值此背景下,以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体成为市场聚焦的新赛道。根据Yole预测数据, 2025年全球以半绝缘型衬底制备的GaN器件市场规模将达到20亿美元,2019-2025年复合年均增长率高达12%! 其中,军工和通信基站设备是GaN器件主要的应用市场,2025年市场规模分别为11.1亿美元和7.31亿美元
全球以导电型碳化硅衬底制备的SiC器件市场规模到2025年将达到25.62亿美元,2019- 2025年复合年均增长率高达30%! 其中,新能源汽车和光伏及储能是SiC器件主要的应用市场, 2025年市场规模分别为15.53亿美元和3.14亿美元。
本文中,我们将针对第三代半导体产业多个方面的话题,与国内外该领域知名半导体厂商进行探讨解析。
20世纪50年代以来,以硅(Si)、锗(Ge)为代的第一代半导体材料的出现,取代了笨重的电子管,让以集成电路为核心的微电子工业的发展和整个IT产业的飞跃。人们最常用的CPU、GPU等产品,都离不开第一代半导体材料的功劳。可以说是由第一代半导体材料奠定了微电子产业的基础。
然而由于硅材料的带隙较窄、电子迁移率和击穿电场较低等原因,硅材料在光电子领域和高频高功率器件方面的应用受到诸多限制。因此,以砷化镓(GaAs)为代表的第二代半导体材料开始崭露头角,使半导体材料的应用进入光电子领域,尤其是在红外激光器和高亮度的红光二极管方面。与此同时,4G通信设备因为市场需求增量暴涨,也意味着第二代半导体材料为信息产业打下了坚实基础。
在第二代半导体材料的基础上,人们希望半导体元器件具备耐高压、耐高温、大功率、抗辐射、导电性能更强、工作速度更快、工作损耗更低特性,第三代半导体材料也正是基于这些特性而诞生。
笔者注意到,对于第三代半导体产业各家半导体大厂的看法也重点集中在 “高效”、“降耗”、“突破极限” 等核心关键词上。
安森美中国汽车OEM技术负责人吴桐博士 告诉笔者: “第三代半导体优异的材料特性可以突破硅基器件的应用极限,同时带来更好的性能,这也是未来功率半导体最主流的方向。” 他表示随着第三代半导体技术的普及,传统成熟的行业设计都会有突破点和优化的空间。
英飞凌科技电源与传感系统事业部大中华区应用市场总监程文涛 则从能源角度谈到,到2025年,全球可再生能源发电量有望超过燃煤发电量,将推动第三代半导体器件的用量迅速增长。 在用电端,由于数据中心、5G通信等场景用电量巨大,节电降耗的重要性凸显,也将成为率先采用第三代半导体器件做大功率转换的应用领域。
第三代半导体材料区别于前两代半导体材料最大的区别就在于带隙的不同。 第一代半导体材料属于间接带隙,窄带隙第二代半导体材料属于直接带隙,同样也是窄带隙二第三代半导体材料则是全组分直接带隙,宽禁带。
和前两代半导体材料相比,更宽的禁带宽度允许材料在更高的温度、更强的电压与更快的开关频率下运行。
随着碳化硅、氮化镓等具有宽禁带特性(Eg>2.3eV)的新兴半导体材料相继出现,世界各国陆续布局、产业化进程快速崛起。具体来看:
与硅相比, 碳化硅拥有更为优越的电气特性 :
1.耐高压 :击穿电场强度大,是硅的10倍,用碳化硅制备器件可以极大地 提高耐压容量、工作频率和电流密度,并大大降低器件的导通损耗
2.耐高温 :半导体器件在较高的温度下,会产生载流子的本征激发现象,造成器件失效。禁带宽度越大,器件的极限工作温度越高。碳化硅的禁带接近硅的3倍,可以保证碳化硅器件在高温条件下工作的可靠性。硅器件的极限工作温度一般不能超过300℃,而碳化硅器件的极限工作温度可以达到600℃以上。同时,碳化硅的热导率比硅更高,高热导率有助于碳化硅器件的散热,在同样的输出功率下保持更低的温度,碳化硅器件也因此对散热的设计要求更低,有助于实现设备的小型化
