简单说明如下,
半导体的压敏性,当外加电压变化达到某一特定阈值时,导致其导电性能能发生明显变化的性质。例如,压敏电阻。 压敏电阻,是指一类对电压敏感的非线性过电压保护半导体元件。
半导体的光敏性,在特定频率的光照下,可导致其电阻率发生变化的性质。例如,光敏电阻。
半导体的热敏性,由于温度变化,可导致其电阻率发生变化的性质。例如,热敏电阻。
增益条件:建立起激射媒质(有源区)内载流子的反转分布。在半导体中代表电子能量的是由一系列接近于连续的能级所组成的能带,因此在半导体中要实现粒子数反转,必须在两个能带区域之间,处在高能态导带底的电子数比处在低能态价带顶的空穴数大很多,这靠给同质结或异质结加正向偏压,向有源层内注人必要的载流子来实现,将电子从能量较低的价带激发到能量较高的导带中去。当处于粒子数反转状态的大量电子与空穴复合时,便产生受激发射作用。
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