镍铁层状双金属氢氧化物是什么型半导体

关于镍铁层状双金属氢氧化物是什么型半导体相关资料如下

1. Nature Commun.：预成核策略助力高重现性的钙钛矿太阳能电池

已知湿度对卤化物钙钛矿不利，因此通常在制造期间避免。对水与钙钛矿前躯体之间的化学相互作用的基本了解不足，妨碍了在环境氛围中钙钛矿制造的发展。北京大学深圳研究生院的Shuang Xiao以及杨世和团队报道了一个关键发现，即周围的水会促进铅络合物的形成，当不受控制时，铅络合物将进入大型的中间体纤维微晶中，因此不连续的钙钛矿薄膜不利于光伏性能。为了抵消这种影响，研究人员提出了一种预成核策略。

 

本文要点：

1）中间微晶的准固体前躯体薄膜可以容易地转化为高质量的固体钙钛矿薄膜。从而提供了高效率的钙钛矿太阳能电池。基于FTO/NiOx/MAPbI3/PMMA/PCBM/PPDIN6/Ag器件结构，效率性可达19.5％。同时，太阳能电池显示出高器件重复性，证明了该成核策略的独特优势。

2）可控形成的前躯体薄膜几乎与周围环境无关。由预成核策略产生的高器件重复性是工业生产所需的关键特性。这项工作为开发钙钛矿型太阳能电池的工业生产可靠且具有成本效益的制造方法提供了有效途径。

Zhang,K. et al. A prenucleation strategy for ambient fabrication of perovskite solarcells with high device performance uniformity. Nat. Commun. 11, 1006 (2020).

DOI:10.1038/s41467-020-14715-0.

https://doi.org/10.1038/s41467-020-14715-0

 

2. Chem. Soc. Rev.: 二维COF的超分子设计

2D共价有机骨架（COF）是一类具有高度结晶结构和可调功能的多孔聚合物。2D-COF的结构由通过共价键保持在一起的二维薄片组成，然后通过非共价力将它们堆叠在一起。自其首次报道以来，新COF的合成主要依靠通过共价修饰或通过使用新的热力学控制的共价键形成方法将官能团赋予在单体结构上。德克萨斯大学Ronald A. Smaldone等人总结并讨论了使用超分子设计来利用COF单体和片材之间的非共价力来改善其性能和功能的最新进展。

 

本文要点：

1）总结了2D-COF中各种非共价层间相互作用的重要性和设计考虑因素的研究，包括范德华力，芳环堆积和氢键相互作用。

2）超分子相互作用对其形成机理和整体结构的重要性作为重点讨论。中间层相互作用的力度对于诸如电导率，孔径控制甚至其水解稳定性之类的整体性质至关重要。

3）综述指出，提高单体的平面度会导致具有更高有序性的COF，但是，即使是极其扭曲的形状，设计出的非平面度也会导致相邻薄片上的单体“锁定”在一起；氢键可以稳定层间粘附力并增加COF的结晶度和表面积，但要求它们在层之间具有正确的定向。

4）综述指出，COF设计的下一个前沿领域可能是从超分子化学中汲取灵感，以改善性能并为这些多功能材料开拓新的应用。

半导体是指一种导电性可受控制，范围可从绝缘体至导体之间的材料。无论从科技或是经济发展的角度来看，半导体的重要性都是非常巨大的。很多人一直有疑问，半导体材料有哪些? 半导体材料有哪些实际运用?今天小编精心搜集整理了相关资料，来专门解答大家关于半导体材料的疑问，下面一起来看一下吧!

一、半导体材料有哪些?

