半导体带隙范围小

导体，半导体，绝缘体，通过能带理论区分的话，是根据带宽来区分的，也就是说倒带到价带之间的宽度，这个称谓带隙。导体的导带一般为半满或者空大，价带中的电子可以通过带隙到导带，因此称谓导体；绝缘体的倒带一般为满带，且带隙一般大于3.6ev，因此不能够形成电子的迁移；对于半导体导带一般为空带，但是带隙较窄一般为0.5-3.6ev，在有杂质能级或者物理场的作用下可以形成电子迁移，这个称谓半导体。

你这个问题问的让人搞不清楚，整个过程没有描述清楚。

首先费米能及是电子填充能力的标志，对于本征半导体来说，费米能及在禁带中部，如果是n型则在禁带中上部，p型在禁带中下部。对于给定的半导体，即工作温度和参杂都确定时，其费米能及是确定的。要改变费米能及就要改变参杂量。

从热力学上来说，就是电子的分布遵循费米统计分布。

”费米能级降低，半导体导带边缘下降”，不知道你是不是指金半接触，在金属和半导体接触时，由于两者的费米能级不同，因此在接触后（比如把金属焊接到半导体上），费米能级要取齐，因此金属的导带相对半导体的边缘要低，具体的可以参看《半导体物理》，和固体物理及热统的关系不大。

“电池的开路电压因而降低”这句话和上面扯不上任何关系。如果是将半导体作为电池，其电池的开路电压才有意义。

以上意见供你参考。

半导体导电是通过载流子进行的，载流子数量越多，导电性能越好，也就是电阻率越低。

温度上升时，半导体电子热运动活动剧烈，能量增加，由价带顶跃迁到导带底所需要的外界能量降低（半导体载流子是由价带顶的空穴和导带底的电子确定的），所以半导体带隙降低，Eg降低。由于ni^2=Nc*Nvexp(-Eg/2K0T)，所以Eg越低导致ni^2 越高，由于np = ni^2所以载流子随之升高。最后导致同样电压下，电流变大，反映出的是电阻率变低。

https://zhidao.baidu.com/question/1987779684801752987

我在这里也有较为详细的解释，敬请参考。

谢谢！

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