海力士详细资料大全

Hynix 海力士晶片生产商，源于韩国品牌英文缩写"HY"。海力士即原现代记忆体，2001年更名为海力士。海力士半导体是世界第三大DRAM制造商，也在整个半导体公司中占第九位。

基本介绍公司名称 ：海力士 外文名称 ：Hynix 总部地点 ：韩国 经营范围 ：半导体 年营业额 ：266.37亿美元（2018年）  缩写 ：HY 世界500强 ：第442名 （2018年） 年利润 ：94.14亿美元（2018年）  历史沿革,市场概况,市场地位,市场前景,发展过程,企业事件, 历史沿革 海力士为原来的现代记忆体,2001年更名为海力士。 海力士 2012年更名SK hynix。 海力士半导体在1983年以现代电子产业有限公司成立，在1996年正式在韩国上市，1999年收购LG半导体，2001年将公司名称改为(株)海力士半导体,从现代集团分离出来。2004年10月将系统IC业务出售给花旗集团，成为专业的存储器制造商。2012年2月，韩国第三大财阀SK集团宣布收购海力士21.05%的股份从而入主这家记忆体大厂。 市场概况 市场地位 在韩国有4条8英寸晶圆生产线和一条12英寸生产线，在美国俄勒冈州有一条8英寸生产线。2004年及2005年全球DRAM市场占有率处于第二位，中国市场占有率处于第一位。在世界各地有销售法人和办事处，共有员工15000人.海力士（Hynix）半导体作为无形的基础设施，通过半导体，竭尽全力为客户创造舒适的生活环境。海力士半导体致力生产以DRAM和NAND Flash为主的半导体产品。 市场前景 海力士半导体以超卓的技术和持续不断的研究投资为基础，每年都在开辟已步入纳米级超微细技术领域的半导体技术的崭新领域。另外，海力士半导体不仅标榜行业最高水平的投资效率，2006年更创下半导体行业世界第七位，步入纯利润2万亿韩元的集团等，正在展现意义非凡的增长势力。海力士半导体不仅作为给国家经济注入新鲜血液的发展动力，完成其使命，同时不断追求与社会共同发展的相生经营。海力士半导体为发展成为令顾客和股东满意的先导企业，将尽心尽责，全力以赴。 发展过程 2013年11月15日海力士在无锡增资25亿美元，此次签约的五期项目将从29纳米提升至25纳米级,并争取提升 至10纳米级,预计到2016年完成该项技术升级。 2013年09月4日下午3:30左右，无锡Hynix厂房起火，原因未知。 2012年02月韩国第三大财阀SK集团入主Hynix，更名SKhynix。 2009年05月 成立中国无锡市后续工程合作社 04月 世界最先开发低耗电-高速(Low Power-High Speed) Mobile 1Gb DDR2 DRAM 03月 世界最先发表8GB 2-Rank DDR3 R-DIMM 产品认证 02月世界最先开发44nm DDR3 DRAM 01月 世界最先获得关于以伺服器4GB ECC UDIMM用模组为基础的超高速DDR3的英特尔产品认证。 2008年 12月 世界最先开发2Gb Mobile DRAM 11 月引进业界最高速7Gbps、1Gb GDDR5 Graphics DRAM 08月 清州第三工厂的300mm组装厂竣工 世界最先推出使用MetaRAMtm 技术的16 GB 2-Ran kR-DIMM 为引进崭新而创新性NAND快闪记忆体存储器产品及技术的Numonyx及海力士的努力扩大 05月 与ProMOS公司签署关于加强长期战略性合作的修改案 04月 为撤回对海力士DRAM的相计关税的EU理事会的措施表示欢迎开发出世界最高速Mobile LPDDR2 02月 引进2-Rank 8GB DDR2 RDIMM 01月 签署关于在对下一代不挥发性存储器技术的共同R&D程式上进行合作的契约 2008年发表00MHz、1GB/2GB UDIMM 产品认证 2007年12月成功发行国际可兑换券(global convertible notes) 11月WTO做出判决海力士进口晶片相关报复性关税一案，日本败诉。