常用的半导体材料分为元素半导体和化合物半导体。元素半导体是由单一元素制成的半导体材料。主要有硅、锗、硒等，以硅、锗应用最广。化合物半导体分为二元系、三元系、多元系和有机化合物半导体。二元系化合物半导体有Ⅲ-Ⅴ族(如砷化镓、磷化镓、磷化铟等)、Ⅱ-Ⅵ族(如硫化镉、硒化镉、碲化锌、硫化锌等)、Ⅳ-Ⅵ族(如硫化铅、硒化铅等)、Ⅳ-Ⅳ族(如碳化硅)化合物。三元系和多元系化合物半导体主要为三元和多元固溶体，如镓铝砷固溶体、镓锗砷磷固溶体等。有机化合物半导体有萘、蒽、聚丙烯腈等，还处于研究阶段。

此外，还有非晶态和液态半导体材料，这类半导体与晶态半导体的最大区别是不具有严格周期性排列的晶体结构。制备不同的半导体器件对半导体材料有不同的形态要求，包括单晶的切片、磨片、抛光片、薄膜等。半导体材料的不同形态要求对应不同的加工工艺。常用的半导体材料制备工艺有提纯、单晶的制备和薄膜外延生长。

　　二、半导体材料主要种类

半导体材料可按化学组成来分，再将结构与性能比较特殊的非晶态与液态半导体单独列为一类。按照这样分类方法可将半导体材料分为元素半导体、无机化合物半导体、有机化合物半导体和非晶态与液态半导体。

1、元素半导体：在元素周期表的ⅢA族至ⅦA族分布着11种具有半导性半导体材料的元素，下表的黑框中即这11种元素半导体,其中C表示金刚石。C、P、Se具有绝缘体与半导体两种形态B、Si、Ge、Te具有半导性Sn、As、Sb具有半导体与金属两种形态。

2、无机化合物半导体：分二元系、三元系、四元系等。 二元系包括：①Ⅳ-Ⅳ族:SiC和Ge-Si合金都具有闪锌矿的结构。

　　3、有机化合物半导体：已知的有机半导体有几十种，熟知的有萘、蒽、聚丙烯腈、酞菁和一些芳香族化合物等，它们作为半导体尚未得到应用。

　　4、非晶态与液态半导体：这类半导体与晶态半导体的最大区别是不具有严格周期性排列的晶体结构。

　　三、半导体材料实际运用

制备不同的半导体器件对半导体材料有不同的形态要求，包括单晶的切片、磨片、抛光片、薄膜等。半导体材料的不同形态要求对应不同的加工工艺。常用的半导体材料制备工艺有提纯、单晶的制备和薄膜外延生长。

半导体材料所有的半导体材料都需要对原料进行提纯，要求的纯度在6个“9”以上，最高达11个“9”以上。提纯的方法分两大类，一类是不改变材料的化学组成进行提纯，称为物理提纯另一类是把元素先变成化合物进行提纯，再将提纯后的化合物还原成元素，称为化学提纯。物理提纯的方法有真空蒸发、区域精制、拉晶提纯等，使用最多的是区域精制。化学提纯的主要方法有电解、络合、萃取、精馏等，使用最多的是精馏。由于每一种方法都有一定的局限性，因此常使用几种提纯方法相结合的工艺流程以获得合格的材料。

绝大多数半导体器件是在单晶片或以单晶片为衬底的外延片上作出的。成批量的半导体单晶都是用熔体生长法制成的。直拉法应用最广，80%的硅单晶、大部分锗单晶和锑化铟单晶是用此法生产的，其中硅单晶的最大直径已达300毫米。在熔体中通入磁场的直拉法称为磁控拉晶法，用此法已生产出高均匀性硅单晶。在坩埚熔体表面加入液体覆盖剂称液封直拉法，用此法拉制砷化镓、磷化镓、磷化铟等分解压较大的单晶。悬浮区熔法的熔体不与容器接触，用此法生长高纯硅单晶。水平区熔法用以生产锗单晶。水平定向结晶法主要用于制备砷化镓单晶，而垂直定向结晶法用于制备碲化镉、砷化镓。用各种方法生产的体单晶再经过晶体定向、滚磨、作参考面、切片、磨片、倒角、抛光、腐蚀、清洗、检测、封装等全部或部分工序以提供相应的晶片。

以上就是小编今天给大家分享的半导体材料的有关信息，主要分析了半导体材料的种类和应用等问题，希望大家看后会有帮助!想要了解更多相关信息的话，大家就请继续关注土巴兔学装修吧!

---