2114芯片引脚

u2针脚定义

电源管理芯片引脚定义

电源管理芯片引脚定义

1 VCC 电源管理芯片供电

2 VDD 门驱动器供电电压输入 或初级控制信号供电源

3 VID0-4 CPU与 cpu供电管理芯片VID信号连接引脚,主要指示芯片的输出信号， 使两个场管输出正确的工作电压。

4 RUN SD SHDN EN 不同芯片的开始工作引脚

5 PGOOD PG cpu内核供电电路正常工作信号输出 6 VTTGOOD cpu外核供电正常信号输出 7 UGATE 高端场管的控制信号 8 LGATE 低端场管的控制信号

9 PHASE 相电压引脚连接 过压保护端 10 VSEN 电压检测引脚

11 FB 电流反馈输入 即检测电流输出的大小 12 COMP 电流补偿控制引脚

13 DRIVE cpu 外核场管驱动信号输出 14 OCSET 12v供电电路过流保护输入端 15 BOOT 次级驱动信号器过流保护输入端

16 VIN cpu外核供电转换电路供电来源芯片连接引脚 17 VOUT cpu外核供电电路输出端 与芯片连接 18 SS 芯片启动延时控制端，一般接电容 19 AGND GND PGND 模拟地 地 电源地

20 FAULT 过耗指示器输出，为其损耗功率：如温度超过135c时由高电平转到低电平指示该芯片过耗

21 SET 调整电流限制输入

22 SKIP 静音控制，接地为低噪声 23 TON 计时选择控制输入 24 REF 基准电压输出

25 OVP 过压保护控制输入脚，接地为正常 *** 作和具有过压保护功能，连vcc丧失过压保护功能。

26 FBS 电压输出远端反馈感应输入 27 STEER 逻辑控制第二反馈输入

28 TIME/ON 5 双重用途定时电容和开或关控制输入 29 RESET 复位输出vl-0v跳变,低电平时复位 30 SEQ 选择pwm电源电平转换器的次序 SEQ接地时 5v输出在33v之前 SEQ 接REF上，33v 5v 各自独立 SEQ 接vl上时 33v输出在5v之前 31 RT 定时电阻 32 CT 定时电容

33 ILIM 电流限制门限调整

34 SYNC 振荡器同步和频率选择,150khz *** 作时,sync连接到gnd 300khz时

连接到ref上，用0-5v驱使sync 使频率在340-195khz

电源管理芯片引脚定义

电源管理芯片引脚定义

1 VCC 电源管理芯片供电

2 VDD 门驱动器供电电压输入 或初级控制信号供电源

3 VID0-4 CPU与 cpu供电管理芯片VID信号连接引脚,主要指示芯片的输出信号， 使两个场管输出正确的工作电压。

4 RUN SD SHDN EN 不同芯片的开始工作引脚

5 PGOOD PG cpu内核供电电路正常工作信号输出 6 VTTGOOD cpu外核供电正常信号输出 7 UGATE 高端场管的控制信号 8 LGATE 低端场管的控制信号

9 PHASE 相电压引脚连接 过压保护端 10 VSEN 电压检测引脚

11 FB 电流反馈输入 即检测电流输出的大小 12 COMP 电流补偿控制引脚

13 DRIVE cpu 外核场管驱动信号输出 14 OCSET 12v供电电路过流保护输入端 15 BOOT 次级驱动信号器过流保护输入端

16 VIN cpu外核供电转换电路供电来源芯片连接引脚 17 VOUT cpu外核供电电路输出端 与芯片连接 18 SS 芯片启动延时控制端，一般接电容 19 AGND GND PGND 模拟地 地 电源地

20 FAULT 过耗指示器输出，为其损耗功率：如温度超过135c时由高电平转到低电平指示该芯片过耗

21 SET 调整电流限制输入

22 SKIP 静音控制，接地为低噪声 23 TON 计时选择控制输入 24 REF 基准电压输出

25 OVP 过压保护控制输入脚，接地为正常 *** 作和具有过压保护功能，连vcc丧失过压保护功能。

26 FBS 电压输出远端反馈感应输入 27 STEER 逻辑控制第二反馈输入

28 TIME/ON 5 双重用途定时电容和开或关控制输入 29 RESET 复位输出vl-0v跳变,低电平时复位 30 SEQ 选择pwm电源电平转换器的次序 SEQ接地时 5v输出在33v之前 SEQ 接REF上，33v 5v 各自独立 SEQ 接vl上时 33v输出在5v之前 31 RT 定时电阻 32 CT 定时电容

