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闪存涨价潮来临 国内产品跟海外的先进水平又一步缩短
12 月 30 日讯,报道称,闪存贬价现已两年了,可是现在好日子要完毕了。自从 6 月份东芝、西数坐落日本的 NAND 闪存工厂断电罢工一个月之后,闪存商场就一向有各种提价的风闻,听多了咱们觉得这便是
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三星电子Fab 17工厂断电 DRAM和NAND芯片生产线受到波及
1 月 2 日讯,据悉,2019 年的最后一天,三星电子对外确认,周二下午在韩国华城芯片工厂发生断电事故,持续大约一分钟,导致其部分生产线暂停。据悉,此次意外是因为当地输电线缆问题造成,预计产能完全恢
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三星其第五代V-NAND存储芯片开始量产,存储市场将迎来大容量需求爆发
三星终于宣布开始大规模生产其第五代V-NAND存储芯片,声称其堆叠层数超过90层,可能指的是其96层,制造生产率可提高30%以上。三星新的V-NAND支持Toggle DDR4.0 NAND接口,可拥
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一种在片上系统中实现Nand Flash控制器的方法
一种在片上系统中实现Nand Flash控制器的方法摘要:Nand Flash以其优越的特性和更高的性价比,在现代数码产品中得到了广泛的应用。在片上系统芯片中集成Nand Flash控制器成为一种趋势
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业界首款最高速NAND Flash,华邦电欲进军车用存储器市场
存储器大厂华邦电(2344)积极抢攻车用存储器市场,发表业界首款最高速度的车用序列式NAND Flash(Serial NAND),在四线序列周边介面(QSPI)下的最高传输速度可达每秒83MB,若采
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江波龙FORESEE品牌持续发力 抢占大容量嵌入式芯片市场
近日,作为国内存储龙头企业,深圳市江波龙电子有限公司(“江波龙”)宣布,旗下FORESEE品牌嵌入式存储芯片业务,在过去三年间,已实现累积销售1.5亿颗,销售超过1.8亿GB存储当量。江波龙从2011
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NAND Flash供过于求价格走跌,这种情形或持续到2018年上半年
据报道,根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)研究指出,2018年第一季在需求端面临到传统淡季的冲击,包含平板电脑、笔记本电脑以及以中国品牌为主的智能手机装置量需求将较2017年第四季
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英特尔傲腾DC P4800X:延迟时间超10ms,性能稳定
英特尔傲腾(Optane)既有消费级产品,也有企业级数据中心专用的产品,其实就是P4800X系列。从官方介绍的数据来看,与3D NAND的DC P3700相比,DC P4800X在较低队列深度下的读写
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关于傲腾、闪存之间的关系,是敌是友大揭秘
英特尔的战略非常清晰:同为新一代存储介质,Optane(傲腾)针对的是热数据,提供其所需要的存储性能;3D NAND(闪存)针对容量型数据存储市场,二者相得益彰。但是这并没有消除市场的疑虑,很多人还是
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美光艾伦预测:今年存储器产能还会继续增长,高于产业平均数
存储器大厂美光科技全球制造资深副总裁艾伦(Wayne Allan)昨(24)日指出,企业级线上交易、自驾车、云端大数据、网通、行动装置、物联网等六大领域对存储器需求强劲,但供给端增幅有限,今年存储器市
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国家存储器基地二期预计2020年产值将超过100亿美元
1 月 14 日讯,近日,湖北省第十三届人民代表大会第三次会议在武昌举行预备会议。会上,湖北亮出了 2019 年发展的成绩单。例如,我国首款 64 层三维闪存芯片在武汉量产;华星光电 T4、京东方10
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存储技术更加注重技术的升级 2020年中国大陆存储将进入丰年
与2018 年的并购、建厂、扩产、投产相比,到目前为止,今年的存储器领域并未出现大规模的并购建厂,而是更加注重技术的升级、以及新产品的研发。2019 年长鑫 19 纳米 DRAM 正式量产,17 纳米
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长江存储64层闪存已量产 预计会有更多的储存产品用上国产芯片
长江存储64 层闪存已量产,国产内存即将进入市场?长江存储科技有限责任公司副董事长杨道虹表示,国家存储器基地项目经过 3 年的建设已经取得了阶段性成效,自主开发的 64 层三维闪存产品实现量产。杨道虹
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长江存储64层3D NAND实现量产 意图打破全球垄断局面
1 月 16 日讯,据悉,长江存储科技有限责任公司 副董事长杨道虹表示,2019 年,国家存储器基地项目基于自主知识产权研发生产的 64 层三维闪存产品已实现量产。当前及接下来一段时间,产能爬坡是长江
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7 月 DRAM 、 NAND 价格继续上涨,最高涨幅 7.89%
据集邦咨询半导体研究中心DRAMeXchang近日发布了今年 7 月存储芯片市场价格统计信息。结果显示,7 月以来全球内存芯片价格环比小幅上涨,其中电脑用 DDR4 8Gb 2133MHz 芯片价格涨
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震撼存储产业,IMFT发布25nm SSD
震撼存储产业,IMFT发布25nm SSD去年8月份,Intel刚刚发布了全球首批34nm MLC NAND闪存新工艺固态硬盘,从50nm进化至34nm。而现在,Intel与Micron所合资的公司
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行动式内存第三季或将持平,分离式行动内存价格或将小涨
根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)调查显示,第二季行动式内存合约价持续受到第一季非市场因素的影响,报价普遍趋于保守,涨价幅度低于其他应用别产品,以分离式行动内存(discrete)
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内存市场竞争激烈,NANDDRAM降价将会非常缓慢
根据Gartner的报告显示,在过去的2017年中,三星已经成功取代英特尔,抢下了全球最大芯片制造商的宝座。要知道,英特尔从1992年就一直占据着这一宝座,如今被三星超越实在是无奈,因为没有人能预料到
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NOR闪存的竞争已走向高端,厂商需在不断加强创新
NOR 闪存具备随机存储、可靠性强、读取速度快等特性,虽然前几年被NAND挤压市场容量趋缓,但近年来自动驾驶、物联网、5G等新兴产业的涌现,使得NOR 闪存又找到了新的用武之地, 由此围绕NOR闪存的