晶体管数量甚多，运作又快速，而每一个晶体管都会「漏电」所造成。这种情形对桌上型计算机可能影响不大，但在可携式的产品如笔记型计算机或手机，就会出现待机或可用时间无法很长的缺点。

也因为这样，许多学者相继提出各种新颖的结构或材料，例如利用自组装技术制作纳米碳管晶体管，想利用纳米碳管的优异特性改善其功能或把组件做得更小。但整个产业要做这么大的更动，在实务上是不可行的，顶多只能在特殊的应用上，如特殊感测组件，找到新的出路。