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半导体为什么会容易受到温度影响?会产生什么样的后果?
因为半导体是靠电子和空穴的移动导电。未掺杂的半导体叫本征半导体,一般说来导电性远不如掺过杂的半导体,所以一般使用的都是掺杂半导体。掺入的杂质电离出的电子和空穴增强了半导体导电性,其电离率和温度密切相关,所以温度会影响半导体材料的电阻率。对于
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温度对半导体导电特性的影响,我要具体详尽的说明,谢谢!!!注释:强调的是温度
拿其电阻率来说,电阻率主要决定于载流子的浓度和迁移率,两者均与杂质浓度和温度有关系。讨论纯半导体材料是,电阻率主要取决于本证载流子浓度ni,ni随温度升高会急剧增加,室温左右时,每8℃,硅的ni会增加大约一倍,而迁移率只是稍有下降,所以可以
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什么是结温?
结温(Junction Temperature)是电子设备中半导体的实际工作温度。在 *** 作中,它通常较封装外壳温度(Case Temperature)高。温度差等于其间热的功率乘以热阻。最大结温在指定一个组成成分的数据,并给定功耗的情况下,
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电器半导体发热时温度的上升速度与哪些因素有关,如需降低上升速度,要在哪些
跟你使用环境有关的吧。在一定温度下,半导体的电子空穴对的产生和复合同时存在并达到动态平衡,此时半导体具有一定的载流子密度,从而具有一定的电阻率。温度升高时,将产生更多的电子空穴对,载流子密度增加,电阻率减小。半导体的五大特性∶掺杂性,热敏性
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半导体为什么会容易受到温度影响?会产生什么样的后果?
因为半导体是靠电子和空穴的移动导电。未掺杂的半导体叫本征半导体,一般说来导电性远不如掺过杂的半导体,所以一般使用的都是掺杂半导体。掺入的杂质电离出的电子和空穴增强了半导体导电性,其电离率和温度密切相关,所以温度会影响半导体材料的电阻率。对于
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1,半导体随着温度升高,其电阻率的变化如何?为什么?
半导体随着温度升高,其电阻率是变小的。因为半导体材料的分子一般排列的比较有序,才导致可以用半导体材料做成二极管,具有单向导电性。随着温度的升高,分子排列的无序性变大,导电性能变好。电阻率将会减小。正确。本征半导体就是非常纯净的半导体晶体。
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太阳能电池的温度与开路电压和短路电流之间的具体关系!
温度升高两者都会增加,我定性描述一下,定量公式楼主参见“半导体物理”教材。(这里以染料敏化太阳能电池为例,PN结电池类似,只不过要考虑空穴而已)根据费米狄拉克分布,当注入电子量一定后,温度升高的话更多的电子会布居在能态较高的缺陷态,导致费米
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1,半导体随着温度升高,其电阻率的变化如何?为什么?
半导体随着温度升高,其电阻率是变小的。因为半导体材料的分子一般排列的比较有序,才导致可以用半导体材料做成二极管,具有单向导电性。随着温度的升高,分子排列的无序性变大,导电性能变好。电阻率将会减小。半导体导电是通过载流子进行的,载流子数量越多
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温度升高,杂质半导体中多子浓度有变化吗?
低掺杂半导体:由于所有杂质完全电离,温度升高时多子浓度基本不变.高掺杂半导体:杂质只有部分电离,温度升高导致未电离的杂质原子电离,多子浓度升高明显.中等掺杂:介于二者之间.你说的高低掺杂应当是简并与非简并的问题,在非简并情况下,即低
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半导体为什么会容易受到温度影响?会产生什么样的后果?
因为半导体是靠电子和空穴的移动导电。未掺杂的半导体叫本征半导体,一般说来导电性远不如掺过杂的半导体,所以一般使用的都是掺杂半导体。掺入的杂质电离出的电子和空穴增强了半导体导电性,其电离率和温度密切相关,所以温度会影响半导体材料的电阻率。对于
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为什么半导体的温度不能过高?
首先,常识我们知道,任何东西的温度太高,都会产生物理或者化学性的变化(烧坏),在理论上,实际应用的半导体大都是掺杂的半导体,而且大都是利用掺杂半导体中杂质电离产生的载流子进行工作的,在半导体工作温度下,杂质电离起主导作用,但半导体中的杂质电
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PTC半导体陶瓷发热片的原理?
PTC陶瓷发热片是一个正温度系数的热敏电阻。其阻值会随着温度的升高而增大。如电阻两端加额定电压,当电流流过此电阻时,电阻发热温度逐渐升高阻值逐渐增大,使电流逐渐减小。当发热和散热达到平衡时此电阻就保持恒定的阻值和温度,可做为恒温加热使用。半
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半导体为什么会容易受到温度影响?会产生什么样的后果?
因为半导体是靠电子和空穴的移动导电。未掺杂的半导体叫本征半导体,一般说来导电性远不如掺过杂的半导体,所以一般使用的都是掺杂半导体。掺入的杂质电离出的电子和空穴增强了半导体导电性,其电离率和温度密切相关,所以温度会影响半导体材料的电阻率。对于
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半导体为什么会容易受到温度影响?会产生什么样的后果?
因为半导体是靠电子和空穴的移动导电。未掺杂的半导体叫本征半导体,一般说来导电性远不如掺过杂的半导体,所以一般使用的都是掺杂半导体。掺入的杂质电离出的电子和空穴增强了半导体导电性,其电离率和温度密切相关,所以温度会影响半导体材料的电阻率。对于
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半导体为什么会容易受到温度影响?会产生什么样的后果?
因为半导体是靠电子和空穴的移动导电。未掺杂的半导体叫本征半导体,一般说来导电性远不如掺过杂的半导体,所以一般使用的都是掺杂半导体。掺入的杂质电离出的电子和空穴增强了半导体导电性,其电离率和温度密切相关,所以温度会影响半导体材料的电阻率。对于
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温度升高,杂质半导体中多子浓度有变化吗?
低掺杂半导体:由于所有杂质完全电离,温度升高时多子浓度基本不变.高掺杂半导体:杂质只有部分电离,温度升高导致未电离的杂质原子电离,多子浓度升高明显.中等掺杂:介于二者之间.你说的高低掺杂应当是简并与非简并的问题,在非简并情况下,即低
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半导体电导率随温度变化
你这个“一般情况”说的不清楚。对于半导体的电阻率对温度变化的性质,要分两种情况讨论。第一,本征半导体,载流子全部由自身产生,温度升高,载流子浓度增加,电导率提升,电阻率下降;第二,杂质半导体,这个要结合本征激发和杂质电离综合讨论,还要考虑温
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半导体的阻值会随温度发生变化,其变化情况如图所示.为了消除温度对半导体阻值的影响,应给半导体串联一
未进行温度补偿时,电阻丝的阻值随温度的增大而增大,所以串联的电阻应该是随着温度的升高而减小的电阻,不能减小到0;且温度越高,阻值变化不大,由图可知,BD选项电阻随温度的升高而增大,不符合题意,B选项是随着温度的升高而减小的电阻,从图象的趋势
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锑是电和热的不良导体,为什么还说它是半导体
半导体指的是其电阻和温度不呈线性关系的物质,一般的物质都是随着温度的升高而电阻增大,就像铜丝或者铁丝,流过大电流会导致温度升高而电阻增大因为热功率是和电阻阻值成正比的,因此会引起温度继续升高,直至熔断,或者达到一个饱和电阻不会继续增大,温度