据报道，三星电子表示持续两年的内存芯片热潮已经结束。由于芯片业务占三星利润近五分之四，三星电子今年将削减27％的资本支出。三星还提到，“展望2019，由于季节性因素，2019年第一季度的盈利将会疲软，

东芝(Toshiba)和Western Digital(WD)领先业界，宣布抢在存储龙头三星电子之前，研发出96层3DNANDflash存储。韩国方面质疑此一新闻的真实性，指称东芝可能为了出售存储部门

根据集邦咨询半导体研究中心(DRAMeXchange)调查，2018年NAND Flash市场全年供过于求。由于笔记本电脑及智能手机OEM库存皆已备足，再加上中美贸易摩擦、英特尔CPU缺货等影响，对于

存储器作为四大通用芯片之一，发展存储芯片产业的意义不言而喻。对电子产品而言，存储芯片就像粮食一样不可或缺。它与数据相伴而生，哪里有数据，哪里就会需要存储芯片。而且随着大数据、物联网等新兴产业的发展，存

（文章来源：中国智能化网）由于DRAM最新制程转换不易，服务器等需求依然畅旺，Mobile DRAM的装载量持续扩大，都给2018年DRAM的商机带来足够的支撑。3D NAND的多层化，既是进入障碍也

就算3D NAND的每位元成本与平面NAND相比较还不够低，NAND快闪存储已经成功地由平面转为3D，而DRAM还是维持2D架构;在此同时，DRAM制程的微缩也变得越来越困难，主要是因为储存电容的深宽

SSD的价格没有最低，只有更低。据报道，产业链消息人士本周透露，NAND Flash闪存的价格在2019年将继续下滑，虽然今年已经累计榨干50%水分。此前的一份报道称，2019年，SSD每GB的单价会

存储芯片市场在经过长达一年半时间的猛涨后，部分内存芯片的价格突然下跌，加之韩国三星电子近期发布的令人失望的2017年盈利报告，导致那些押注芯片繁荣的投资者感到极度不安。有消息显示，芯片市场目前已开始丧

2016年下半年开始了新一轮存储芯片的旺季，DRAM内存及NAND闪存的价格从那时候开始疯涨，今年已经进入第三个年头了，不过情况也不一样了——DRAM内存颗粒今年的涨价速度放缓到个位数，不过今年并没有

工控储存领导厂商宜鼎国际，旗下工业级3D NAND SSD将正式于10月份开启全球量产，稳步提高产能。宜鼎国际董事长简川胜表示，为提供业界高等级工控品质，宜鼎3D NAND TLC花费超过两年时间进行

未来，肯定会有的。但梦想的实现，往往要孤注一掷的坚持。对于紫光来说，在10月最大的一笔投资莫过于10月12日，紫光成都存储器制造基地项目开工。新闻报道信息显示，该项目占地面积约1200亩，总投资达24

多年来，全球的非易失存储功能都仰仗于 NAND 闪存技术。其用途已经从单纯的闪存驱动器扩展到笔记本电脑、智能手机和平板电脑，如今又扩展至云端存储 *** 作所需固态存储记忆体。随着时间的推移，结构上的逐渐演进

在DRAM供货吃紧的情况下，其再次出现价格疯涨现象。据业者估计，2017年DRAM整体价格涨幅将高达39%，在智能手机存储器容量提升以及服务器需求的驱动下，明年将出现持续增长现象。据市场调查数据显示，

半导体研究机构ICinsights 指出，全球记忆体下半年价格上涨动能可能减缓，包含DRAM 与NAND 快闪记忆体均是如此。尽管涨势减缓，但DRAM 与NAND 今年营收预料仍将创新高记录，这完全都

在过去的几年中，许多存储技术和市场都处于酝酿状态，最近企业级存储系统开始使用SCM存储级内存技术的消息越来越多，与以往不同的是，SCM不只是用作读写缓存，而且还用在持久存储层。那么这项技术将对存储行业

全球内存龙头三星电子传出将进行DRAM扩产计划，业界认为，由于建厂时间还要两年，难解今年缺货窘境，不过受心理层面影响，恐让下半年DRAM涨势止歇。三星决定斥资87亿美元，扩充南韩华城厂DRAM产能。

相信所有人对“存储器”这个名词一点都不陌生，因为所有的电子产品都必须用到存储器，且通常用到不只一种存储器，说它是一种“战略物资”也不为过。存储器：DRAM和NAND存储器是计算机系统中的记忆设备，用来

近日，统计机构DRAMeXchange统计数据显示，由于一些原因，2019年平均DRAM价格将同比下降15％至20％。此前，DRAM内存和NAND闪存芯片的价格已经连续增长了9个季度，高昂的价格也让许

受到智能手机发展停滞、服务器存在出货量不确定以及英特尔处理器缺货的影响，主要NAND Flash闪存制造商将会出现供过于求的情况。据中国闪存市场ChinaFlashMarket报价，截止到2018年5