二极管有正向和反向的区别,不同材质也会有所不同,一般正向导通电压,锗二极管是0.2~0.3V,普通硅二极管是0.5~0.7V,硅整流管是1~1.2V,肖特基二极管大约是0.3V~1V。
目前半导体IC都是由TTL或CMOS构成,因为TTL和CMOS的高低电平的值不一样(ttl5v<==>cmos3.3v),所以互相连接时需要电平的转换:就是用两个电阻对电平分压,没有什么高深的东西。在半导体中导通电压与开启电压有啥区别:(1)昌体管变改基极电压、电流可以改变集电极与发射极之间的电流变化。(2)硅三极管的基极电压低于0.7V,晶体管趋于截止状态集电极与发射极之间的电阻保持无穷大。基极电压到0.7V,这时集电极与发射极开始导通,这基极这一电压特性叫晶体管的开启电压。(3)晶体管从刚开始导通到全部导通之间还有一个工作三角处,模拟电路就是晶体工作在这一三角区域,晶体管要跨过三角工作处才是全导通。(4)施加基极电压使晶体管跃过模拟特性三角处,使晶体管全部导通的基极电压,叫做导通电压。欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
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