根据紫光官方的消息，10月12日，紫光成都存储器制造基地项目开工动员活动在成都双流自贸试验区举行。官方称紫光成都存储器制造基地占地面积约1200亩，将建设12英寸3D NAND存储器晶圆生产线，并开展

当下，移动设备已成为我们日常互联生活的中心。随着面向5G速度、4K视频、AR和VR的新兴功能不断提升智能手机、平板电脑和笔记本电脑的能力，用户对设备的期望，以及支持这些日益丰富用户体验的技术需求也在水

东芝公司近日发布了BENAND产品。该产品基于单层存储单元（SLC）NAND闪存，并且内嵌错误纠正功能（ECC）。BENAND产品正式批量生产的时间为2012年3月。BENAND在东芝公司最先进的32

目前，NAND Flash的价格下行趋势已经确立。根据中国闪存市场ChinaFlashMarket近日发布的数据，截止至2018年8月27日，NAND Flash价格指数已累计下滑超过40%，NAND

根据集邦咨询半导体研究中心（DRAMeXchange）最新调查，虽然下半年是产业旺季，但市场持续供过于求，DRAM第三季合约价格季涨幅缩小到仅1~2%，第四季可能反转下跌5%，也不排除跌幅持续扩大的可

3D NAND的出现也是因为2D NAND无法满足人们的需求。NAND闪存不仅有SLC、MLC和TLC几种类型之分，为了提高其容量、降低成本，NAND的制造工艺也在不断进步，厚度开始不断降低，但NAN

据消息，近日慧荣科技（NasdaqGS： SIMO） 公布2019年第三季财报，第三季营收1亿1，317万美元，较上一季大幅成长20%，毛利率49.8%，达到先前预估的高标。税后净利2，443万美元，

2014年12月23日，台北——在设计及推广用于固态存储设备的NAND闪存控制器方面处于全球领导地位的慧荣科技（Silicon MoTIon Technology CorporaTIon， 纳斯达克交

据报道，紫光投资的长江存储传来新动态。CEO杨士宁博士透露，公司计划在明年第四季度量产64层堆叠的3D NAND闪存芯片。资料显示，今年4月份，长江存储在武汉的工厂开始设备安装，今年晚些时候投产32层

据媒体报道，近日，Intel大连非易失性存储二期项目投产启动仪式在大连举行。2006年7月，Intel与大连市政府达成总发展协议，随后建设了占地面积60公顷的300毫米晶圆厂Fab 68，2010年建

近日，备受业界关注的“2018年中国闪存市场峰会（CFMS2018）”在深圳开幕，来自三星、美光、西部数据、长江存储、慧荣科技、群联电子以及江波龙等全球存储界大厂以及英特尔、谷歌等科技界巨头的代表们齐

鉴于预期需求放缓，三星电子明年计划减少内存芯片产量增幅，以确保供应紧缩。这家全球最大的NAND以及DRAM芯片制造商预测，DRAM内存的产量位元增长率（bit growth）将低于20%，而NAND闪

你如果问当前内存市场是谁的天下？那么答案一定是DRAM、NAND flash、NOR flash，三者牢牢控制着内存市场，当前都处于供不应求的状态。不过，在内存天下三分的大背景下，新一代存储技术3D

8月28日，三星电子宣布，未来将投资70亿美元用于扩大西安三星电子NAND芯片的生产。不过，三星称，“此笔投资意在满足NAND芯片市场的需求。”可是，三星的投资真的只为满足NAND芯片市场需求吗？波澜

近两年来DIY市场可谓是风起云涌，从2016年下半年开始SSD、内存和显卡陆续涨价，2017年8GB内存价格甚至一度破千元，显卡一度卖脱销。本以为2018年能够安稳装机了，谁想最近CPU和主板又来凑热

今年第三季度，NAND闪存依然处于供给吃紧的状态，主要是颗粒厂面向3D工艺的转型步伐较慢，低于预期。而需求方面，手机、服务器、数据中心依然表现强势。不过，来自集邦咨询半导体研究中心（DRAMeXcha

非挥发性存储器厂旺宏董事长吴敏求今日透露，该公司已切入3D NAND Flash开发，预计2018年或2019年量产，并进军固态硬盘（SSD）市场。旺宏首季营收中，编码型快闪存储器（NOR Flash

美光科技公司（Micron Technology，Inc.）推出了大容量工业microSD卡 – i300 1TB microSDXC UHS-I ，可满足视频监控市场和其他工业应用的边缘存储需求。该

中国的技术自给自足之路正处于重大突破的边缘，新生的芯片产业有望在 2020 年底之前从去年的几乎为零的产量增长到世界 5％的存储芯片生产。过去几年，将人工智能作为战略重点的中国政府已投入数十亿美元去建