与SiliconFile公司签署CIS事业合作协定，获得对 1Gb DDR2 DRAM的英特尔产品认证，业界最先开发1Gb GDDR5 DRAM 10月与Ovonyx公司签署关于PRAM的技术及许可证契约与环境运动联合(韩国)签署关于在环境管理上进行合作的契约 09月以24层叠晶片(stacked chips)，世界最先开发NAND快闪记忆体MCP 08月开发出业界最高速、最小型1Gb Mobile DRAM 07月发表企业中长期总体规划 05月业界最先获得关于DDR3 DRAM的英特尔产品认证 04月DOC H3开始大量生产在韩国清州300mm设施开工实现最高水平的营业利润率 03月开发出世界最高速ECC Mobile DRAM发表“生态标记(ECO Mark)”与Toshiba签署半导体特许商户许可证及供应契约 与SanDisk就特许商户许可证契约达成协定及签署关于对x4技术建立合作公司的谅解备忘录(MOU)金钟甲就任新任 代表理事、社长 01月开发出以“晶圆级封装(Wafer Level Package)”技术为基础的超高速存储器模组 2006年创下最高业绩及利润 2006年12月业界最先发表60nm 1Gb DDR2 800MHz基础模组，开发出世界最高速200MHz 512Mb Mobile DRAM 10月创下创立以来最高业绩，通过海力士ST半导体(株)的竣工，构建国际性生产网路 09月300mm研究生产线下线 03月业界最先获得英特尔对80nm 512Mb DDR2 DRAM的产品认证 01月发表与M-Systems公司的DOC H3共同开发计画(快闪记忆体驱动器内置的新型DiskOnChip) 2005年12月 世界最先开发512Mb GDDR4、业界最高速度及最高密度Graphics DRAM 11月 业界最先推出JEDEC标准8GB DDR2 R-DIMM 07月 提前从企业重组完善协定中抽身而出 04月 海力士-意法半导体有限公司在中国江苏无锡举行开工典礼 03月 发布2004年财务报表，实现高销售利润 01月 与台湾茂德科技签订战略性合作伙伴协定 2004年11月 与意法半导体公司（STMicroelectronics)签订关于在中国合资建厂的协定 08月 与中国江苏省无锡市签订关于在中国建厂合作协定 07月 获得公司成立以来最大的季度营业利润 06月 签订非记忆体事业营业权转让协定 03月 行业首次开发超高速DDR SDRAM 550MHz 1G DDR2 SDRAM获得Intel的认证 02月 成功开发NAND快闪记忆体 2003年12月 宣布与PromMOS签署长期的战略性MOU 08月 宣布发表在DRAM行业的第一个1Gb DDR2问世。 07月 宣布在世界上首次发表DDR500 06月 512M DDR400产品在DRAM业内首次获得因特尔的认证 05月 采用0.10微米工艺技术投入生产，超低功率256Mb SDRAM投入批量生产 04月 宣布与STMicroelectronics公司签定协定合作生产NAND快闪记忆体 03月 发表世界上第一个商用级的mega-level FeRAM 2002年11月 出售HYDIS， TFT-LCD业务部门 10月 开发0.10微米、512MB DDR 08月 在世界上首次开发高密度大宽频256MB的DDR SDRAM 06月 在世界上首次将256MB的SDR SDRAM运用于高终端客户 