3.高频性能 :碳化硅的饱和电子漂移速率是硅的2倍,这决定了碳化硅器件可以实现更高的工作频率和更高的功率密度。基于这些优良的特性,碳化硅衬底的使用极限性能优于硅衬底,可以满足高温、高压、高频、大功率等条件下的应用需求,已应用于射频器件及功率器件。
氮化镓则具有宽禁带、高电子漂移速度、高热导率、耐高电压、耐高温、抗腐蚀、耐辐照等突出优点。 尤其是在光电子器件领域,氮化镓器件作为LED照明光源已广泛应用,还可制备成氮化镓基激光器在微波射频器件方面,氮化镓器件可用于有源相控阵雷达、无线电通信、基站、卫星等军事 或者民用领域氮化镓也可用于功率器件,其比传统器件具有更低的电源损耗。
半导体行业有个说法: “一代材料,一代技术,一代产业” ,在第三代半导体产业规模化出现之前,也还存在着不少亟待解决的技术难题。
第三代半导体全产业链十分复杂,包括衬底→外延→设计→制造→封装。 其中,衬底是所有半导体芯片的底层材料,起到物理支撑、导热、导电等作用外延是在衬底材料上生长出新的半导体晶层,这些外延层是制造半导体芯片的重要原料,影响器件的基本性能设计包括器件设计和集成电路设计,其中器件设计包括半导体器件的结构、材料,与外延相关性很大制造需要通过光刻、薄膜沉积、刻蚀等复杂工艺流程在外延片上制作出设计好的器件结构和电路封装是指将制造好的晶圆切割成裸芯片。
前两个环节衬底和外延生长正是第三代半导体生产工艺及其难点所在。我们重点挑选碳化硅、氮化镓两种典型的第三代半导体材料来看,它们的生产制备到底还面临哪些问题。
从碳化硅来看,还需要“降低衬底生长缺陷,以及提高工艺效率” 。首先碳化硅单晶制备目前最常用的是物理气相输运法(PVT)或籽晶的升华法,而碳化硅单晶在形成最终的短圆柱状之前,还需要通过机械加工整形、切片、研磨、抛光等化学机械抛光和清洗等工艺才能成为衬底材料。
这一机械、化学制造过程存在着加工困难、制造效率低、制造成本高等问题。此外,如果再加上考虑单晶加工的效率和成本问题,那还能够保障晶片具备良好的几何形貌,如总厚度变化、翘曲度、变形,而且晶片表面质量(粗糙度、划伤等)是否过关等,这都是碳化硅衬底制备中的巨大挑战。
此外,碳化硅材料是目前仅次于金刚石硬度的材料,材料的机械加工主要以金刚石磨料为基础切割线、切割刀具、磨削砂轮等工具。这些工具的制备难度大,使用寿命短,加工成本高,为了延长工具寿命、提高加工质量,往往会采用微量或极低速进给量,这就牺牲了碳化硅材料制备的整体生产效率。
对于氮化镓来说,则更看重“衬底与外延材料需匹配”的难题 。由于氮化镓在高温生长时“氮”的离解压很高,很难得到大尺寸的氮化镓单晶材料,当前大多数商业器件是基于异质外延的,比如蓝宝石、AlN、SiC和Si材料衬底来替代氮化镓器件的衬底。
但问题是这些异质衬底材料和氮化镓之间的晶格失配和热失配非常大,晶格常数差异会导致氮化镓衬底和外延层界面处的高密度位错缺陷,严重的话还会导致位错穿透影响外延层的晶体质量。这也就是为什么氮化镓更看重衬底与外延材料需匹配的难点。
在落地到利用第三代半导体材料去解决具体问题时,程文涛告诉OFweek维科网·电子工程, 英飞凌的碳化硅器件所采用的沟槽式结构解决了大多数功率开关器件的可靠性问题。
比如现在大多数功率开关器件产品采用的是平面结构,难以在开关的效率上和长期可靠性上得到平衡。采用平面结构,如果要让器件的效率提高,给它加点电,就能导通得非常彻底,那么它的门级就需要做得非常薄,这个很薄的门级结构,在长期运行的时候,或者在大批量运用的时候,就容易产生可靠性的问题。
如果要把它的门级做的相对比较厚,就没办法充分利用沟道的导通性能。而采用沟槽式的做法就能够很好地解决这两个问题。
