杂志半导体中，少子的来源是什么吗

少子即少数载流子，相对的是多数载流子，两种载流子的浓度乘积是固定的。

掺杂半导体中的掺杂物在常温下完全电离（电离出电子或空穴，依掺杂物种类而异），电离出的载流子远远多于半导体本征电离，于是掺杂半导体便出现两种载流子的严重浓度差异，低的是少数载流子，多的是多数载流子。

是减少，P型半导体中，空穴为多子，自由电子为少子，主要靠空穴导电。掺入的杂质越多，多子（空穴）的浓度就越高，导电性能就越强。

因此,在P型半导体中,空穴数远大于自由电子数,空穴为多数载流子,而自由电子为少数载流子。

在杂质半导体中多子的数量与掺杂浓度有关,少子的数量与温度有关。

少子浓度主要由本征激发决定，所以受温度影响较大。

在N型半导体中，自由电子多，空穴少，多子是自由电子，少子是空穴。在P型半导体中，空穴多，自由电子少，多子是空穴，少子是自由电子。不论是N型半导体中的自由电子，还是P型半导体中的空穴，它们都参与导电，统称为“载流子”，“载流子”导电是半导体所特有的 。

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