03月 开发1G DDR DRAM模组 2001年08月 开发世界上速度最快的128MB DDR SDRAM 08月 完成与现代集团的最终分离 07月 剥离CDMA移动通信设备制造业务‘Hyundai Syscomm’ 05月 剥离通信服务业务‘Hyundai CuriTel’ 剥离网路业务‘Hyundai Neorks’ 03月 公司更名为“Hynix半导体有限公司” 2000年08月 剥离显示屏销售业务‘Hyundai Image Quest’ 04月 剥离电子线路设计业务‘Hyundai Auto’ 1999年10月 合并LG半导体有限公司，成立现代半导体株式会社 03月 出售专业的半导体组装公司（ChipPAC） 1998年09月 开发64M的DDR SDRAM 1997年05月 在世界上首次开发1G SDRAM 1996年12月 公司股票上市 1989年11月 完成FAB III 09月 开发4M的DRAM 1988年11月 在欧洲当地设立公司（HEE） 01月 开发1M的DRAM 1986年06月 举行第一次员工文化展览会“Ami Carnical” 04月 设立半导体研究院 1985年10月 开始批量生产256K的DRAM 1984年09月 完成FAB II-A 1983年02月创立现代电子株式会社，公司概要展望商业领域主要历程可持续经营，持续经营报告书伦理经营，伦理经营宣言伦 理纲领组织介绍实践体系产业保全方针线上举报公司标志 企业事件 2013年9月4日下午3点半左右，无锡新区海力士公司的生产车间发生气体泄漏，引发车间屋顶排气管洗涤塔管道的保护层着火。无锡消防200多名官兵赶至现场扑救，截至当日18点，明火已全部扑灭。从车间疏散出人员中，1人受轻微外伤，另有10余人去医院进行呼吸道检查，均无大碍。火灾发生后，无锡市委主要领导作出批示，市 *** 和无锡新区领导第一时间赶赴现场组织开展灭火救援，市环保部门迅速组织对企业周边环境、空气品质情况进行检测。火灾原因仍在调查中。 2013年9月初发生在无锡新区SK海力士的一场大火已经过去了几个月，这场大火尽管没有人员伤亡，但其影响却很大，比如在国内晶片市场和保险市场方面。 昨日（12月19日），有险企人士向《每日经济新闻(微博)》记者透露，SK海力士大火报损约10亿美元，保险业估损将达9亿美元，这将是国内最大的一笔保险赔案。 据《中国保险报》此前报导，SK海力士5家承保公司中各自的份额分别为：现代保险占比50%，人保财险占比35%，大地保险、太平洋产险、乐爱金财险各占5%。 上述险企人士进一步介绍称，该案件各家保险公司基本上都办理了再保险，主要涉及的再保险公司包括：韩国再保险、瑞士再保险、慕尼黑再保险等，而这个案例会影响到直保和再保险财险公司的承保利润，同时也将会导致半导体行业来年费率以及再保险费率的上涨。 SK海力士大火的首席承保人是韩国现代财险，国内的人保财险和太平洋产险等13家公司都险都参与其中。SK海力士火灾的最终赔付金额已确认在9亿美元，这是国内保险史上的最大一笔理赔案。江苏省保监局保险财产保险监管处处长王雷介绍，现在的进展情况是正在运行之中，已经预付了大约3亿美金。13家大型保险公司都在为这起火灾承担赔付，这也将推高今年企业财产险的相关保费。 2018年5月31日，中国反垄断机构对三星、海力士、美光位于北京、上海、深圳的办公室展开突然调查，三大巨头有碍公平竞争的行为以及部分企业的举报推动了中国反垄断机构发起此次调查。 根据美光、三星、海力士财报统计，2017财年，三家公司的半导体业务在中国营收分别为103.88亿美元、253.86亿美元、89.08亿美元，总计446.8亿美元，同比2016财年的321亿美元增长39.16%。

