模拟电子技术是电气工程及其自动化等专业的学生必须掌握的一门技术，此课程在专业培养计划中具有举足轻重的的地位，少年子弟江湖老，如今，走上工作岗位的我们在工作中也许会接触到这些知识，下面就模拟电子技术中的

通常电源设计电路，分为线性电源和开关电源，其中线性稳压电源，是指调整管工作在线性状态下的稳压电源。而在开关电源中则不一样，开关管（在开关电源中，我们一般把调整管叫做开关管）是工作在开、关两种状态下的：

在电路中常见到使用MOSFET场效应管作为开关管使用。下面举例进行说明。图1 如图1所示，使用了P沟道的内置二极管的电路，此处二极管的主要作用是续流作用，电路是锂电池充放电电路，当外部电源断开时采用L

场效应管的分类场效应管可分为两类：一类足结型场效应管，另一类是绝缘栅型场效应管，也称MOS管。结型场效应管依据其沟道所采用的半导体资料，又分为N沟道和P沟道两种；绝缘栅型场效应管除有N沟道和P沟道之格

AC耦合电路如下图所示，一只电容器与运算放大器的同相输入端串联以实现AC耦合，这是一种隔离 输入电压（VIN）的DC分量的简单方法。这在高增益应用中尤其有用，在那些应用中哪怕运算放大器输入端很小的直流

场效应管不仅兼有普通晶体管和电子管的优点，而且还具备两者所缺少的优点。场效应管具有双向对称性，即场效应管的源极和漏极是可以互换的（无阻尼），一般的晶体管是不容易做到这一点的，电子管是根本不可能达到这一

场效应管控制工作电流的原理与普通晶体管完全不一样，要比普通晶体管简单得多，场效应管只是单纯地利用外加的输入信号以改变半导体的电阻，实际上是改变工作电流流通的通道大小，而晶体管是利用加在发射结上的信号电

高压金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）技术在过去几年中经历了很大的变化，这为电源工程师提供了许多选择。了解不同MOSFET器件的细微差别及不同切换电路的应力，能够帮助工程师避免许多问题，并实

1、 概述PB50是美国APEX公司推出的高压型场效应管大功率升压放大器，具有工作电压高（200V）、输出电流大（2A）、高转换速率（50V／μs）、低失真等特点。此外，PB50的限流电路可以将其内部

引言在现代电子设备中有许多继电器用于电源开关。但在开关过程中，常伴随着几个到几十个毫秒的触点回跳和抖动过程，单次抖跳的时间可达几十微秒到几毫秒，因此会引起被控电路的多次误动作。同时存在不同程度的机械碰

1、概述PA42是美国APEX公司推出的一种高电压单片场效应管大功率运算放大器，它具有工作电压高（350V），静态电流小、输出电流大（峰值120mA，连续输出电流可达120mA）、价格低廉等特点。使用

1 引言D类和E类功率放大器克服了A、B、c类功率放大器的缺陷，使功率器件工作于开关状态。但是在工作频率升高时D类就出现一些缺点：（1）由于晶体管存在开关时间，如果开关时问占去信号周期的较大部分时．渡

焊接绝缘栅(或双栅)场效应管以及CMOS集成块时，因其输入阻抗很高、极间电容小，少量的静电荷即会感应静电高压，导致器件击穿损坏。笔者通过长期实践摸索出下述焊接方法，取得令人满意的效果。1.焊绝缘栅场效

场效应晶体管在音响数字化的今天应用范围越来越广。其原理、优点和使用常识在一些工具书及报刊上已有不少论述，在此不再赘述。本文通过两个容易被发烧友特别是初学者所忽略的要点来说明场效应管的合理应用。目前，应

场效应 型号  反压 Vbe0  电流 Icm  功率 Pcm  放大系数  特征频率  管子类型   IRFU020  50V  15A  42W  *  *  NMOS 场效应   IRFPG42

MOSFET的低导通电阻与市场上第二好的产品相比，降低了43％，可降低电压降并将传导功率损耗降至最低，从而实现更高的功率密度。Vishay Intertechnology推出了首款-30 V p沟道功

目前市场上有6种不同类型的场效应管（FET），在两类主要的FET中，增强型FET比耗尽型FET的应用要广泛得多。但耗尽型FET尤其是JFET在模拟设计中仍占一席之地。图1：增强型N沟道MOSFET。如

场效应管特性及单端甲类功放的设计场效应管不仅兼有普通晶体管和电子管的优点，而且还具备两者所缺少的优点。场效应管具有双向对称性，即场效应管的源极和漏极是可以互换的(无阻尼)，一般的晶体管是不容易做到这一

GBT模块的原理及测量判断方法本文以介绍由单只 IGBT 管子或双管做成的逆变模块及其有关测盈和判断好坏的方法。场效应管有开关速度快、电压控制的优点，但也有导通压降大、电压与电流容量小的缺点。而双极型