一、据该公司称，新的 NAND 已经以有限的数量交付给客户和 Crucial 英睿达 SSD 产品，今年晚些时候将进一步增加产量。美光表示，232层NAND 技术 可以 支持资料中心和汽车应用所需的先进解决方案和即时服务，也能提供行动装置、消费性电子产品和 个人电脑所需的回应速度及沉浸式体验。最终可能有 4 座 600,000 平方英尺无尘室，达 240 万平方英尺，约相当于 40 个美式足球场。
纽约工厂将采用最先进的半导体制造工艺和工具，包括极紫外线（EUV） 光刻技术 ，以巩固公司在DRAM行业中的领先地位。
二、在2031年-2040年期间，美光将致力于推动DRAM在美产量
的增长，目标是占全球产量的40%以上。
总统拜登盛赞美光投资是美国又一次胜利，创造数以万计高薪工作。不过近期存储器市场放缓，美
光执行长 Sanjay Mehrotra 也表示个人计算机和智慧手机需求放缓，到 2023 财年资本支出下降
30% 以上，金额约 80 亿美元。
从市场预期看，2022年全球半导体市场仍将保持增长，但是增幅低于2021年。根据Gartner数据显
示，全球半导体市场在2021年达到5529亿美元，同比增长26%；预计到2022年将进一步增长9%，
达到6014亿美元。从arrow报告趋势来看，存储芯片的交期和价格趋于平稳。据相关机构调查显
示，自6月以来，DRAM现货价格开始下滑，在近两个月的时间里下滑了近20%。
美光是一家基于DRAM、NAND、3D XPoint内存、NOR等半导体技术的内存和存储产品制造商。
总部位于爱达荷州博伊西 ，在中国台湾、新加坡、日本、美国、中国大陆和马来西亚都建有工厂，并通过某些外包进行生产。
三、以美光和关键品牌的形式销售产品，包括晶圆、元件、模组、
SSD、managed NAND和MCP产品。美光的四个业务部门:
计算与联网业务(CNBU，约占收入的43%)：主要负责为云服务、企业、图形处理和互联网等市
场提供存储产品。据
移动业务 (MBU，约占收入的27%)：包括销售到智能手机和其他移动设备市场的内存产品，包
括NAND、DRAM。
存储业务（SBU，约占收入的18%)：主要是为企业和云存储市场提供固态硬盘和组件及解决方
案。
嵌入式业务 (EBU，约占收入的13%)：该部门主要负责为汽车和工业等市场提供存储产品，包括
各种DRAM、NAND 和 NOR。
美光是美国第一大、全球第三大内存芯片 公司，市场份额超过20%，不过主要生产并不在美国，
而且三星及SK海力士 两家韩国公司就占据了全球70%的内存份额。
但美光近日宣布他们的下一代 232 层 NAND 已经开始出货。这是存储的分水岭！美光的第六代
3D NAND 技术 232L 将提供更高的带宽和更大的芯片尺寸最值得注意的是，美光推出了目前
业界最密集的 1Tbit TLC NAND 芯片。
四、关于NAND，我记得长存的进展是192L。芯片法案的产物
《芯片与科学法案2022》总额2800多亿美元的科技补贴法案，其中针对半导体领域的就有520多亿
美元，开始给美国的芯片行业输血补贴。旨在重振美国国内芯片制造，提高美国竞争力。尽管美国
生产的半导体占世界供应总量约10%，但全球另外75%的半导体生产都依赖于东亚地区。
该法案也促使高通（Qualcomm）决定从格罗方德（GlobalFoundries）纽约工厂加购价值42亿美
元的芯片。美光表示大型半导体工厂将成为全球最大半导体厂区，完工后可创造约 50,000 个就业机会，第一阶段投资金额预估 200 亿美元，将在纽约州克莱镇 新建一个巨型内存工厂，2023 年开始场地准备工作，2024年开始施工，2025年实现量产，并在2026年-2030年间根据行业需求逐步增产。
作为全球领先无晶圆半导体公司，高通宣布计划在未来5年将其在美国的半导体产量增加
50%。
同样，英特尔在一月份曾宣布计划投资1千亿美元用于在俄亥俄州建造新的芯片厂区，启动资金高达
200亿美元。该项目的全面建成也离不开此芯片法案 的资助。
五、该公司总裁兼首席执行官Sanjay Mehrotra表示，在《芯片和科学法案》预计带来的补贴和支持
下，这项投资案将在美国制造最先进的存储器，并将美国国内内存产量从不足全球市场的2%推升至
10%。低端制造业的战略无法执行，中端的汽车呢？好像也不乐观。
高端的航空航天和芯片，至少波音这
边翻车连连，但好在私营部门的空x进展顺利；半导体这边英特尔的服务器至强芯片出了12版还没
能量产，也并不是那么顺利。
所以镁光这个扩产计划，理论可行，实际上美国也能干预全球芯片市场（只有中美日韩四个国家做
存储，都受美国约束）。
但实际执行成什么样，还不确定。
包括英特尔的ucie，fab2.0，都是非常漂亮，理论上万事俱备的概念，但说实话我确实想不明白，富
士康为啥都搞不起来。
所以，无论是英特尔镁光的扩产，还是台积电三星在美国建厂，都还需要看后续。都是很漂亮的计划，但按照经验来看执行是有难度的。
中韩通讯社 韩国金禅子
三星电子8月30日表示，建筑面积达16个足球场(12.89万平方米)的平泽2号半导体工厂已经产出首批D-RAM产品。该工厂将负责生产半导体行业首款应用EUV(极紫外光刻)工艺的尖端第三代10纳米级(1z) LPDDR5 Mobile D-RAM产品。
三星电子表示，“以量产D-RAM产品为起点，平泽2号工厂还将建成新一代V NAND、超精细代工产品生产线，成为高 科技 综合生产工厂，为公司在第四次工业革命时代拉开半导体技术的差距发挥核心作用”。
为应对市场对EUV工艺尖端产品的需求，三星电子从今年5月开始动工在平泽2号工厂建造代工生产线，并从6月份开始建造NAND闪存半导体生产线、应对市场对尖端V NAND产品的需求。这两条流水线都将在2021年下半年正式投产。
三星电子2018年8月公布180万亿韩元、创造4万个就业岗位的投资计划后，开始投资建造平泽2号工厂。
继平泽1号工厂之后，预计平泽2号工厂的总投资规模也将达到30万亿韩元以上。其中三星电子直接雇佣人数将达4000人，包括其供货商等合作伙伴和建设人员在内，共将创造3万多个就业岗位。
平泽1号工厂从2015年动工，占地289万平方米，2017年6月投产。
平泽2号工厂产出的16Gb LPDDR5 Mobile D-RAM产品是第一次利用EUV工艺量产的存储芯片。三星电子表示，这款产品拥有世上最大的容量和最快的运转速度，是业内第一款第三代10纳米(1z)级 LPDDR5产品。
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