待遇都是一样滴，工艺工程师是要一直倒班的，而且一直在车间的（FAB）。设备工程师会倒一段时间的班，2~3个月吧，可能会更少。然后去会office，上常白班，做白领。懂了吗？在下正在海力士做技术员呢。命苦啊~~

还有工艺工程师的话在FAB就轻松点，整天坐着，没什么压力。而设备工程师整天在office待着，面对着课长、次长他们压力大啊。所以个有利弊吧！如果这个让我选择我也很难选择的呀。最好的选择就是不进海力士，不到半导体公司。

人事变动始终牵动着半导体产界人士的心。

2019 年是不平凡的一年，众多半导体巨头进行了高管调整，或宣布调整信息。下面一起回顾 2019 年半导体产业都经历了哪些重大人事变动。

SK 海力士

2018 年 12 月，SK 海力士公布营运长李锡熙晋升 CEO，原 CEO 朴星昱则转任 SK 集团 Supex 追求协议会 ICT 委员长，负责开拓 SK 集团未来技术与新成长动力。

现年 56 岁的李锡熙产学界经历完整，取得首尔大学无机材料硕士后，1990 年加入 SK 海力士前身现代电子成为研究员，此后又到美国求学，取得史丹佛大学材料博士学位，2000 年进入英特尔(Intel)就职。

任职英特尔 10 年时间，多次获颁最高荣誉的英特尔成就奖，2010 年在韩国科学技术院(KAIST)担任教授，2013 年重回 SK 海力士负责 DRAM 开发，2017 年晋升营运长成为半导体事业负责人。

英特尔

2019 年 1 月 31 日，英特尔宣布任命临时首席执行官罗伯特 - 斯旺(Robert Swan)为正式 CEO。这是英特尔 51 年来第七次任命首席执行官。

自 2018 年 6 月，首席执行官布莱恩 - 科再奇(Brian Krzanich)因违反公司政策与一名员工存在不正当关系而被解职，罗伯特 - 斯旺担任临时首席执行官至今已有 7 个月，他自 2016 年起担任首席财务官，并获选为公司董事会成员。

现任财务副总裁托德 - 安德伍德(Todd Underwood)将接任临时 CFO 一职，公司将寻找一名永久性 CFO。

Swan 拥有布法罗大学工商管理学士学位和宾厄姆顿大学工商管理硕士学位。他是 eBay 的董事会成员。1985 年在通用电气公司开始了他的职业生涯，持有各种高级财务他在那里工作了 15 年。在其职业生涯早期，斯旺担任电子数据系统公司和 TRW 公司的首席财务官，以及担任 Webvan Group Inc。 首席运营官兼首席执行官的首席财务官。2006 年加入 eBay Inc。 担任首席财务官，负责 eBay 财务职能的各个方面，包括管理，财务规划和分析，税务，财务，审计，兼并和收购，和投资者关系。2015 年加入 General Atlantic 担任运营合作伙伴，与公司的全球投资公司密切合作，共同实现增长目标。2016 年 10 月起担任英特尔公司的执行副总裁兼首席财务官(CFO)。他负责监督英特尔的全球金融组织，包括财务，会计和报告，税务，财务，内部审计和投资者关系，信息技术；和公司的企业战略办公室。2018 年 6 月 21 日被任命为英特尔公司的临时首席执行官。

利扬芯片

2019 年 2 月，张亦锋加入广东利扬芯片测试股份有限公司任公司首席执行官。

张亦锋，在西安电子 科技 大学通信工程学院应用电子技术专业获学士学位，复旦大学管理学院工商管理专业(MBA)毕业，研究生学历。2000 年 7 月至 2013 年 12 月，，任职于上海华虹 NEC 电子有限公司，先后在计划部、Foundry 事业部、业务发展部等部门担任资深主管工程师、主任、科长等职。2014 年 1 月至 2015 年 8 月任职于上海华虹宏力半导体制造有限公司，担任产品销售科科长。2015 年 8 月至 2015 年 12 月任职于武汉力源信息股份有限公司，担任 IC 事业部总监。2016 年 1 月至 2019 年 1 月，任职于珠海博雅 科技 有限公司，担任首席商务官、副总裁，兼任全资子公司四川泓芯 科技 有限公司总经理。

华虹集团

华虹半导体

2019 年 3 月 28 日，华虹集团对旗下制造平台进行了人事调整，宣布上海华力集成总经理唐均君接替王煜担任上市公司华虹半导体总裁一职(5 月 1 日正式接任)，希望发挥唐总在 12 英寸生产线的经验，以便更好的让华虹无锡基地的 12 英寸产线快速产生效益。

上海华力

华虹集团对旗下制造平台进行了人事调整，宣布上海华力微总裁雷海波兼任上海华力集成总裁，作为中国大陆培养的本土 12 英寸产线领头人，雷总现在要负责两个 12 英寸产线的运营。华力微在 2018 年实现首次年度盈利。