吴桐博士则从产业化的角度提出, 第三代半导体技术的难点在于有关设计技术和量产能力的协调,以及对长期可靠性的保障。尤其是量产的良率,更需要持续性的优化,降低成本,提升可靠性。
观察当前半导体市场可以发现,占据市场九成以上的份额的主流产品依然是硅基芯片。
但近些年来,“摩尔定律面临失效危机”的声音不绝于耳,随着芯片设计越来越先进,芯片制造工艺不断接近物理极限和工程极限,芯片性能提升也逐步放缓,且成本不断上升。
业界也因此不断发出质疑,未来芯片的发展极限到底在哪,一旦硅基芯片达到极限点,又该从哪个方向下手寻求芯片效能的提升呢?笔者通过采访发现,国内外厂商在面对这一问题时,虽然都表达出第三代半导体产业未来值得期待,但也齐齐提到在这背后还需要重点解决的成本问题。
“目前硅基半导体从架构上、从可靠性、从性能的提升等方面,基本上已经接近了物理极限。第三代半导体将接棒硅基半导体,持续降低导通损耗,在能源转换的领域作出贡献,” 程文涛也为笔者描述了当前市场上的一种现象:可能会存在一些定价接近硅基半导体的第三代半导体器件,但并不代表它的成本就接近硅基半导体。因为那是一种商业行为,就是通过低定价来催生这个市场。
以目前的工艺来讲,第三代半导体的成本还是远高于硅基半导体 ,程文涛表示:“至少在可见的将来,第三代半导体不会完全取代第一代半导体。因为从性价比的角度来说,在非常宽的应用范围中,硅基半导体目前依然是不二之选。第三代半导体目前在商业化上的瓶颈就是成本很高,虽然在迅速下降,但依然远高于硅基半导体。”
作为中国碳化硅功率器件产业化的倡导者之一,泰科天润同样也表示对第三代半导体产业发展的看好。
虽然碳化硅单价目前比硅高不少,但从系统整体的角度来看,可以节约电感电容以及散热片。如果是大功率电源系统整体角度看成本未必更高,同时还能更好地提升效率。 这也是为什么现阶段虽然单器件碳化硅比硅贵,依然不少领域客户已经批量使用了。
从器件的角度来看,碳化硅从四寸过度到六寸,未来往八寸甚至十二寸发展,碳化硅器件的成本也将大幅度下降。据泰科天润介绍,公司新的碳化硅六寸线于去年就已经实现批量出货,为客户提供更高性价比的产品,有些产品实现20-30%的降价幅度。除此之外,泰科天润耗时1年多成功开发了碳化硅减薄工艺,在Vf水平不变的情况下,可以缩小芯片面积,进一步为客户提供性价比更高的产品。
泰科天润还告诉笔者:“这两年随着国外友商的缺货或涨价,比如一些高压硅器件,这些领域已经出现碳化硅取代硅的现象。随着碳化硅晶圆6寸产线生产技术的成熟,8寸晶圆的发展,碳化硅器件有望与硅基器件达到相同的价格水平。”
吴桐博士认为, 目前来看在不同的细分市场,第三代半导体跟硅基器件是一个很好的互补,也是价钱vs性能的一个平衡。随着第三代半导体的成熟以及成本的降低,最终会慢慢取代硅基产品成为主流方案。
那么对于企业而言,该如何发挥第三代半导体的综合优势呢?吴桐博士表示,于安森美而言,首先是要垂直整合,保证稳定的供应链,可长期规划的产能布局以及达到客观的投资回报率其次是在技术研发上继续发力,比如Rsp等参数,相比行业水准,实现用更小的半导体面积实现相同功能,这样单个器件成本得以优化第三是持续地提升FE/BE良率,等效的降低成本第四是与行业大客户共同开发定义新产品,保证竞争力以及稳定的供需关系最后也是重要的一点,要帮助行业共同成长,蛋糕做大,产能做强,才能使得单价有进一步下降的空间。
第三代半导体产业究竟掀起了多大的风口?根据《2020“新基建”风口下第三代半导体应用发展与投资价值白皮书》内容:2019年我国第三代半导体市场规模为94.15亿元,预计2019-2022年将保持85%以上平均增长速度,到2022年市场规模将达到623.42亿元。
