关于pn半导体的疑惑

电子走式是个啥..

p型和n型si的划分是以杂质掺杂以后的载流子类型划分的,如果是空穴导电为p型,电子导电为n型

当pn结正向接通的时候(p-si接正电位),在电场作用下n-si的电子被吸向正极,p-si的空穴被吸向负极形成电流.

如果pn结反接(n-si接正极),此时反向偏压阻止载流子的流动,故pn结不能形成电流流动.

这仅是很粗略的大致的解释,

如果真感兴趣还是建议看一下半导体器件物理的专门书籍

补充:加反向偏压时有很小的反向漏电流,大小是一个恒定值.

反压时加强了pn结势垒区的内建电场,更强地阻止了多子载流子的流动.这时反向电流是由p、n区的少子漂移形成，由于少子的数量级比多子少许多数量级，所以反向电流比正向电流少很多，近似处理可以认为反向不导通。

有效质量不是电荷量，所以空穴的有效质量与电子有效质量的大小跟成对产生没有多大关系。我半导体学的不精通，不能给出有效质量谁大谁小的确切解释。不过我觉得空穴毕竟是带正电嘛，貌似起码得带一个原子核，那么它的有效质量肯定远远大于一个电子咯。仅供参考咯

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