Vcc和Vdd是器件的电源端。Vcc是双极器件的正，Vdd多半是单极器件的正。下标可以理解为NPN晶体管的集电极C，和PMOS or NMOS场效应管的漏极D。同样你可在电路图中看见Vee和Vss，含义一样。因为主流芯片结构是硅NPN所以

产品特性：最新PowerPAK SC-75 封装有多个型号供选择额定电压8V~30V导通电阻更低，节能环保符合RoHS规范应用范围：手机、PDA、数码相机、MP3 播放器及智能电话中的负载开关-30V

前几天给大家讲了一下晶体管BJT，今天讲一下场效应管-MOSFET。场效应管MOSFET与BJT的不同之处在于BJT需要向基极引脚施加电流，以便于集电极和发射极引脚之间流动。另一方面，场效应管MOSF

逆变器，别称为变流器、反流器，是一种可将直流电转换为交流电的器件，由逆变桥、逻辑控制、滤波电路三大部分组成，主要包括输入接口、电压启动回路、MOS开关管、PWM控制器、直流变换回路、反馈回路、LC振荡

场效应管放大电路一、场效应管的偏置电路及静态分析1. 自给偏压式电路2. 分压式自偏压电路二、场效应管放大电路的动态分析1. 场效应管的微变等效电路2. 场效应管共源极放大电路分析1. 电压放大倍数A

为提高高压电源系统能源效率，半导体业者无不积极研发经济型高性能功率场效应电晶体（FET）；其中，采用Cascode结构的氮化镓（GaN）FET，由于导通和开关损耗极低，且具备比矽FET出色的反向恢复（

1.概述MOSFET的原意是：MOS（Metal Oxide Semiconductor金属氧化物半导体），FET（Field Effect Transistor场效应晶体管），即以金属层（M）的栅极

逆变器（inverter）是把直流电能（电池、蓄电瓶）转变成交流电（一般为220v50HZ正弦或方波）。应急电源，一般是把直流电瓶逆变成220V交流的。通俗的讲，逆变器是一种将直流电（DC）转化为交流

电子发烧友网：本文的主要介绍了逆变器电路DIY制作过程，并介绍了逆变器工作原理、逆变器电路图及逆变器的性能测试。本文制作的的逆变器(见图1)主要由MOS 场效应管，普通电源变压器构成。其输出功率取决于

这里介绍的逆变器(见图1)主要由MOS场效应管。该变压器的工作原理及制作过程：　　图1工作原理一、方波的产生这里采用CD4069构成方波信号发生器。电路中R1是补偿电阻，用于改善由于电源电压的变化而引

这里介绍的逆变器(见图1)主要由MOS场效应管，普通电源变压器构成。其输出功率取决于MOS场效应管和电源变压器的功率，免除了烦琐的变压器绕制，适合电子爱好者业余制作中采用。下面介绍该变压器的工作原理及

开关虽然只是一个小物件，但对于我们的生活来说是非常重要的东西。如今随着科技的不断提高，开关也在不断创新，不知道大家是否听说过触摸延时开关。可能不少朋友家里都在使用这种开关吧！不过大家一定不了解它的原理

大功率宽频带线性射频放大器模块广泛应用于电子对抗、雷达、探测等重要的通讯系统中，其宽频带、大功率的产生技术是无线电子通讯系统中的一项非常关键的技术。随着现代无线通讯技术的发展，宽频带大功率技术、宽频带

一、用指针式万用表对场效应管进行判别（1）用测电阻法判别结型场效应管的电极根据场效应管的PN结正、反向电阻值不一样的现象，可以判别出结型场效应管的三个电极。具体方法：将万用表拨在R×1k档上，任选两个

中国科学技术大学合肥微尺度物质科学国家实验室的研究人员利用原子力针尖诱导的局域催化还原反应，实现了在单层氧化石墨烯上直接绘制纳米晶体管器件。相关研究成果日前在线发表于国际学术期刊《自然—通讯》。单层石

一般我们在做电路设计时候，三极管开关电路和MOS管开关电路有着以下四种区别：首先是三极管是用电流控制，MOS管属于电压控制;然后就是成本问题，三极管便宜，MOS管贵;其次是功耗问题，三极管损耗大;最后

凡是学电的，总是避不开模电。上学时老师教的知识，毕业时统统还给老师。毕业后又要从事产品设计，《模电》拿起又放下了 n 次，躲不开啊。毕业多年后，回头望，聊聊模电的学习，但愿对学弟学妹有点帮助。按理说，

８０５１单片机的４个Ｉ／Ｏ口在结构上是基本相同的，但又各具特点。这四个端口都是８位双向口，每个端口都包括一个锁存器、一个输出驱动器和输入缓冲器。在无片外扩展存储器的系统中，这四个端口的每一位都可以作为

分子生物学技术的迅速发展，给临床医学诊断以巨大的影响，与疾病相关的DNA片段的检测即“基因诊断”成为一种新兴的临床诊断方法，加之本世纪内能与阿波罗登月计划媲美的人类基因组计划的完成和其它相关技术的发展