其中,第三代半导体衬底市场规模从7.86亿元增长至15.21亿元,年复合增速为24.61%,半导体器件市场规模从86.29亿元增长至608.21亿元,年复合增速为91.73%。
得益于第三代半导体材料的优良特性,它在 光电子、电力电子、通讯射频 等领域尤为适用。具体来看:
光电子器件 包括发光二极管、激光器、探测器、光子集成电路等,多用于5G通信领域,场景包括半导体照明、智能照明、光纤通信、光无线通信、激光显示、高密度存储、光复印打印、紫外预警等
电力电子器件 包括碳化硅器件、氮化镓器件,多用于新能源领域,场景包括消费电子、新能源汽车、工业、UPS、光伏逆变器等
微波射频器件 包括HEMT(高电子迁移率晶体管)、MMIC(单片微波集成电路)等,同样也是用在5G通信领域,不过场景则更加高端,包括通讯基站及终端、卫星通讯、军用雷达等。
现阶段,欧美日韩等国第三代半导体企业已形成规模化优势,占据全球市场绝大多数市场份额。我国高度重视第三代半导体发展,在研发、产业化方面出台了一系列支持政策。国家科技部、工信部等先后开展了“战略性第三代半导体材料项目部署”等十余个专项,大力支持第三代半导体技术和产业发展。
早在2014年,工信部发布的《国家集成电路产业发展推进纲要》提出设立国家产业投资基金,重点支持集成电路等产业发展,促进工业转型升级,同时鼓励社会各类风险投资和股权投资基金进入集成电路领域在去年全国人大发布《中华人民共和国国民经济和社会发展第十四个五年规划和2035年远景目标纲要》中,进一步强调培育先进制造业集群,推动集成电路、航空航天等产业创新发展。瞄准人工智能、量子信息、集成电路等前沿领域,实施一批具有前瞻性、战略性的国家重大科技项目。
具体来看当前主要应用领域的发展情况:
1.新能源汽车
新能源汽车行业是未来市场空间巨大的新兴市场,全球范围内新能源车的普及趋势明朗。随着电动汽车的发展,对功率半导体器件需求量日益增加,成为功率半导体器件新的经济增长点。得益于碳化硅功率器件的高可靠性及高效率特性,在车载级的电机驱动器、OBC及DC/DC部分,碳化硅器件的使用已经比较普遍。对于非车载充电桩产品, 由于成本的原因,目前使用比例还相对较低,但部分厂商已开始利用碳化硅器件的优势,通过降低冷却等系统的整体成本找到了市场。
2.光伏
光伏逆变器曾普遍采用硅器件,经过40多年的发展,转换效率和功率密度等已接近理论极限。碳化硅器件具有低损耗、高开关频率、高适用性、降低系统散热要求等优点,将在光伏新能源领域得到广泛应用。例如,在住宅和商业设施光伏系统中的组串逆变器里,碳化硅器件在系统级层面带来成本和效能的好处。
3.轨道交通
未来轨道交通对电力电子装置,比如牵引变流器、电力电子电压器等提出了更高的要求。采用碳化硅功率器件可以大幅度提高这些装置的功率密度和工作效率,有助于明显减轻轨道交通的载重系统。目前,受限于碳化硅功率器件的电流容量,碳化硅混合模块将首先开始替代部分硅IGBT模块。未来随着碳化硅器件容量的提升,全碳化硅模块将在轨道交通领域发挥更大的作用。
4.智能电网
目前碳化硅器件已经在中低压配电网开始了应用。未来更高电压、更大容量、更低损耗的柔性输变电将对万伏级以上的碳化硅功率器件具有重大需求。碳化硅功率器件在智能电网的主要应用包括高压直流输电换流阀、柔性直流输电换流阀、灵活交流输电装置、高压直流断路器、电力电子变压器等装置中。
第三代半导体自从在2021年被列入十四五规划后,相关概念持续升温,迅速成为超级风口,投资热度高居不下。
时常会听到业内说法称,第三代半导体国内外都是同一起跑线出发,目前大家差距相对不大,整个产业发展仍处于爆发前的“抢跑”阶段,对国内而言第三代半导体材料更是有望成为半导体产业的“突围先锋”,但事实真的是这样吗?
