半导体的发展历史

半导体的发现实际上可以追溯到很久以前。

1833年，英国科学家电子学之父法拉第最先发现硫化银的电阻随着温度的变化情况不同于一般金属，一般情况下，金属的电阻随温度升高而增加，但巴拉迪发现硫化银材料的电阻是随着温度的上升而降低。这是半导体现象的首次发现。

不久，1839年法国的贝克莱尔发现半导体和电解质接触形成的结，在光照下会产生一个电压，这就是后来人们熟知的光生伏特效应，这是被发现的半导体的第二个特征。

1873年，英国的史密斯发现硒晶体材料在光照下电导增加的光电导效应，这是半导体又一个特有的性质。半导体的这四个效应，(jianxia霍尔效应的余绩──四个伴生效应的发现)虽在1880年以前就先后被发现了，但半导体这个名词大概到1911年才被考尼白格和维斯首次使用。而总结出半导体的这四个特性一直到1947年12月才由贝尔实验室完成。

在1874年，德国的布劳恩观察到某些硫化物的电导与所加电场的方向有关，即它的导电有方向性，在它两端加一个正向电压，它是导通的；如果把电压极性反过来，它就不导电，这就是半导体的整流效应，也是半导体所特有的第三种特性。同年，舒斯特又发现了铜与氧化铜的整流效应。

很多人会疑问，为什么半导体被认可需要这么多年呢？主要原因是当时的材料不纯。没有好的材料，很多与材料相关的问题就难以说清楚。如果感兴趣可以读一下Robert W.Cahn的The coming of Materials Science中关于半导体的一些说明 。

海力士半导体（无锡）有限公司联系电话号码为0510-85208888，联系传真为0510-85208298。该公司的具体地址位于江苏省无锡高新区综合保税区K7地块即无锡新区新达路32号（海力士意法路）。

该公司是由由韩国SK海力士株式会社于2005年4月在江苏省无锡市投资设立的半导体制造工厂。主要产品包括用于个人电脑、笔记本电脑的PC-DRAM、数据中心大容量服务器的服务器DRAM、用于手机等移动设备的移动DRAM等。

扩展资料：

海力士半导体（中国）有限公司在中国的发展历程：

1、2004年与无锡市签订合作协议。

2、2005年一期项目投资，厂房建设开工。

3、2006年开始8英寸和12英寸量产。

4、2007年二期项目投资。

5、2008年三期项目投资。

6、2010年4xnm DRAM量产。

7、2011年四期项目投资。

8、2012年公司更名为SK海力士半导体（中国）有限公司。

9、2013年五期项目投资。

10、2xnm DRAM量产。

11、2017年六期项目投资，C2F开工。

12、2018年设立无锡销售总部。

13、2019年C2F竣工仪式。

参考资料来源：SK海力士半导体（中国）有限公司-联络我们

参考资料来源：SK海力士半导体（中国）有限公司-公司历程

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