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微封装晶体管和二极管:安森美半导体便携应用产品
产品特性:微封装,小尺寸无铅及无卤素器件性能良好 应用范围:空间受限型便携应用安森美半导体扩充分立器件封装系列,推出新微封装的晶体管和二极管。新增加的封装拓展了公司的微封装晶体管和二极管系列,配合当今
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SMM4F:意法半导体超小Transil瞬变电压抑制二极管系列
产品特性:电涌防护能力达到400W 101000微秒采用STmite,尺寸紧凑,占板面积仅为3.8 x 1.9mm低功耗,泄漏电流仅0.2微安关断电压在5V到33V之间最高额定结温均为175°
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二极管的损耗与波形系数
【导读】整流电路ACDC变换应用非常广泛,比DCAC 逆变器功率范围更广,数量更多。为了降低谐波电流,有源PFC应用越来越广泛,但二极管整流在电机驱动中还是主流的方案,而且功率范围很广,所以了解二
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Vishay推出高温应用的第5 代高性能Schottky二极管系列
产品特性:最大结温为 +175°C采用符合 RoHS 的小型封装提供反向偏置安全运行区击穿电压较高且稳定正向压降极低典型反向漏电流极小应用范围:高功率密度SMPS、台式 PC 适配服务器、汽车
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电容降压电路的工作原理
电容降压电路电容降压电路,因其成本低廉、体积小而被广泛地使用,此一优点足以掩盖其它所有缺点:输出电流小(一般控制在100mA以内),与市电直通非隔离而存在安全隐患,输出电压波动大等;这些缺点也限制了其
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降压式DCDC变换器的拓扑结构与工作原理
降压式DCDC变换器,简称降压式变换器,英文为BuckConverter,也称Buck变换器,是最常用的DCDC变换器之一。降压式变换器能将较高的直流电压变换成较低的直流电压,例如将24V电压变换
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有源桥优化以太网供电设计
设备电源输入端使用的桥式整流器电路使其不受设备电源极性的影响。设备本身可能对电源的极性敏感,但桥式整流器可以配置为在电源极性反转时为设备提供正确的极性。某些系统,例如以太网供电 (PoE) 受电设备
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输入电源的防反接保护电路设计
在硬件设计中,关于电路保护的部分是保证系统可靠性的重要一环,电路保护的设计具体也包括很多方面,比如:防反设计,过流保护,过压保护,欠压保护,过热保护等,还包括接口的一些电磁防护设计。今天来梳理一下相关
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基本的PMOS防反接电路
二极管串联以常用的5V2A为例。常用二极管串联在电路中,在电源反接时,二极管承担所有的电压,有效防止电源反接损坏后级设备。但是,二极管上压降较大,损耗较高。使用肖特基二极管可以减小损耗,但是仍对电路
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一种简单家用不间断电源的设计
随着ICT技术的加速融合,以云计算、大数据为特征的技术正在成为引领和促进ICT行业创新和发展的核心技术。新的技术创新,不仅在全方位地重构CT产业,而且通过IT和CT产业融合带来巨大的商业发展机遇。为适
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二极管串联在电源的防反接电路
二极管串联以常用的5V2A为例。常用二极管串联在电路中,在电源反接时,二极管承担所有的电压,有效防止电源反接损坏后级设备。但是,二极管上压降较大,损耗较高。使用肖特基二极管可以减小损耗,但是仍对电路
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MOSFET简介、主要参数及驱动技术
MOSFET简介 ■MOSFET的全称为:metal oxide semiconductor field-effect transistor,中文通常称之为,金属-氧化层-半导体-场效晶体管.■
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电源正负极接反的解决方法
硬件工程师的很多项目是在洞洞板上完成的,但有存在不小心将电源正负极接反的现象,导致很多电子元器件都烧毁,甚至整块板子都废掉,还得再焊接一块,不知道有什么好的办法可以解决?首先粗心不可避免,虽说只是区分
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工业电源解决方案
在 APEC 上,安森美半导体推出了临界传导模式 (CrM) 下的图腾柱功率因数校正 (PFC) 控制器和用于工业电机驱动器、伺服驱动器和 HVAC 的新型转换器-逆变器-PFC 模块。在接受《电力电
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什么是电平转换
电路小课堂,总结一下常用的电平转换电路。前言一、二极管电平转换电路电路分析二、三极管电平转换电路2.1 电路一电路分析2.2 电路二电路分析三、MOS管电平转换电路电路分析四、电平转换芯片结语前言电路
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单片机系统中的掉电保护电路
通常,在数字钟、打铃仪、某些定时器和日历钟等类型的 单片机 系统中,当主电源 DC5V失去时,我们称之为掉电。掉电之后,单片机会停止工作,时钟会停止往前走,这种结果在许多场合往往是不希望的,为了保证单
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升压转换器如何工作
升压转换器如何工作?是时候深吸一口气了,我们即将深入电力电子的深处。我一开始就要说,这是一个非常有益的领域。要了解升压转换器的工作原理,您必须了解电感器、MOSFET、二极管和电容器的工作原理。有了这
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四种防反接保护电路设计
一些电池供电的设备,工控类的一些现场终端设备等,在设计时都会有一个供电接口,对于这些需要直流供电的设备,在设计时一定需要考虑到其电源接反的情况,否则一但接反,有可能导致终端设备内部电路烧坏。对此需要设
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MOSFET的基本工作原理和特性
MOS栅结构是MOSFET的重要组成部分,一个典型的N沟道增强型结构示意图如图1所示。其中栅极、源极和漏极位于同一个平面内,半导体的另一个平面可以称为体端,所以在一些书籍和资料中,也将MOSFET称为