从起步时间来看,欧日美厂商率先积累专利布局,比如 英飞凌一直走在碳化硅技术的最前沿,从30年前(1992年)开始包含碳化硅二极管在内的功率半导体的研发,在2001年发布了世界上第一款商业化碳化硅功率二极管 ,此后至今英飞凌不断推出了各种性能优异的碳化硅功率器件。除了产品本身,英飞凌在2018年收购了Siltectra,致力于通过冷切割技术优化工艺流程,大幅提高对碳化硅原材料的利用率,有效降低碳化硅的成本。
安森美也是第三代半导体产业布局中的佼佼者,据笔者了解, 安森美通过收购上游碳化硅供应企业GTAT实现了产业链的垂直整合,确保产能和质量的稳定。同时借助安森美多年的技术积累以及几年前收购Fairchild半导体基因带来的技术补充,安森美的碳化硅技术已经进入第三代,综合性能在业界处于领先地位 。目前已成为世界上少数提供从衬底到模块的端到端碳化硅方案供应商,包括碳化硅球生长、衬底、外延、器件制造、同类最佳的集成模块和分立封装方案。
具体到技术上, 北京大学教授、宽禁带半导体研究中心主任沈波 也曾提出,国内第三代半导体和国际上差距比较大,其中很重要的领域之一是碳化硅功率电子芯片。这一块国际上已经完成了多次迭代,虽然8英寸技术还没投入量产,但是6英寸已经是主流技术,二极管已经发展到了第五代,三极管也发展到了第三代,IGBT也已进入产业导入前期。
另外车规级的碳化硅MOSFET模块在意法半导体率先通过以后,包括罗姆、英飞凌、科锐等国际巨头也已通过认证,国际上车规级的碳化硅芯片正逐渐走向规模化生产和应用。反观国内,目前真正量产的主要还是碳化硅二极管,工业级MOSFET模块估计到明年才能实现规模量产,车规级碳化硅模块要等待更长时间才能量产。
泰科天润也直言,国内该领域仍处于后发追赶阶段:器件方面,从二极管的角度, 国产碳化硅二极管基本上水平和国外差距不大,但是碳化硅MOSFET国内外差距还是有至少1-2代的差距 可靠性方面,国外碳化硅产品市场应用推广较早,积累了更加丰富的应用经验,对产品可靠性的认知,定义以及关联解决可靠性的方式都走得更前一些,国内厂家也在推广市场的过程中逐步积累相关经验产业链方面,国外厂家针对碳化硅的材料优势,相关匹配的产业链都做了对应的优化设计,使之能更加契合的体现碳化硅的材料优势。
OFweek维科网·电子工获悉,泰科天润在湖南新建的碳化硅6寸晶圆产线,第一期60000片/六寸片/年。此产线已经于去年实现批量出货,2022年始至4月底已经接到上亿元销售订单。 作为国内最早从事碳化硅芯片生产研发的公司,泰科天润积累了10余年的生产经验,针对特定领域可以结合自身的研发,生产和工艺一体化,快速为客户开发痛点新品 ,例如公司全球首创的史上最小650V1A SOD123,专门针对解决自举驱动电路已经替换高压小电流Si FRD解决反向恢复的痛点问题而设计。
虽然说IDM方面,我国在碳化硅器件设计方面有所欠缺,少有厂商涉及于此,但后发追赶者也不在少数。
就拿碳化硅产业来看,单晶衬底方面国内已经开发出了6英寸导电性碳化硅衬底和高纯半绝缘碳化硅衬底。 山东天岳、天科合达、河北同光、中科节能 均已完成6英寸衬底的研发,中电科装备研制出6英寸半绝缘衬底。
此外,在模块、器件制造环节我国也涌现了大批优秀的企业,包括 三安集成、海威华芯、泰科天润、中车时代、世纪金光、芯光润泽、深圳基本、国扬电子、士兰微、扬杰科技、瞻芯电子、天津中环、江苏华功、大连芯冠、聚力成半导体 等等。
OFweek维科网·电子工程认为,随着我国对新型基础建设的布局展开和“双碳”目标的提出,碳化硅和氮化稼等第三代半导体的作用也愈发凸显。
上有国家支持政策,下有新能源汽车、5G通信等旺盛市场需求, 我国第三代半导体产业也开始由“导入期”向“成长期”过渡,初步形成从材料、器件到应用的全产业链。但美中不足在于整体技术水平还落后世界顶尖水平好几年,因此在材料、晶圆、封装及应用等环节的核心关键技术和可靠性、一致性等工程化应用问题上还需进一步完善优化。
当前,全球正处于新一轮科技和产业革命的关键期,第三代半导体产业作为新一代电子信息技术中的重点组成部分,为能源革命带来了深刻的改变。
