化学机械抛光(CMP)是集成电路制造过程中实现晶圆表面平坦化的关键工艺。与传统的纯机械或纯化学的抛光方法不同,CMP工艺是通过表面化学作用和机械研磨的技术结合来实现晶圆表面微米/纳米级不同材料的去除,从而达到晶圆表面纳米级平坦化,使下一步的光刻工艺得以进行。
CMP的主要工作原理是在一定压力下及抛光液的存在下,被抛光的晶圆对抛光垫做相对运动,借助纳米磨料的机械研磨作用与各类化学试剂的化学作用之间的高度有机结合,使被抛光的晶圆表面达到高度平坦化、低表面粗糙度和低缺陷的要求。
cmp是比较指令, cmp的功能相当于减法指令,只是不保存结果。cmp指令执行后,将对标志寄存器产生影响。其他相关指令通过识别这些被影响的标志寄存器位来得知比较结果。比如:mov ax,8
mov bx,3
cmp ax,bx
执行后:ax=8,ZF=0,PF=1,SF=0,CF=0,OF=0.
通过cmp指令执行后,相关标志位的值就可以看出比较的结果。
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