33 ILIM 电流限制门限调整

34 SYNC 振荡器同步和频率选择,150khz *** 作时,sync连接到gnd 300khz时

连接到ref上，用0-5v驱使sync 使频率在340-195khz

电磁炉8脚芯片一般是电磁炉电源电路的电源管理芯片，内部电路包括电源启动、振荡、取样、稳压调节、稳压输出、过流保护等环节，近几年因电源芯片设计成本低、工作电压范围宽、小巧、技术成熟，被广泛应用于小家电产品领域，常见的芯片如：OB2226AP、SM7028、VPIER12A 、FSD200等，8脚芯片无输出电压常见原因有：

1：芯片外围电路问题。电源芯片正常工作需首先给芯片一启动电压，这个电压一般是交流220V经半波或全波整流再经一个几百千欧的启动电阻供给启动电路端，常见的故障是启动电阻开路导致无启动电压芯片无输出，稳压调节端外围元件也应仔细检查，这种电路外围元件比较少，检查起来相对容易，换掉检测出来坏的元件，如芯片是好的问题就解决啦；

2：电源芯片损坏，损坏原因有内部原因和外部原因。内部原因包括芯片本身质量问题，散热不良引起的参数变化损坏，（芯片自身原因导致无输出电压维修中遇到的占很大比例）这两种情况只能更换同型号芯片，如没有同型号的可通过查资料查可替换品。外部原因常见的有负载端短路引起的过流损坏:虽然芯片内部有过流短路保护电路，但负载端短路瞬间的大电流损坏芯片有时也避免不了，这种情况需检查18V电压的滤波电路、散热风扇、IGBT驱动电路有无损坏，查到对应原因，更换损坏元件后再把芯片更换掉即可排除故障。

2114是1K4的RAM存储器，4个2114地址线、控制线并联，数据线单独组成1K16 ，4组地址线、数据线、we端并联可以组成4K16位的存储器，加上ls138 3-8线译码器或者ls139双2-4线译码器分别接在各组的cs端，就可以了。

提供电源给芯片。

据IT之家得知5aarxl电源芯片引脚功能是输入电源电压引脚，连接到外部电源或电池，以提供电源给芯片。

电源管理芯片，是在电子设备系统中担负起对电能的变换、分配、检测及其他电能管理的职责的芯片。

文档的第7、8页就是接法的电路啊

文档的第16页，也就是最后一页就是各引脚的详细描述

计算过程：

第一步是测量电路工作点的调整，使系统电路处于可以测量出必要的输出电压VDIFF,min 和 VDIFF,max状态，然后可以进一步进行校准。

首先代入所希望的充电电流ICR 和ICM ，并将已知的测量电容的最大值和最小值（CM,min 和 CM,max）代入应用软件，然后代入测量电容最小和最大时的希望的输出电压值VOUT(min) 和VOUT(max) 以及耦合电压VIR。

必须注意充电电流ICR 和ICM应该在2µA 至25µA之间。振荡器频率fOSC应该在1kHz 至130kHz 之间。如果以上参数不在要求范围之内，就要尽可能地修改。

测量电容的值必须在10pF 至2nF 之内。测量电容变化率CM,min/CM,max 应该是参考电容CR (CR=CM,min) 的5% 至100% （比如100pF/105pF 或者100pF/200pF）。最小的输出电压VOUT(min) 可以在0和1V之间。当电源电压Vcc＜19V时，最大输出电压VOUT(max) 为Vcc-5V；当电源电压Vcc＞19V时，最大输出电压值是14V（比如电源电压Vcc=24V时，输出0,5V到10V或者输出1V 到14V）。输出电压VOUT 是信号VDIFF 经过仪表放大IA和运算放大OP得到的。

耦合电压VIR 是电阻RCR , RCM 上的电压降。该电压越低，在底下的电阻RCX 上的电压降就越大。在共同电阻RCX 上的电压降越大，意味着充电电流ICR 和 ICM 的热的耦合也大，也就是二个充电电流相互间热性能的平衡。耦合电压VIR 应该在0,2V（最大耦合）到 2,0V（无耦合）之间。