在此背景下,OFweek维科网·电子工程作为深耕电子产业领域的资深媒体,对全球电子产业高度关注,紧跟产业发展步伐。为了更好地促进电子工程师之间技术交流,推动国内电子行业技术升级,我们继续联袂数十家电子行业企业技术专家,推出面向电子工程师技术人员的专场在线会议 「OFweek 2022 (第二期)工程师系列在线大会」 。
本期在线会议将于6月22日在OFweek官方直播平台举办,将邀请国内外知名电子企业技术专家,聚焦半导体领域展开技术交流,为各位观众带来技术讲解、案例分享和方案展示。
一、带隙：导带的最低点和价带的最高点的能量之差。也称能隙。
带隙超过3ev的被认为是宽带隙半导体，例如GaN、SiN和ZnO。
小于3ev的就是窄带隙。
带隙越大，电子由价带被激发到导带越难，本征载流子浓度就越低，电导率也就越低。
室温下，Si的带隙为1.1eV，GaAs的带隙为1.43eV，一般把室温下带隙大于2.0eV的半导体材料归类于宽带隙半导体，宽带隙半导体在蓝、紫光和紫外光电子器件，高频、高温、高功率电子器件及场发射器件方面应用广泛。
二、宽窄的判定
宽是指>3ev 窄是指<3ev。
金属导体的特征及静电感应现象金属导体的特征是它具有大量的自由电子，金属原子中的价电子不完全属于某一个原子，而可以在整个金属导体各原子之间自由地运动，这种可以在金属导体中自由运动的电子称为自由电子(当不受电场力作用时，这些自由电子的运动是无规则的当受到电场力作用时，除了作不规则运动外，它们还在导体中沿电场力方向作定向运动(
当导体不带电或不受外电场作用
时，金属导体中自由电子的负电荷和正
离子的正电荷均匀分布相互中和，整个 导体或其中任一部分都是电中性的(如 果把导体放入电场中，情况就不同了(例 如把带正电的玻璃棒A放在绝缘导体B
附近(图7,1)，则导体B中的自由电子
因受到带电玻璃棒A的电场力的作用便 沿电场力方向运动，结果在靠近A的端 面上出现负电荷，远离A的端面上出现图7,1
正电荷(这种现象称为静电感应(导体
B端面上出现的正负电荷称为感应电
荷(
2(导体的静电平衡条件
现在再来详细讨论在静电感应过程中导体内电场变化的情况(为简便起见，假设导体是一块两面平行的金属板，外电场E是与板面垂直的均匀电场(例如带0
等值异号电荷的两块平行板所产生的电场)(在金属板刚放入电场的短暂时间[图7,2(a)]，金属板中存在着电场，金属板中的自由电子就要受到电场力作用，这些自由电子在电场力作用下将沿电场的反方向作定向运动，结果是导体的一面出现正电荷，另一面出现量值相等的负电荷(这些感应电荷在金属板内部产生电场强度E’，其方向与外电场E的方向相反[图7,2(b)](金属板内部的总电场强度0
是E + E’，只要E’ <E，E + E’ ? 0，自由电子就继续向左边移动，从而使E’ 增000
大，直到E + E’ = 0(这时导体中自由电子的定向运动就完全停止了，导体两端0
的正、负感应电荷不再增加[图7,2(c)](当导体中没有电荷作定向运动时，我们就说这导体处于静电平衡状态(
导体处于静电平衡状态的条件是导体内部电场强度处处为零(因为如果导体内部电场强度不等于零，导体中的自由电子将受电场力作用而作定向运动，这样，导体就不是处于静电平衡状态了(
由导体的静电平衡条件可以导出如下推论:
1
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(a)金属板刚放入电场 (b) E’<E时板内E+ (c)板内E +E’ = 0时， 000
时，板内电场强度为 E’ ? 0，自由电子继 自由电子无定向运动(
E，自由电子向左移( 续左移( 0
图7,2
(1) 导体的表面是一等势面，整个导体是一等势体(
设a、b为导体内部或表面上任意两点，由(6,30)式a、b两点的电势差
b(在导体内部任取一条曲线将a、b两点连结起来作为积分路径，V,V,E,dlab,a
b因为路径在导体内部，E = 0，故有V,V,E,dl,0，(a、b是导体内V,Vabab,a
