2019年9月26 日 – 专注于引入新品并提供海量库存的电子元器件分销商贸泽电子 （Mouser Electronics） 即日起开始备货Texas Instruments （TI） LMG1210

中国 上海 – 2013年7月1日 – 技术创新的射频解决方案领导厂商TriQuint半导体（纳斯达克代码：TQNT），今天发布了15款新型氮化镓（ GaN ）放大器和晶体管以及两套全新的氮化镓工艺。

日前，汽车零部件供应商MARELLI（马瑞利）与半导体公司Transphorm达成战略合作。前者将获得电动和混合动力车辆领域的的动力总成逆变器开发技术，以及车载充电器、电压转换器等产品，进一步完善新能

氮化镓、MMIC、射频SoC以及光网络技术的并行发展共同助力提高设计和成本效率5G的出现促使人们重新思考从半导体到基站系统架构再到网络拓扑的无线基础设施。在半导体层面上，硅基氮化镓的主流商业化开启了提

技术创新的射频解决方案领导厂商TriQuint半导体公司和Richardson RFPD今天宣布，Richardson RFPD新建立的氮化镓技术中心 (Tech Hub) 展示了TriQuint业内

2020年3月20日 – 专注于引入新品并提供海量库存的电子元器件分销商贸泽电子 （Mouser Electronics） 即日起开售Maxim Integrated的MAX22701E隔离式栅极驱动

首批商用氮化镓集成功率级器件国际整流器公司 (InternaTIonal RecTIfier，简称IR)  推出行业首个商用集成功率级产品系列，采用了IR革命性的氮化镓 (GaN) 功率器件技术平台。

氮化镓充电器是什么氮化镓是一种新型半导体材料，它具有禁带宽度大、热导率高、耐高温、抗辐射、耐酸碱、高强度和高硬度等特性，在早期广泛运用于新能源汽车、轨道交通、智能电网、半导体照明、新一代移动通信，被誉

氮化镓南征北战纵横半导体市场多年，无论是吊打碳化硅，还是PK砷化镓。氮化镓凭借其禁带宽度大、击穿电压高、热导率大、电子饱和漂移速度高、抗辐射能力强和良好的化学稳定性等优越性质，确立了其在制备宽波谱、高

电子发烧友网讯：过去在电子工业中知名的普莱思半导体有限公司（Plessey Semiconductors Ltd.，位于英国普利茅斯），已交付到能够一次处理7个6英寸的晶片的Aixtron（爱思强）公

用于无线基础设施的半导体技术正在经历一场重大的变革，特别是功率放大器(PA)市场。横向扩散金属氧化物半导体(LDMOS)晶体管在功率放大器领域几十年来的主导地位正在被氮化镓(GaN)撼动，这将对无线基

紫外线指数是指当太阳在天空中的位置最高时（一般是在中午前后，即从上午十时至下午三时的时间段里），到达地球表面的太阳光线中的紫外线辐射对人体皮肤的可能损伤程度。紫外线指数变化范围用0－15的数字来表示，

在第 3 部分中，我将全面介绍降压稳压器电路中影响 EMI 性能和开关损耗的感性和容性寄生元素。通过了解相关电路寄生效应的影响程度，可以采取适当的措施将影响降至最低并减少总体 EMI 信号。一般来说，

Power IntegraTIons（PI）于2019年7月27日发布了结合PowiGaN技术的全新InnoSwitch™3系列恒压恒流离线反激式开关电源IC，利用GaN（氮化镓）技术，让InnoS

当我们推进功率密度创新以帮助工程师将更多电源封装到更小空间时，企业和消费者将从更高效、更持久的电子器件和更可靠的数字联接中受益。人们期望电子器件能够在任何时间、任何有需要的地方工作。这些器件不分昼夜地

据俄科院西伯利亚分院网站报道，该分院计算数学、数学地质物理所、半导体物理所会同德国保罗—德鲁德固态电子学研究所（柏林）的联合科研团队计算了激子（一种准粒子）行为并构建了数学模型，此项研究可用于下一代微

今年的GaN(氮化镓)器件市场异常活跃，GaN逐渐成为主流，开始渗透一些批量需求的商业市场。GaN已经在大部分高功率军事应用中站稳了脚跟，并且还抓住了有线电视、移动基础设施的部分市场。虽然LDMOS(

日前，全球领先射频解决方案供应商Qorvo在中国山东德州举办盛大庆典仪式，宣布其在该地的新工厂正式投入运营，又一家全球重量级的半导体厂商在中国大手笔增加布局，此德州射频器件封测厂投入运营后，加上Qor

近日，国星光电在深交所互动易平台上回答了投资者的问题时表示，硅基AlGaN垂直结构近紫外大功率LED外延、芯片与封装研究及应用”及公司参与申报的“彩色Micro-LED显示与超高亮度微显示技术研究”项