日前SK海力士（SK Hynix）预料，3D NAND Flash发展到200层左右将达可生产性极限，5年内利润空间恐压缩至零，需业界合作开发新材料因应。据报导指出，SK海力士常务李炳基在半导体、面板

NAND Flash控制IC大厂群联日前宣布，PCI-e规格的固态硬碟（SSD）晶片已经通过3D NAND Flash BiCS3测试，下半年将成为PC／NB OEM的SSD市场主流规格，将可望扩大S

今年DRAM内存、NAND闪存涨价救了美光公司，他们本周一正式收购了华亚科公司，内存业务如虎添翼，而闪存方面，美光也公布了两个好消息——该公司的3D NAND闪存产能日前正式超过2D NAND闪存，第

随着原厂3D技术的快速发展，2018下半年各家原厂在96层和QLC技术上竞争激烈，其中，三星已在7月份宣布量产96层3D NAND。据DIGITIMES报道称，东芝存储器（TMC）96层3D NAND

美系存储器大厂美光（Micron）3D NAND技术逐渐成熟后，开始拓展旗下产品线广度，日前耕耘工业领域有成，将推出影像监控边缘储存解决方案，32GB和64GB版microSD卡抢先问世，预计2018

三星是全球最大的存储芯片生产商、供应商，仅仅是NAND闪存就占了全球13的份额，不过韩国本土的工厂已经不是最大的闪存生产基地了，三星这几年来大力投资中国西安，一期及正在建设中的二期投资已经将西安工厂

据韩国媒体报道称，三星电子将对其中国芯片工厂增加80亿美元的投资，以促进NAND闪存芯片的生产。据预计，由于供应有限，以及对5G设备和网络需求的不断上升，明年全球内存芯片市场将出现反d。三星是世界上最

2010年NAND Flash价格发展持续两极化NAND Flash市场未脱传统淡季，仍在等待苹果(Apple)补货效应出现，2010年1月下旬NAND Flash合约价大致持平，高容量32Gb和64

据外媒报道，韩国第二大芯片制造商SK海力士周四发布财报称，受益于DARM内存芯片和NAND闪存芯片需求强劲的推动，该公司第二季度净利润达到创纪录的4.3万亿韩元（约合38.4亿美元），同比增长75.4

亚洲内存芯片制造商的生产计划和前景将受到密切关注，本周这些制造商将开始陆续公布季度财报。此前，由于担心长达两年时间的行业繁荣超级周期可能会终结，这些公司股价大幅下跌。自2016年末以来，规模达1210

下游需求结构来看，手机、服务器、PC三大应用消耗了绝大部分存储器芯片。主流存储器市场以DRAM及NANDFlash为主，立基型存储器则以EEPROM、小容量DRAM、NorFlash、SLCNAND等

NAND 型快闪存储器（Flash Memory）正迎来 10 年一度的需求热潮，也造成做为原料的硅晶圆供应不足，当前库存水准已滑落至历史新低，各家半导体厂商纷纷加快脚步确保供应来源，不过东芝（Tos

随着SSD固态硬盘的推广普及，它高速、低能耗、低噪音的优势的确深受众多消费市场喜爱，但对于追求高可靠性和高经济投入效益平衡的企业级用户而言，SSD这个产品更像是影响系统稳定与效益的天枰砝码，因为低价格

根据外媒报道，NAND Flash 价格去年跌到今年，第三季初虽然出现短暂止跌回升，但 11 月报价又跌回第二季末低点，包括三星、美光等上游原厂第三季获利大幅下滑。不过，下半年智慧型手机销售成绩不差，

美光科技公布截至2019年11月28日的2020财年第一季度业绩，营收及盈利均超市场分析师预期，分析师此前平均预期营收为49.9亿美元，平均预期每股收益是0.47美元。美光强调，最近已收到所有对华为出

12 月 22 日讯，据韩媒报道，市场研究公司预测，基于固态硬盘密度和性能提升，明年全球 NAND 闪存需求将增加，5G 通信、人工智能、深度学习和虚拟现实将引领明年全球 DRAM 和 NAND 闪存

12 月 24 日讯，存储器厂旺宏董事会昨日通过明年资本支出预算，预计投资新台币 87 亿元，将于明年第 1 季起陆续投资，用于 3D NAND 研发等相关需求。新闻主体：旺宏电子于 1989 年创立

DDR3成主流产品 海力士增NAND Flash产能据彭博(Bloomberg)报导，海力士执行长金钟甲(Jong-Kap Kim)表示，2010年第1季DDR3将取代DDR2成为存储器产业的主流产品

美光首席执行官桑贾伊·梅赫罗特拉表示，2019 年抑制价格上涨的存储芯片正处于一个转折点，存储行业将会迎来更好。因此，接下来的两个财政季度应开始显示出更好的结果。梅赫罗特拉的观点也许是正确的。然而，他