除了参考振荡器频率 fOSC ，振荡器电阻ROSC 和电容COSC 之外还有必要的电流源电阻RCR , RCM 和 RCX要计算出来以及与振荡器频率相关的低通滤波电容CL1 和CL2也要计算出来。电阻R1确定最后一级运算放大器OP的放大倍数。

对一个系列产品这样一次计算就足够了（取测量电容最小值系列中的最大值CM,min），只要将相应的电容（对所有CM,min）安装到电路板上即可。除外还计算出了测量电容系统可检测的频响fDET（传感器检测速率），它与参考振荡器的频率有关。

用预先确定的和计算出来的外接元器件使得系统电路完全确定了。

计算出的电路参数（第一步以后）

R1 确定最后输出级IA和 OP的放大倍数的电阻（单位：kΩ）

COSC 确定振荡器频率的电容（单位：pF）

ROSC 确定振荡器频率的电阻（单位：kΩ）

fOSC 振荡器频率（单位：kHz）

CR 参考电容（与测量电容最小值CM,min相关）（单位：pF）

RCR , RCM 充电电流调整电阻（单位：kΩ）

RCX 二个充电电流ICR , ICM的热平衡电阻（单位：kΩ）

CL1 , CL2 低通滤波器电容（单位：nF）

fDET 电容传感器CM系统可检测速率（单位： Hz）

REMV1 , REMV2 提高抗EMV电磁干扰的措施（单位： kΩ）

用所给出的固定参数的元器件（见产品说明书）RL2 ，RL3和RB（都是100kΩ，精度是1%），R2 (100kΩ，精度是0,1%)，, CVM (100nF), CREF (22µF)，特别是预先定义的测量电阻 RL1(mess) 和RA(mess) （22kΩ和200kΩ，精度为0,1%），还有经过第一步计算出来的一些外接元器件组成了一个可校准的电路系统，为进一步调整电压信号VDIFF(mess) =VLPout(mess) - VVM 做好准备。最后输出级的放大倍数电阻R1 (精度为0,1%)也同时计算出来，它确定了从电压信号VDIFF放大到输出级（IA和OP）电压VOUT的大小。

现在整个系统可以通电加上电源VCC 正常工作。保险起见可用合适的示波器观察一下是否有完整的锯齿波信号存在，然后做第二步校准。

首先要测出当测量电容最小CM,min和最大CM,max时的输出电压VDIFF(mess,min)和 VDIFF(mess,max) ，并将这二个输出电压值VDIFF(mess,min) 和 VDIFF(mess,max)代入校准应用软件。应用软件计算出二个校准电阻值RL1 和 RA，用它们来替换二个测量电阻RL1(mess) 和 RA(mess) ，获得假定的电压信号VDIFF，并经过输出级IA 和OP放大使输出电压VOUT为所希望的电压信号值。为了能达到所希望的精度，这二个校准电阻值尽可能与计算出的值相等。

第二步 测量

VDIFF (mess,min) 当 CM,min 时，测量VDIFF(mess,min)（单位：mV）

VDIFF (mess,max) 当CM,max 时，测量VDIFF(mess,max)（单位：mV

系统校准应用软件已经将所有寄生效应和所有误差考虑进去，所以计算出的二个校准电阻RL1 和RA 替换二个测量电阻RL1(mess) 和RA(mess) 后，系统的校准就算完成。

软件计算出参数

经过校准后的希望值信息：VOUT 和VDIFF

RL1, RA : 调整VDIFF,min 和VDIFF,min的校准电阻（单位：kΩ）

第三步 误差计算

可以通过第三步将经过校准的输出电压VOUT 测量值代入软件计算出输出误差（%FS），FS= VOUT(max)。

软件计算出参数

经过校准后的希望值信息：VOUT 和VDIFF

RL1, RA : 调整VDIFF,min 和VDIFF,min的校准电阻（单位：kΩ）

第三步 误差计算

可以通过第三步将经过校准的输出电压VOUT 测量值代入软件计算出输出误差（%FS），FS= VOUT(max)。

具体的有份文档>

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