上海新升

2019 年 5 月 5 日，邱慈云出任上海新升 CEO。

邱慈云生于 1956 年，获得加州伯克利分校电气工程博士学位和哥伦比亚大学高级管理人员工商管理硕士学位。他早年曾在德国慕尼黑固体技术研究所 At&t 贝尔实验室和台积电工作。2001 年曾追随张汝京创办中芯国际；2005 年加入华虹 NEC 担任运营副总裁；2007 年加入马来西亚 Silterra 担任 COO；2009 年回到华虹 NEC 担任总裁兼 CEO；2011 年 8 月起，担任中芯国际 CEO，至 2017 年 5 月因个人原因请辞。

瑞萨电子

2019 年 6 月 26 日，瑞萨电子官方发布公告，现任 CEO 吴文精( Bunsei Kure)将于 2019 年 6 月 30 日辞去其代表董事、总裁兼 CEO，柴田英利(Hidetoshi Shibata)将成为为其代表董事，总裁兼 CEO，任命自 2019 年 7 月 1 日起生效。

吴文精下台的原因是瑞萨经营业绩欠佳。

芯思想研究院认为，瑞萨是日本半导体产业界的一朵奇葩，越整合则越虚弱。

武汉弘芯

2019 年 7 月 17 日，蒋尚义正式出任武汉弘芯总经理。

蒋尚义，1968 年在国立台湾大学获电子工程学学士学位，1970 年在普林斯顿大学获电子工程学硕士学位，1974 年在斯坦福大学获电子工程学博士学位。毕业后，蒋博士曾在德州仪器和惠普公司工作。1997 年回到台湾，任职台积电研发副总裁，是台积电掌管单一部门时间最久的人。2013 年任台积电共同首席执行副总和共同运营官。

在台积电期间，蒋尚义将研发团队从 120 人扩编至 2013 年的 7000 多人，年度研发经费更从 25 亿台币激增至 2013 年的 480 亿台币；曾参与研发 CMOS、NMOS、Bipolar、DMOS、SOS、SOI、GaAs 激光、LED、电子束光刻、矽基太阳能电池等项目；带领台积电自主研发，一路从 0.25 微米、0.18 微米、0.15 微米、0.13 微米、90 纳米、65 纳米走到 40 纳米世代，还参与了 28 纳米 HKMG 高介电金属闸极、16 纳米 FinFET 等关键节点的研发，使台积电的行业地位从技术跟随者发展为技术引领者。

华微电子

2019 年 7 月 9 日，首席执行官(CEO)聂嘉宏先生辞呈。

经公司董事长提名，董事会提名委员会审核，公司董事会同意聘任于胜东先生为首席执行官，任期自董事会通过之日起至本届董事会届满为止。

凯世通

2019 年 8 月，陈克禄接替陈烔(JIONG CHEN)担任凯世通总经理。

陈克禄，原上海浦东 科技 投资有限公司投资总监。

2015 年，上海浦东 科技 投资有限公司(以下简称“浦科投资”)入主万业企业，并于 2018 年成为其控股股东(持股 28.16%)，积极推动其战略转型。

万业企业将转型目标瞄准了集成电路装备及材料产业。2017 年，经董事会和股东大会审议通过，万业企业以 10 亿元自有资金认购上海半导体装备材料产业投资基金首期 20%份额，迈出了转型的第一步。

2018 年 7 月，万业企业启动收购上海凯世通半导体股份有限公司(以下简称“凯世通”)100%股权相关事宜，最终以 3.98 亿元的价格、以现金收购的方式，成功完成对凯世通 100%股权的收购。收购凯世通后，万业企业正式切入集成电路核心装备产业之一的离子注入机领域。

长电 科技

2019 年 9 月 9 日，长电 科技 发布公告称：董事会收到 LEE CHOON HEUNG(李春兴)先生请求辞去首席执行长(CEO)及第七届董事会董事职务的书面辞职书，经研究讨论公司董事会同意李春兴先生辞去首席执行长职务的请求。根据《公司章程》，李春兴先生辞去公司董事职务在书面辞职书送达董事会时已生效，其不再担任公司董事。辞去上述职务后，李春兴先生将继续担任公司首席技术长(CTO)职务，并继续致力于公司的发展。

根据长电 科技 董事长周子学先生提名，经董事会提名委员会审核，一致同意聘任郑力先生为公司首席执行长，同时提名郑力先生为公司第七届董事会非独立董事，任期自本次董事会聘任通过之日起至本届董事会任期届满。

