这种结构物质的电阻值与铁磁性材料薄膜层的磁化方向有关,两层磁性材料磁化方向相反情况下的电阻值,明显大于磁化方向相同时的电阻值,电阻在很弱的外加磁场下具有很大的变化量。巨磁阻效应被成功地运用在硬盘生产上,具有重要的商业应用价值。
巨磁阻效应在高密度读出磁头、磁存储元件上有着广泛的应用。随着技术的发展,当存储数据的磁区越来越小,存储数据密度越来越大,这对读写磁头提出更高的要求。
巨磁阻物质中电流的增大与减小,可以定义为逻辑信号的0与1,进而实现对磁性存储装置的读取。巨磁阻物质可以将用磁性方法存储的数据,以不同大小的电流输出,并且即使磁场很小,也能输出足够的电流变化,以便识别数据,从而大幅度提高了数据存储的密度。
巨磁阻效应被成功地运用在硬盘生产上。1994年,IBM公司研制成功了巨磁电阻效应的读出磁头,将磁盘记录密度提高了17倍,从而使得磁盘在与光盘的竞争中重新回到领先地位。目前,巨磁阻技术已经成为几乎所有计算机、数码相机和MP3播放器等的标准技术。
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