部或导体表面上任意两点，所以导体内部各点电势相等且等于导体表面的电势(
(2) 在导体外，紧靠导体表面的点的电场强度与导体表面垂直(
因为导体的表面是等势面，在导体外电场线与导体表面垂直(又因在导体外紧靠导体表面的点的场强E的方向与电场线于该点的切线方向相同，所以E与导体表面垂直(
,2中感应电荷并未使导体外的电场受到改变(但在一般 应当指出，在图7
情形，感应电荷所产生的电场与外电场叠加不仅使导体内的电场强度变为零，而且还会使导体外的电场发生改变(
二、在静电平衡时导体上电荷的分布
现在根据上述静电平衡条件来讨论当导体处于静电平衡状态时电荷在导体上的分布情况(
1(当导体处于静电平衡时，导体内部没有净电荷，一切净电荷都分布在导体的表面上
证明:在导体内部任意画一高斯面S(图7,3)，应用高斯定理于此封闭面:
1 E,S,qd,,S ,0
其中?q为曲面S所包围的净电荷(因导体内
部E = 0，所以，因而?q = 0，即E,dS,0,S
在曲面S内没有净电荷(曲面S是导体内部
的任意高斯面，它所包围的体积可以任意小，
以上结果表示导体内部任意小的体积内都没
图7,3 有净电荷，所以一切净电荷都分布在导体的
表面上(
2(导体表面上电荷面密度与电场强度的关系
2
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设在导体表面某一面积元ΔS上，电荷面密度为σ，场强为E，与ΔS垂直，今作一扁平圆盒形的高斯面包围ΔS，其两底平行于ΔS，高度很小如图7,4(应用高斯定理于此高斯面(通过圆盒面的电场强度通量等于通过上下底面及侧面三部分电场强度通量之和，因为下底面在导体内，在下底面上E = 0，因而通过下底面的电场强度通量等于零(在侧面上或是E = 0(在导体内部分)，或是E与侧面平行(在导体外部分)，所以通过侧面的电场强度通量亦等于零(在上底面上各点的E可认为相同，且与上底面垂直(上底面的面积也为ΔS，则通过上底面的
E,dS,EΔS电场强度通量为EΔS(所以通过整个圆盒面的电场强度通量，,圆盒面
又在圆盒面内的电荷?q = σΔS，由高斯定理
1 E,S,q d ,,圆盒面,0
,ΔS得 EΔS, ,0
,由此得 E, ,0
图7,4 可见在导体表面上电场强度与电荷面密
度成比例(
3(导体内有空腔的情形
如果导体是空心的，并且空腔内没有电荷，则在静电平衡时，(1) 空腔内电势处处相等，因而空腔内没有电场(2) 空腔表面上没有净电荷(
证明:(1) 假设导体的电势为V，则空腔表面S是一电势为V的等势面(又设S为空腔1内与空腔表面邻近的一个等势面，其电势为V(图7,5)，如果V >V，则电场线将从S指111向S，这样通过封闭面S的电场强度通量为正(根据高斯定理，此封闭面内必有正电荷，这1
与空腔内没有电荷的假设相违背，故V ? V，同理V ? V，故V = V(用同样方法可以111
证明空腔内其他各点的电势也是这样，所以腔内各点电势相等，都等于导体的电势V(常量)(又由场强与电势梯度的关系，因空腔内V为常量，故E = 0( E,,,V
, (2) 由导体表面电场强度与电荷面密度的关系，因空腔内处处E = 0，故σ = 0，E,,0
空腔表面上没有净电荷(
图7,5 图7,6
如果空腔内有电荷+q(图7,6)，在导体内取一个包围空腔的闭合面S’，由高斯定理可以证明，在空腔表面上感应出电荷-q，而在导体外表面上感应出电荷+q(
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4(导体表面上曲率对电荷在导体表面上的分布的影响
根据实验，对凸形带电导体来说，当这导体不受外电场影响时，导体表面曲率越大处电场强度E越大，上面讲过电场强度E与电荷面密度σ成正比，所以导体表面曲率越大处电荷面密度越大，但一般不与曲率成正比(
尖端放电现象 如果带电导体有一
尖端，则因尖端处的曲率最大，在尖端处
电荷面密度亦最大，又因导体表面附近的
场强与电荷面密度成比例，所以在尖端附
近电场特别强(图7,7)(空气中原来有少
