中国上海，2016年2月24日- 领先的高性能模拟、微波、毫米波和光波半导体产品供应商MACOM日前宣布推出其备受瞩目、应用于宏基站的MAGb系列氮化镓（GaN）功率晶体管。借助于第四代氮化镓的技术优

电力电子世界在1959年取得突破，当时Dawon Kahng和MarTIn Atalla在贝尔实验室发明了金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）。首款商业MOSFET在五年后发布生产，从那时起，

导读：在全球追求产品效能的大背景下，传统硅功率半导体，正逐渐面临发展瓶颈，而具有比硅更低导通电阻及更高切换速度的氮化镓近几年成为众所瞩目的焦点。电源领域是目前氮化镓功率器件最大的应用市场，电源管理市场

纳微 （Navitas） 半导体宣布推出世界上最小的65W USB-PD （Type-C） 电源适配器参考设计，以跟上过去十年来笔记型电脑在更小尺寸和更轻重量两方面的显着改变。这高频及高效的AllGa

由爱戴爱集团主办，《Bodo‘s功率系统》杂志协办的PEC-电力电子峰会苏州站将于10月25-26号苏州会议中心拉开序幕。此次PEC-电力电子峰会苏州站期间，将涵盖围绕先进电力电子技术、电力电子与新能

随着市场对混合动力电动车的需求不断增加，晶片产业对功率电子元件市场的期望也越来越高；市场研究机构 IHS 指出，来自电源供应器、太阳光电逆变器（PV）以及工业马达驱动器等的需求，预期可在接下来十年让

英国财政部秘书长丹尼历山大宣布为恩智浦（NXP）英国分公司提供200万英镑，以促进氮化镓（GaN）器件的发展。该资金来源于政府区域增长资金（RGF），将带动超过750万英镑的私营投资；保障斯托克波特超

全球功率半导体和管理方案领导厂商–国际整流器公司 （InternaTIonal RecTIfier，简称IR） 近日宣布已经为一套家庭影院系统测试并装运了基于其革命性氮化镓 （GaN） 功率器件技术平

在近日的业内电源展会上，英飞凌公布了最新的氮化镓材料应用，一款功率为65W的USB PD充电器。它的功率器件采用了第三代半导体材料氮化镓（GaN），由英飞凌自家研发生产，称之为“CoolGaN”。英飞

富士通半导体有限公司台湾分公司宣佈，成功透过硅基板氮化镓（GaN）功率元件让伺服器电源供应器达到2.5kW的高输出功率，并扩大电源供应的增值应用，实现低碳能源社会。富士通半导体的GaN功率元件将于20

前言在功率元器件的发展中，主要半导体材料当然还是Si。同样在以Si为主体的LSI世界里，在“将基本元件晶体管的尺寸缩小到1k，同时将电压也降低到1k，力争更低功耗”的指导原理下，随着微细加工技术的

对于功率电子而言，宽能带隙材料能够以相同甚至更低的成本，显著改善效率、尺寸及重量等指标。简单地说，宽能带隙器件具有优胜10倍的导通和开关性能，这种性能提升对于风能和太阳能、混合动力以及电动车辆的普及是

据报道，共同研究室预计将于2017年3月底前后设置、最初由总计10名左右的研究人员参加。该研究室力争将“氮化镓”这种物质运用在控制电流的新一代半导体功率器件等中。据了解，“氮化镓”是天野研发的获诺贝尔

氮化镓（GaN）被业界称为第三代半导体材料，应用范围非常广，包括半导体照明、激光器、射频等，而用在充电器上可在超小体积上实现大功率输出。不久前，Anker推出了全球首款采用氮化镓材料的充电器，型号“P

2019年3月12日，由新一代无线充电技术领军者AirFuel无线充电联盟与天地互连联合举办的“第二届无线充电大会暨开发者论坛”在深圳蛇口南海希尔顿酒店隆重开幕。大会为期两天，聚焦下一代无线充电技术，

氮化镓单晶材料生长难度非常大，苏州纳维的2英寸氮化镓名列第一。真正的实现了“中国造”的氮化镓衬底晶片。氮化物半导体的产业发展非常快，同样也是氮化物半导体产业发展不可或缺的要素。一枚看似不起眼、“又轻又

台北的五月皎阳似火，滚滚热浪将肉眼可见的光线变得弯曲涨裂，如置身于凤凰涅槃的火海。而更让人心潮激荡的是，COMPUTEX TAIPEI台北国际电脑展将在5月28日正式拉开帷幕，一年一度的硬件盛宴即将开

中国首家商用氮化镓（GaN）电子器件生产企业苏州能讯高能半导体有限公司 （Dynax Semiconductor， Inc.），发布适合5G移动通信的宽带、高效的GaN功放管DX1H3438140P，

加州戈拉塔--（BUSINESS WIRE）--（美国商业资讯）--最高可靠性高压（HV）氮化镓（GaN）半导体的设计和制造领导者Transphorm Inc.今天宣布，它已与贸泽电子（Mouser