郑力，男，1967 年 8 月出生，天津大学工业管理工程专业工学士，东京大学金融经济管理硕士。郑力在美国、日本、欧洲和中国国内的集成电路产业拥有超过 26 年的工作经验。曾任曾任恩智浦全球高级副总裁兼大中华区总裁；中芯国际全球市场高级副总裁，瑞萨电子大中华区 CEO，NEC 电子(后与日立公司和三菱公司的半导体部门合并为瑞萨电子)大中华区总裁，华虹国际有限公司副总裁，上海虹日国际电子有限公司总经理，日本东棉美国公司(现丰田通商美国公司)加州圣荷西分公司总经理，日本东棉公司总部(现日本丰田通商公司)电子信息系统本部担任产品开发经理、集成电路项目管理经理等职务。

安靠

2019 年 6 月，安靠中国区总裁周晓阳正式离职，10 月由曹持论接任。

周晓阳，西安人，1984 年本科毕业于西安交通大学半导体专业，1984 年至 1987 年在骊山微电子研究所师从黄敞老师，获得硕士学位；1987 年至 1993 年在西安 771 所工作，时任组合车间副主任；1993 年至 1997 年任职国家半导体上海公司工作；1997 年至 2007 年任职英特尔；2007 年至 2011 年任职星科金朋；2011 年至 2014 年在楼氏电子工作，曾任楼氏电子苏州和北京公司总经理；2014 年加入安靠，任中国区总裁及安靠封装测试(上海)有限公司总经理。

安靠中国区在周晓阳的带领下，创下了辉煌的业绩，公司已经成为中国大陆及安靠全球技术最先进、产能最大、发货量最大的 NAND 封测厂，为很多中国集成电路设计公司保驾护航。

在周晓阳带领下，2014-2018 年间，安靠上海年平均贡献税收约为 1 亿元人民币，并获得浦东“纳税突出贡献奖”；进出口额约 224 亿美元，连年获得浦东“贸易贡献奖”；此外，安靠上海名列中国十大封测企业、荣获市外资进出口百强、市外资吸收就业人数百强、市外资双优企业等奖项。

曹持论，2001 年 5 月加入安靠公司，曾担任安靠中国区副总裁及厂长职务。

芯聚能半导体

2019 年 11 月正式加入创业公司芯聚能半导体，接替王颖颖担任法人和总经理。

周晓阳，西安人，1984 年本科毕业于西安交通大学半导体专业，1984 年至 1987 年在骊山微电子研究所师从黄敞老师，获得硕士学位；1987 年至 1993 年在西安 771 所工作，时任组合车间副主任；1993 年至 1997 年任职国家半导体上海公司工作；1997 年至 2007 年任职英特尔；2007 年至 2011 年任职星科金朋；2011 年至 2014 年在楼氏电子工作，曾任楼氏电子苏州和北京公司总经理；2014 年加入安靠，任中国区总裁及安靠封装测试(上海)有限公司总经理。2019 年 6 月离开安靠。

北方华创

10 月 31 日，北方华创发布公告称，董事会于 2019 年 10 月 31 日收到公司副总经理张国铭先生提交的书面辞职报告，张国铭先生由于个人原因申请辞去公司副总经理职务，辞职后不在公司担任任何职务。

张国铭先生曾任北方华创 科技 集团股份有限公司高级副总裁、首席战略官，并兼任北京北方华创微电子装备有限公司董事、副总裁，北京七星华创流量计有限公司董事长，北京七星华创集成电路装备有限公司执行董事。曾任北京建中机器厂总工程师、副厂长，北京七星华创电子股份有限公司微电子设备分公司总经理，北京七星华创电子股份有限公司副总经理。

张国铭先生担任国家 02 科技 重大专项总体专家组专家、 科技 部“十三五”重点专项先进制造专家组专家、国家集成电路产业投资基金股份有限公司投资审核委员会委员、北京电子制造装备行业协会秘书长、国际 SEMI 协会全球董事会董事、SEMI 中国半导体设备及材料委员会主席等多种职务。

据悉，张国铭已经加盟华海清科。

来源: 与非网

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