变。温度升高，刚开始由杂质能级电离，多子少子浓度变化不同，此时多子来自杂质及本征激发，而少子来自本征激发。温度再升高，致使杂质全部电离后，半导体处于饱和区。温度继续升高，这时载流子将由本征激发为主，到一定程度，电子空穴浓度会趋于相等。之后的

红外光谱吸收强度表达具体介绍如下：1、根据分子式计算不饱和度公式： 不饱和度Ω＝n4+1+(n3-n1)2其中：n4：化合价为4价的原子个数，n3：化合价为3价的原子个数，n1：化合价为1价的原子个数。2、分析3300~2800cm-

原子、分子和某些半导体材料，能分别吸收和放出一定波长的光或电磁波。根据固体能带论，半导体中电子的能量状态分为价带和导带，当电子从一个带中能态E1跃迁(转移)到另一带中的能态E2时，就会发出或吸收一定频率(υ)的光。υ与能量差(ΔE=E2-E

禁带宽度对于半导体器件性能的影响非常大，它直接决定着器件的耐压和最高工作温度；比如氮化镓禁带宽度很大，即便高温价带电子也很难吸收大于Eg的热辐射的能量跳变到导带，这样就能继续发挥半导体作用，同理因为跃迁能量较大，所以GaN更难被击穿，因此常

带隙和波长的关系：相应的最大辐射几率的波长λ=Eghc，其中c是光速，h是普朗克常数。禁带宽度是半导体的一个重要特征参量，其大小主要决定于半导体的能带结构，即与晶体结构和原子的键合性质等有关。半导体价带中的大量电子都是价键上的电子（称为价

这个问题是半导体物理中的重要问题，而且也与光电器件有关。直接迁移型半导体即直接跃迁能带结构的半导体，这种半导体的导带底与价带顶都在Brillouin区中的同一点（即波矢相同）。半导体价带顶的电子获得足够的能量之后，可直接跃迁到导带底，并产生

发光是物体内部以某种方式储存的能量转化为光辐射的过程。发光物体的光辐射是材料中受激发的电子跃迁到基态时产生的。半导体（主要是元素周期表中Ⅲ族和Ⅴ族元素构成的化合物半导体）发光二极管属于电流激发的电致发光器件。LED的发光过程包括三部分：1

在一定的温度下，如果没有其他外界作用，半导体中的导电电子和空穴是依靠电子的热激发作用而产生的，电子从不断的热振动的晶格中获得能量，向具有高能量的量子态跃迁同时 还有电子向晶格中释放能量，进而向具有低能量的量子态跃迁这两个相反的过程之间将会建

光学校正出了问题，你需要重新校正。其实厂家在安装设备时会给你在电脑里备份光学校正数据的，就是为了防止客户随便修改光学校正数据导致失真。你可以联系厂家去校正，或者你自己来校正。具体办法就是画个最大幅面的方形，然后在黑纸上打方形，自己修改光学校

船插是特意为舰船提升特定能力而准备的特殊舰载装备,有大 中 小型三种型对应各类舰船. 船插一旦被安装就无法卸载,唯一的方法是毁坏船插.并且安装船插的舰船无法拆卸. 船插是非常高效的能力提升装备,高级舰船必备.且船插较为昂贵.关于这个建议去硬

光的反射、透射和吸收首先，光在界面的反射和折射是光与物质极化和电子相互作用的结果，才有介电常数和折射率这一说。然后，要分清界面透过率和整体透过率。界面透过率小，反射率就大。通过界面的光，吸收越大，整体透过率就越小。金属无带隙，电子处于费米

听我娓娓道来. 首先,激光的英文叫Laser light amplification by stimulated emission of radiation.就是通过受激发射实现光放大. 光通过谐振腔的选模作用和增益介质的放大作用,

听我娓娓道来. 首先,激光的英文叫Laser light amplification by stimulated emission of radiation.就是通过受激发射实现光放大. 光通过谐振腔的选模作用和增益介质的放大作用,

原子、分子和某些半导体材料，能分别吸收和放出一定波长的光或电磁波。根据固体能带论，半导体中电子的能量状态分为价带和导带，当电子从一个带中能态E1跃迁(转移)到另一带中的能态E2时，就会发出或吸收一定频率(υ)的光。υ与能量差(ΔE=E2-E

原子、分子和某些半导体材料，能分别吸收和放出一定波长的光或电磁波。根据固体能带论，半导体中电子的能量状态分为价带和导带，当电子从一个带中能态E1跃迁(转移)到另一带中的能态E2时，就会发出或吸收一定频率(υ)的光。υ与能量差(ΔE=E2-E

光的反射、透射和吸收首先，光在界面的反射和折射是光与物质极化和电子相互作用的结果，才有介电常数和折射率这一说。然后，要分清界面透过率和整体透过率。界面透过率小，反射率就大。通过界面的光，吸收越大，整体透过率就越小。金属无带隙，电子处于费米

我觉得没有“最佳带隙”吧，肯定是越小越好。water splitting 热力学要求是 1.23 eV，如果不考虑催化动力学，只要半导体导带和价带位置合适，带隙大于1.23 eV，都有可能实现overall water splitting。

半导体吸收光：在光照射下，价带电子吸收光而获得能量，并从价带跃迁到导带（产生电子-空穴对）。光电池就是利用吸收光来产生电动势的。半导体发光：当有电流通过发光二极管时，即产生非平衡载流子（非平衡的导带电子和价带空穴），然后非平衡的导带电子跃迁

半导体魔角超晶格中的连续Mott跃迁文章出处： Tingxin Li, Shengwei Jiang, Lizhong Li, Yang Zhang, Kaifei Kang, Jiacheng Zhu, Kenji