数离子(带正电或带负电的空气分子)，在
尖端附近的强电场作用下，这些离子发生
激烈运动(在激烈运动过程中，它们和中
性分子相碰，使空气分子电离(使空气分
子失去电子或获得电子)，因而在尖端附图7,7
近产生大量新的离子，这就使空气变得易
于导电，与尖端上电荷异号的离子受到吸引而趋向尖端，结果与尖端上的电荷相中和，使导体上的电荷从尖端漏失(这种现象称为尖端放电(
尖端放电现象可用实验演示，把尖端接到感应起电机的一个电极上，并在尖端附近放一烛焰，则烛焰可以被吹熄(这是因为尖端附近空气中与尖端上电荷同号的离子受到排斥而离开尖端时形成所谓电风之故(由于受尖端附近电场作用而获得很大速度的异号离子位于烛焰与尖端之间，所以异号离子的运动对烛焰不发生影响(
三、静电屏蔽
从以上讨论知道，把不带电的空心导体放入外电场中，当导体处于静电平衡时，导体内部和空腔内部各点的电场强度为零(由于空腔内电场强度处处为零，放在空腔内的物体就不会受到外电场的影响，所以空心金属导体对于放在它的空腔内的物体有保护作用，使它不受外电场的影响(
另一方面，我们也可以使任何带电体不去影响别的物体(例如把一带负电的物体放在空心金属盒里(图7,8a)，由于静电感应，在空腔表面上产生异号电荷，在金属盒的外表面上产生同号的电荷(如果将金属盒接地，则金属盒上的负电荷将和地面上的正电荷中和，便没有电场线终结于金属盒外表面，盒外电场也就消失了(图7,8b)(这样金属盒内的带电体便不能影响盒外的物体了(所以把带电体放在一个接地的空心导体的空腔内，这带电体便不能影响外界物体(
图7,8
根据以上讨论，可得如下结论:一个接地的空心导体可以隔绝放在它的空腔4
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内的带电体和外界的带电体之间的静电作用，这就是静电屏蔽原理(
编织得相当紧密的金属网，对于距离比网眼大得多的地方来说可以代替金属盒作为静电屏蔽屏(
金属导体的等势性与屏蔽作用在生产上有广泛的应用(例如电话线从高压电线下经过时，为了防止高压线对电话线的影响，在高压线与电话线间装一金属网，收音机的中周变压器用铝罩罩起来，等等，都是为了防止外电场的影响或是防止其本身对周围物体的影响(利用金属导体的等势性，实现了在高压输电线上进行不停电检修(高压带电作业)(这时，电工穿上用金属软线编织的特制衣服——金属均压服，并保持与高压线等电势(这样，金属均压服内以及金属均压服上各处电势相等，并且等于高压线的电势，所以人在金属均压服内不会发生触电危险(
四、静电的应用
静电的应用很广泛，例如静电除尘、矿石的
静电分离、静电透镜、范德格拉夫静电起电机、
静电复印机和激光打印机等(下面简要介绍静电
除尘和静电复印机的基本原理(
,(静电除尘
如图7,9所示，在管式静电除尘器的管心
处悬挂的金属线为放电极，金属圆筒接地，为集
尘极(在金属线和管壁之间加有4~100kV的高
电压，管心处的金属线放电，以致气体电离产生
离子和电子，形成电晕(在管道中的大量的正负
非均匀电场作用下，负离子和电子向管壁加速运
动过程中，与烟尘中的灰尘颗粒碰撞而使之带图7,9
电(强电场力致使大部分带负电的灰尘颗粒趋向
集尘极，并附着在管壁上，当金属圆筒受到振动时，灰尘滑落从下端的出口排除，达到净化烟尘的目的(
2(静电复印机
在静电复印机中主要采用了一种光电导体材料，在无光照射的情况下这种材料是良好的绝缘体，而在光照射下则具有导电性能(光电导体(通常采用硒或硒化合物)薄膜被涂敷在板形或鼓形金属衬底上(在光照之前，光电导体薄膜表面在电场作用下带正电(当需要复印的页面通过光学系统投影到带电的光电导体表面上时，无文字图像的影像因有光照使光电导体导电，于是表面上的正电荷被中和，而有文字图像的区域因未曝光或曝光不足则保留了原有的正电荷(此后，称为上色剂粒子的带负电的粉末颜料与光电导体表面接触，并附着在于带正电的区域，在光电导体表面形成了清晰可见的图像，如图7,10所示(
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