为什么c不能做半导体？

其实是可以的，目前最高频的器件就是用石墨(C)做的。

在240nm工艺下可以达到石墨器件可以跑到100G Hz。同样工艺下的Si器件只能做到40G Hz.

但是，跑得快并不是IC的唯一考虑。从综合性能看来，目前还是Si器件比较稳健。

lie2010说的不对。

石墨的载流子迁移率是很高的(比Si要高1倍多)，所以才能做出非常高频的器件。只是石墨器件比较难做。

器件中，Si，Ge的空穴和自由电子主要不是本征电离得到的， 而是掺杂电力得来的。

详细资料可以看 2010-2-5 Science

100-GHz Transistors from Wafer-Scale Epitaxial Graphene

1A52CC是NPN型三极管，全称应为半导体三极管，也称双极型晶体管晶体三极管是一种电流控制电流的，的半导体器件，其作用是把微弱信号放大成幅度值较大的电信号，也用作无触点开关，经三极管是半导体基本元器件之一，具有电流放大作用，是电子电路的核心元件。

---