本应用笔记介绍了新的1600 V BIMOSFET晶体管，该晶体管已被新应用取代。它介绍了BIMOSFET的许多应用及其直流电性能。如今，有许多使用高压MOSFET和IGBT的应用，这些应用将受益于更

谈起电源转换器的设计，诸如碳化硅（SiC）等宽禁带（WBG）技术是当今进行器件选择时的现实考虑。650V SiC MOSFET的推出使它们对于某些以前从没有考虑过的应用更具吸引力，这些器件在高效硬开关

IGBT，中文名字为绝缘栅双极型晶体管，它是由MOSFET（输入级）和PNP晶体管（输出级）复合而成的一种器件，既有MOSFET器件驱动功率小和开关速度快的特点（控制和响应），又有双极型器件饱和压降低